本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)一種存儲(chǔ)陣列裝置及其減小讀電流的方法，該裝置包含多行存儲(chǔ)陣列，每行存儲(chǔ)陣列包含多個(gè)子存儲(chǔ)陣列，每個(gè)子存儲(chǔ)陣列之間設(shè)有開(kāi)關(guān)，其中，于每個(gè)子存儲(chǔ)陣列的首尾分別具有一編程標(biāo)志位及反相標(biāo)志位，該編程標(biāo)志位用于記錄當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列是否被編程，該反相標(biāo)志位用于表示原始數(shù)據(jù)是否反相后被寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列，通過(guò)本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)，可達(dá)到減小存儲(chǔ)器的讀出電流、降低存儲(chǔ)器的讀出功耗的目的。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及一種存儲(chǔ)陣列裝置及其減小讀電流的方法，特別是涉及一種電可操除可編程只讀存儲(chǔ)器及其減小讀電流的方法。
技術(shù)介紹
隨著技術(shù)的發(fā)展，微處理器的速度以每年60%的速度激增，但主存的速度僅以每年10%的速度增加，兩者的差異越來(lái)越大，因此存儲(chǔ)器的速度成為限制微處理器及存儲(chǔ)器等系統(tǒng)性能的重要速度。存儲(chǔ)器一般由存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)組成，存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)由一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)陣列(Array)組成，Array由多個(gè)排列整齊的存儲(chǔ)單元組成。圖I為現(xiàn)有技術(shù)一種存儲(chǔ)器之存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖I所示，該存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)包含多行存儲(chǔ)陣列CrowO rowm),每 行的存儲(chǔ)陣列包含兩個(gè)子存儲(chǔ)陣列第一子存儲(chǔ)陣列101及第二子存儲(chǔ)陣列102，第一子存儲(chǔ)陣列101及第二子存儲(chǔ)陣列102之間設(shè)有開(kāi)關(guān)，且每個(gè)子存儲(chǔ)陣列由n+1個(gè)排列整齊的存儲(chǔ)單元b0 bn組成,每個(gè)存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)一個(gè)bit。然而，上述的存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)卻存在如下問(wèn)題當(dāng)數(shù)據(jù)bO-bn被擦除后即全為I時(shí)讀出電流最大，這樣增加讀出功耗，不利于低功耗場(chǎng)合應(yīng)用，并可能影響存儲(chǔ)器的速度。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本專(zhuān)利技術(shù)之目的在于提供一種存儲(chǔ)陣列裝置及其減小讀電流的方法，其可以減小存儲(chǔ)器的讀出電流，減小存儲(chǔ)器的讀出功耗，利于存儲(chǔ)速度的提聞。為達(dá)上述及其它目的，本專(zhuān)利技術(shù)提供一種存儲(chǔ)陣列裝置，包含多行存儲(chǔ)陣列，每行存儲(chǔ)陣列包含第一子存儲(chǔ)陣列及第二子存儲(chǔ)陣列，其中，于每個(gè)子存儲(chǔ)陣列的首尾分別具有一編程標(biāo)志位及反相標(biāo)志位，該編程標(biāo)志位用于記錄當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列是否被編程，該反相標(biāo)志位用于表示原始數(shù)據(jù)是否反相后被寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列。進(jìn)一步地，該編程標(biāo)志位為O表示當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列被編程過(guò)，該編程標(biāo)志位為I表示當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列未被編程過(guò)。進(jìn)一步地，該反相標(biāo)志位為O表示原始數(shù)據(jù)被反相過(guò)后才寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列，該反相標(biāo)志位為I表示原始數(shù)據(jù)寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列時(shí)沒(méi)有被反相。