光子集成裝置包括至少第一波導(G1)和第二波導(G2)，兩個波導由包括突節(R)的接合區域(JCN)相互耦合。

本申請涉及用于長時間常數電路級的讀取電路和相應的讀取方法。一種用于電荷保持電路級的讀取電路，配備有：連接在第一偏置端子和浮置節點之間的存儲電容器；以及連接在浮置節點和參考端子之間的放電元件，用于通過經由相應電介質的泄漏對存儲在存儲電容器...

一種測試電路(19)，包括用于測量時間間隔的電荷保持電路級(1)，電荷保持電路級設置有：存儲電容器(2)，連接在第一偏置端子(3a)與浮置節點(4)之間；以及放電元件(6)，連接在浮置節點(4)與參考端子(7)之間，用于通過穿過對應的電...

本發明涉及一種形成鍺波導的方法，包括步驟：提供P型硅襯底(1)，采用重摻雜N型鍺層(3)并采用第一N型摻雜硅層(5)涂覆；形成穿透至襯底中的溝槽(7)以形成襯底條帶、鍺條帶、以及第一硅條帶(5)的堆疊；以及采用氮化硅層(9)涂覆整個結構。

本實用新型涉及一種PNP型雙極晶體管，包括發射極(69)，所述發射極具有矩形橫截面，相對于所述晶體管的基極(15)被抬起，并且具有受間隔物(73)保護的橫向表面，所述晶體管進一步包括在所述基極(15)的由所述間隔物(73)界定的重摻雜N...

一種存儲元件，包括：在兩個節點之間首尾耦合的兩個CMOS反相器；以及連接在所述節點之間作為電容器的一個MOS晶體管。

本申請涉及讀取電路和電子設備。讀取電路配備有：連接在第一偏置端子和浮置節點之間的存儲電容器；以及連接在浮置節點和參考端子之間的放電元件，用于通過經由相應電介質的泄漏對存儲在存儲電容器中的電荷進行放電。讀取電路還具有：運算放大器，其具有連...

使用絕緣體上硅類型襯底形成的一種集成電路，其中所述襯底包括載體襯底以及載體襯底上部上的掩埋絕緣層和半導體薄膜堆疊。無堆疊的第一區域使包括堆疊的第二區域與也包括堆疊的第三區域分離。MOS晶體管具有通過第二區域中的掩埋絕緣層的部分形成的柵極...

本公開涉及光子集成裝置和光學系統。光子集成裝置包括至少第一波導(G1)和第二波導(G2)，兩個波導由包括突節(R)的接合區域(JCN)相互耦合。

本實用新型涉及一種集成電路，其使用絕緣體上硅類型襯底形成，其中所述襯底包括載體襯底以及載體襯底上部上的掩埋絕緣層和半導體薄膜堆疊。無堆疊的第一區域使包括堆疊的第二區域與也包括堆疊的第三區域分離。MOS晶體管具有通過第二區域中的掩埋絕緣層...

本公開的實施例涉及一種用于表征光子器件的測試設備，所述測試設備包括：用于接收光學輸入信號的裝置；第一分離裝置，所述第一分離裝置被配置成用于根據具有已知實值的分離系數將來自所述輸入信號的中間信號分離成至少一個第一子信號和第二子信號；至少一...

一種像素，包括半導體層，該半導體層具有在半導體層中延伸的電荷累積層。晶體管具有向下穿透進入半導體層至第一深度的讀取區。絕緣壁從上表面穿透進入半導體層并且包含連接至電位施加的節點的絕緣導體。絕緣壁至少包括設有向下穿透進入絕緣導體至第二深度...

一種集成電路包括位于半導體襯底的有源區域之中和之上的MOS晶體管。有源區域由例如淺槽隔離型的絕緣區域界定。晶體管的漏極區域與絕緣區域分離地設置在半導體襯底中。晶體管的絕緣柵極包括與漏極區域對準的中心開口。晶體管的溝道區域環狀圍繞漏極區域。

本公開提供用于三維集成結構的改善布線。三維集成結構由具有定向在第一方向上的第一部件的第一襯底和具有定向在第二方向上的第二部件的第二襯底形成。互連層級包括在第三方向上行進的導電軌道。第二方向和第三方向之一與第一方向形成非直角并且非零角。由...

本公開涉及用于在集成電路內制造JFET晶體管的方法及對應的集成電路。根據本發明的用于制造BiCMOS類型的集成電路(CI)的方法包括制造至少一個垂直結場效應晶體管(T1)，其包括形成具有通過光刻控制的有源表面(D)的臨界尺寸的溝道區域(...

本公開的實施方式涉及具有電光(E/O)調幅器的電光器件以及相關方法。該電光(E/O)器件包括：具有輸入以及第一和第二輸出的第一非對稱光耦合器；耦合到第一非對稱光耦合器的第一輸出的第一光波導臂；以及耦合到第一非對稱光耦合器的第二輸出的第二...

管理邏輯部件(2)的操作的方法，該邏輯部件(2)包括多數表決電路(3)和至少等于三個的奇數個觸發器(4至6)，該方法包括：a)在部件的正常操作模式之后，將部件(2)置于測試模式，在測試模式中：邏輯部件(2)的觸發器(4)被置于測試模式，...

本公開的實施方式涉及一種彩色圖像傳感器，包括形成在半導體層中的像素的陣列，半導體層具有接收照射的后側。隔離的導電壁從半導體層的后側穿入半導體層并且將像素彼此分離。對于每個像素，彩色像素從半導體層的后側穿入半導體厚度的5％至30％并且占據...

熱電發生器，包括具有聲子結構的半導體隔膜(2)，包含至少一個PN結(3，4)，懸置在設計用于耦合至冷的熱源的第一支座(5)、與設計用于耦合至熱的熱源的第二支座(6)之間，以及允許熱通量在所述隔膜的平面內再分布的架構。

本實用新型的各個實施例涉及集成電路。集成電路包括有源區，該有源區位于半導體襯底之上。空腔與有源區接界，并且在絕緣區中盡可能遠地延伸到半導體區域的附近。提供絕緣多層，并且導電接觸在該絕緣多層內延伸以存在于有源區上并且進入到空腔內。絕緣多層...