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本發明公開一種存儲陣列裝置及其減小讀電流的方法，該裝置包含多行存儲陣列，每行存儲陣列包含多個子存儲陣列，每個子存儲陣列之間設有開關，其中，于每個子存儲陣列的首尾分別具有一編程標志位及反相標志位，該編程標志位用于記錄當前子存儲陣列是否被編程，...該專利屬于上海宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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本發明公開一種存儲陣列裝置及其減小讀電流的方法，該裝置包含多行存儲陣列，每行存儲陣列包含多個子存儲陣列，每個子存儲陣列之間設有開關，其中，于每個子存儲陣列的首尾分別具有一編程標志位及反相標志位，該編程標志位用于記錄當前子存儲陣列是否被編程，...