為達(dá)到上述及其他目的，本專(zhuān)利技術(shù)提供一種減小存儲(chǔ)陣列裝置讀電流的方法，包括如下步驟步驟一，于每行存儲(chǔ)陣列的每個(gè)子存儲(chǔ)陣列首尾分別設(shè)置一編程標(biāo)志位及一反相標(biāo)志位并初始化；步驟二，編程時(shí)，根據(jù)一預(yù)定規(guī)則檢驗(yàn)確定反相標(biāo)志位，并設(shè)定該子存儲(chǔ)陣列的編程標(biāo)志位為被編程過(guò)；以及步驟三，根據(jù)確定的反相標(biāo)志位將相應(yīng)的數(shù)據(jù)及該反相標(biāo)志位一起寫(xiě)入。進(jìn)一步地，該方法還包括如下步驟當(dāng)讀取該存儲(chǔ)陣列裝置時(shí)，首先讀取該編程標(biāo)志位并判斷當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列是否被編程過(guò)；若判斷結(jié)果為當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列未被編程過(guò)，則無(wú)需從當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列讀數(shù)據(jù)，而直接輸出數(shù)據(jù)‘I’。若判斷結(jié)果為當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列被編程過(guò)，讀出該編程標(biāo)志位后的數(shù)據(jù)，并對(duì)最后的反相標(biāo)志位進(jìn)行校驗(yàn)；若校驗(yàn)的結(jié)果為數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)被反相過(guò)，則將數(shù)據(jù)反相后再輸出，若校驗(yàn)的結(jié)果為數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)沒(méi)有被反相過(guò)，則直接輸出數(shù)據(jù)。進(jìn)一步地，該預(yù)定規(guī)則為 寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列的數(shù)據(jù)是否I的個(gè)數(shù)大于或等于n/2 ；若是，則令該反相標(biāo)志位表示數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)反相，并將數(shù)據(jù)反相后連同該反相標(biāo)志位一起寫(xiě)入；否則，則令該反相標(biāo)志位表示數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)未反相，并將數(shù)據(jù)連同該反相標(biāo)志位一起與入。進(jìn)一步地，若寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列的數(shù)據(jù)是否I的個(gè)數(shù)大于或等于n/2，則令該反相標(biāo)志位為O,否則為I。進(jìn)一步地，于步驟二中，將該編程標(biāo)志位設(shè)定為O。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專(zhuān)利技術(shù)一種存儲(chǔ)陣列裝置及其減小讀電流的方法，通過(guò)于每個(gè)子存儲(chǔ)陣列的首尾設(shè)置編程標(biāo)志位及反相標(biāo)志位，于編程時(shí)設(shè)定標(biāo)志位，并于讀取數(shù)據(jù)時(shí)根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)志位進(jìn)行相應(yīng)處理，其可以達(dá)到減小存儲(chǔ)器的讀出電流、降低存儲(chǔ)器的讀出功耗的目的，有利于存儲(chǔ)速度的提聞。附圖說(shuō)明圖I為現(xiàn)有技術(shù)一種存儲(chǔ)器之存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2為本專(zhuān)利技術(shù)之存儲(chǔ)陣列裝置之較佳實(shí)施例中某行存儲(chǔ)陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本專(zhuān)利技術(shù)一種減小存儲(chǔ)器讀電流的方法之步驟流程圖。具體實(shí)施例方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)例并結(jié)合附圖說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本專(zhuān)利技術(shù)的其它優(yōu)點(diǎn)與功效。