本公開涉及一種用于形成外延層的工藝。具體地，其涉及一種工藝，包括：(a)在單晶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(S，D)和在多晶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(G)上外延生長半導(dǎo)體材料層；(b)刻蝕所述外延層以便在所述單晶結(jié)構(gòu)(S，D)上保留非零厚度的所述材料而在所述多晶結(jié)構(gòu)(...