本專(zhuān)利技術(shù)亦可通過(guò)其它不同的具體實(shí)例加以施行或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不背離本專(zhuān)利技術(shù)的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。圖2為本專(zhuān)利技術(shù)之存儲(chǔ)陣列裝置之較佳實(shí)施例中某行存儲(chǔ)陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本專(zhuān)利技術(shù)一種存儲(chǔ)陣列裝置，包含多行存儲(chǔ)陣列，其中每行存儲(chǔ)陣列包含多個(gè)子存儲(chǔ)陣列，每個(gè)子存儲(chǔ)陣列之間均設(shè)有開(kāi)關(guān)，于本專(zhuān)利技術(shù)較佳實(shí)施例中，每行存儲(chǔ)陣列包含兩個(gè)子存儲(chǔ)陣列第一子存儲(chǔ)陣列201及第二子存儲(chǔ)陣列202，第一子存儲(chǔ)陣列201及第二子存儲(chǔ)陣列202之間設(shè)有開(kāi)關(guān)，每個(gè)子存儲(chǔ)陣列由n+1個(gè)排列整齊的存儲(chǔ)單元b0 bn組成，每個(gè)存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)一個(gè)bit，同時(shí)于每個(gè)子存儲(chǔ)陣列(如第一子存儲(chǔ)陣列201及第二子存儲(chǔ)陣列202)首尾分別設(shè)置一編程標(biāo)志位b_l及反相標(biāo)志位bn+Ι，其中編程標(biāo)志位b_l用于記錄該子存儲(chǔ)陣列是否被編程，b_l = O表示被編程過(guò)，b_l = I表示未被編程過(guò)；反相標(biāo)志位bn+Ι用于表示原始數(shù)據(jù)是否反相后被寫(xiě)入存儲(chǔ)陣列，bn+Ι = O表示原始數(shù)據(jù)被反相過(guò)后才寫(xiě)入存儲(chǔ)器，bn+Ι = I表示原始數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器時(shí)沒(méi)有被反相。圖3為本專(zhuān)利技術(shù)一種減小存儲(chǔ)器讀電流的方法之步驟流程圖。如圖3所示，本專(zhuān)利技術(shù)一種減小存儲(chǔ)器讀電流的方法，包括如下步驟步驟301，于每行存儲(chǔ)陣列的每個(gè)子存儲(chǔ)陣列首尾設(shè)置編程標(biāo)志位及反相標(biāo)志位，并初始化；步驟302，編程時(shí)，檢驗(yàn)所要寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列的數(shù)據(jù)是否I的個(gè)數(shù)大于或等于n/2，并設(shè)定該子存儲(chǔ)陣列的編程標(biāo)志位b_l，；步驟303，若是，則令該子存儲(chǔ)陣列的反相標(biāo)志位bn+Ι為0，并把數(shù)據(jù)b0_bn反相后連同反相標(biāo)志位bn+Ι = O 一起寫(xiě)入；否則令該子存儲(chǔ)陣列的反相標(biāo)志位bn+Ι為1，把數(shù) 據(jù)bO-bn連同反相標(biāo)志位bn+Ι = O 一起寫(xiě)入。相應(yīng)地，當(dāng)讀取該存儲(chǔ)陣列裝置時(shí)，首先讀取編程標(biāo)志位b_l并判斷當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列是否被編程過(guò)；若判斷結(jié)果為當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列未被編程過(guò)，則無(wú)需從當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列讀數(shù)據(jù)，而直接輸出數(shù)據(jù)‘I’。若判斷結(jié)果為當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列被編程過(guò)，則說(shuō)明該子存儲(chǔ)陣列被編程過(guò)，可以讀其中的數(shù)據(jù)，讀出編程標(biāo)志位后的數(shù)據(jù)，并對(duì)最后的反相標(biāo)志位進(jìn)行校驗(yàn)；若校驗(yàn)的結(jié)果為數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)被反相過(guò)，數(shù)據(jù)需要經(jīng)過(guò)反相后再輸出，若校驗(yàn)的結(jié)果為數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)沒(méi)有被反相過(guò)，則直接輸出數(shù)據(jù)。以下將繼續(xù)配合圖2及圖3通過(guò)一具體實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)之工作原理。讀取上述存儲(chǔ)陣列裝置時(shí)，首先讀取b_i，Sb_i = I則說(shuō)明該子存儲(chǔ)陣列未被編程過(guò)即字節(jié)數(shù)據(jù)全部為I，若b_l = O則說(shuō)明該子存儲(chǔ)陣列被編程過(guò)，可以讀其中的數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)讀出后先校驗(yàn)bn+Ι，如果bn+Ι = 0，則說(shuō)明數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)被反相過(guò)，數(shù)據(jù)需要經(jīng)過(guò)反相后再輸出，若如果bn+Ι = 1，則說(shuō)明數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)沒(méi)有被反相過(guò)，數(shù)據(jù)可以直接輸出；當(dāng)對(duì)上述存儲(chǔ)陣列裝置編程時(shí)，先檢驗(yàn)所要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)是否I的個(gè)數(shù)大于或等于n/2，若是則令bn+Ι = O并把數(shù)據(jù)bO-bn反相后連同反相標(biāo)志位bn+Ι = O 一起寫(xiě)入到存儲(chǔ)器，此時(shí)寫(xiě)入的I的個(gè)數(shù)最多只有n/2個(gè)，讀出電流小；若所要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)中I的個(gè)數(shù)少于一半則令bn+Ι = 1，數(shù)據(jù)b0_bn連同反相標(biāo)志位bn+1 = I 一起寫(xiě)入存儲(chǔ)器,這樣在讀出時(shí)bO-bn+Ι最多有n/2的I,讀本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種存儲(chǔ)陣列裝置，包含多行存儲(chǔ)陣列，其特征在于：每行存儲(chǔ)陣列包含多個(gè)子存儲(chǔ)陣列，每個(gè)子存儲(chǔ)陣列之間設(shè)有開(kāi)關(guān)，于每個(gè)子存儲(chǔ)陣列的首尾分別具有一編程標(biāo)志位及反相標(biāo)志位，該編程標(biāo)志位用于記錄當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列是否被編程，該反相標(biāo)志位用于表示原始數(shù)據(jù)是否反相后被寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種存儲(chǔ)陣列裝置，包含多行存儲(chǔ)陣列，其特征在于每行存儲(chǔ)陣列包含多個(gè)子存儲(chǔ)陣列，每個(gè)子存儲(chǔ)陣列之間設(shè)有開(kāi)關(guān)，于每個(gè)子存儲(chǔ)陣列的首尾分別具有一編程標(biāo)志位及反相標(biāo)志位，該編程標(biāo)志位用于記錄當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列是否被編程，該反相標(biāo)志位用于表示原始數(shù)據(jù)是否反相后被寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列。2.如權(quán)利要求I所述的存儲(chǔ)陣列裝置，其特征在于該編程標(biāo)志位為O表示當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列被編程過(guò)，該編程標(biāo)志位為I表示當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列未被編程過(guò)。3.如權(quán)利要求I所述的存儲(chǔ)陣列裝置，其特征在于該反相標(biāo)志位為O表示原始數(shù)據(jù)被反相過(guò)后才寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列，該反相標(biāo)志位為I表示原始數(shù)據(jù)寫(xiě)入當(dāng)前子存儲(chǔ)陣列時(shí)沒(méi)有被反相。4.一種減小存儲(chǔ)陣列裝置讀電流的方法，包括如下步驟 步驟一，于每行存儲(chǔ)陣列的每個(gè)子存儲(chǔ)陣列首尾分別設(shè)置一編程標(biāo)志位及一反相標(biāo)志位并初始化； 步驟二，編程時(shí)，根據(jù)一預(yù)定規(guī)則檢驗(yàn)確定反相標(biāo)志位，并設(shè)定該子存儲(chǔ)陣列的編程標(biāo)志位為被編程過(guò)；以及 步驟三，根據(jù)確定的反相標(biāo)志位將相應(yīng)的數(shù)據(jù)及該反相標(biāo)志位一起寫(xiě)入。5.如權(quán)利要求4所述的一種減小存儲(chǔ)陣列裝置讀電流的方法，其特征在于，該方法還...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊光軍，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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