本公開涉及光子IC芯片。一種光子集成電路芯片包括限定在第一層中的垂直光柵耦合器。第二絕緣層覆蓋垂直光柵耦合器，并且具有金屬層級(jí)的互連結(jié)構(gòu)嵌入第二絕緣層中。腔體在深度上延伸穿過第二絕緣層直到在耦合器與最接近耦合器的金屬層級(jí)之間的中間層級(jí)。...

本公開涉及集成圖像傳感器。在一個(gè)實(shí)施例中，集成圖像傳感器包括像素陣列，其中每個(gè)像素包括：光敏區(qū)域，被配置為通過生成電子空穴對(duì)以形成代表所生成電子?空穴對(duì)中的電子數(shù)的第一信號(hào)和代表所生成電子?空穴對(duì)中的空穴數(shù)的第二信號(hào)，來集成發(fā)光信號(hào)。第...

本公開的實(shí)施例涉及集成成像設(shè)備和集成電路。一種集成成像設(shè)備包括像素，該像素具有延伸到襯底中的溝槽。溝槽涂覆有絕緣體并且填充有包括第一多晶硅區(qū)域和第二多晶硅區(qū)域的堆疊。第一和第二多晶硅區(qū)域通過絕緣材料的層彼此分離。第一多晶硅區(qū)域可以形成垂...

本文描述了具有晶體管的物理不可克隆功能的器件及制造方法。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種物理不可克隆功能器件包括晶體管對(duì)集合，晶體管對(duì)集合中的晶體管具有屬于共同隨機(jī)分布的經(jīng)隨機(jī)分布的有效閾值電壓；差分讀取電路，被配置為測(cè)量晶體管對(duì)集合中的晶體管對(duì)的...

本公開的各實(shí)施例涉及光電二極管。光電二極管包括第一摻雜劑類型的第一襯底層和在第一襯底層的頂部上的第二摻雜劑類型的第二襯底層。在包括第一襯底層和第二襯底層的半導(dǎo)體襯底中提供半導(dǎo)體壁。半導(dǎo)體壁包括：兩個(gè)外半導(dǎo)體壁和定位在兩個(gè)外半導(dǎo)體壁之間的...

本公開的各實(shí)施例涉及具有全局快門的像素。一種像素，包括光敏電路、感測(cè)節(jié)點(diǎn)、第一晶體管和第一電容器。第一電容器的第一電極連接到第一晶體管的控制端子。第一電容器的第二電極連接到被施加第一控制信號(hào)的節(jié)點(diǎn)。

本公開的實(shí)施例涉及圖像傳感器。一種圖像傳感器，其特征在于，包括：半導(dǎo)體層，具有前側(cè)和背側(cè)；電容性絕緣壁，從所述半導(dǎo)體層的所述前側(cè)延伸到所述半導(dǎo)體層的所述背側(cè)，所述電容性絕緣壁包括第一絕緣壁和第二絕緣壁；導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料的區(qū)域，在所述第一...

本公開涉及電光調(diào)制器和光子電路。在一個(gè)實(shí)施例中，電光調(diào)制器包括波導(dǎo)，波導(dǎo)具有第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面。腔體被設(shè)置在波導(dǎo)中。多個(gè)量子阱被設(shè)置在腔體中。本公開的實(shí)施例能夠?qū)崿F(xiàn)損耗小且結(jié)構(gòu)緊湊的電光調(diào)制器。

本公開涉及環(huán)形諧振器電光設(shè)備和光學(xué)設(shè)備。環(huán)形諧振器電光設(shè)備包括第一氮化硅波導(dǎo)和第二環(huán)狀硅波導(dǎo)，第二環(huán)狀硅波導(dǎo)包括在第一波導(dǎo)的第二區(qū)段之下延伸的第一區(qū)段。第二波導(dǎo)還包括環(huán)狀硅條，該環(huán)狀硅條具有在第一區(qū)段中從位于第二區(qū)段之下的最小橫截面增大...

本公開的各實(shí)施例涉及波導(dǎo)和集成光子電路。在一個(gè)實(shí)施例中，波導(dǎo)包括上游部分、下游部分和上游部分和下游部分之間的中間部分。第一波帶設(shè)置在絕緣層上，該第一波帶沿第一方向定向。第一側(cè)向條帶和第二側(cè)向條帶，設(shè)置在第一波帶的任一側(cè)，該第一側(cè)向條帶和...

本公開的實(shí)施例涉及包括像素的矩陣的成像器裝置。成像器裝置的像素包括被配置為對(duì)光信號(hào)進(jìn)行積分的光敏區(qū)域。第一電容性存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)被配置為接收表示由光敏區(qū)域生成的電荷的數(shù)目的信號(hào)。第二電容性存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)被配置為接收參考信號(hào)。第一轉(zhuǎn)移晶體管被耦合在第一...

本公開涉及一種光電二極管以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該光電二極管包括：第一部分，該第一部分由硅制成；以及第二部分，該第二部分由摻雜鍺制成，位于該第一部分上并且與該第一部分接觸，該第一部分包括形成p?n結(jié)的第一區(qū)域和第二區(qū)域的堆疊，并且鍺的摻雜水平隨...

本公開的實(shí)施例涉及光子系統(tǒng)及其制造方法。一種光子系統(tǒng)包括具有第一面的第一光子電路和具有第二面的第二光子電路。第一光子電路包括第一波導(dǎo)，并且對(duì)于每個(gè)第一波導(dǎo)，第一光子電路包括覆蓋第一波導(dǎo)的第二波導(dǎo)，第二波導(dǎo)與第一面接觸并且被放置在第一面和...

本公開的實(shí)施例涉及背照式圖像傳感器。提供了圖像傳感器和制造圖像傳感器的方法。一種這種方法包括形成一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括從前側(cè)延伸到背側(cè)的半導(dǎo)體層以及延伸穿過半導(dǎo)體層的電容性絕緣壁。電容性絕緣壁包括被導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料的區(qū)域分離的第一絕緣壁和...

本文描述了物理不可克隆功能器件和集成電路。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種物理不可克隆功能器件包括晶體管對(duì)集合，晶體管對(duì)集合中的晶體管具有屬于共同隨機(jī)分布的經(jīng)隨機(jī)分布的有效閾值電壓；差分讀取電路，被配置為測(cè)量晶體管對(duì)集合中的晶體管對(duì)的晶體管的有效閾...

本公開涉及具有環(huán)形諧振器的電光設(shè)備。環(huán)形諧振器電光設(shè)備包括第一氮化硅波導(dǎo)和第二環(huán)狀硅波導(dǎo)，第二環(huán)狀硅波導(dǎo)包括在第一波導(dǎo)的第二區(qū)段之下延伸的第一區(qū)段。第二波導(dǎo)還包括環(huán)狀硅條，該環(huán)狀硅條具有在第一區(qū)段中從位于第二區(qū)段之下的最小橫截面增大的橫...

本公開涉及一種光電二極管，其包括：第一部分，該第一部分由硅制成；以及第二部分，該第二部分由摻雜鍺制成，位于該第一部分上并且與該第一部分接觸，該第一部分包括形成p?n結(jié)的第一區(qū)域和第二區(qū)域的堆疊，并且鍺的摻雜水平隨著與p?n結(jié)相距的距離的...

本公開的實(shí)施例涉及超低電壓數(shù)字電路的本體偏置。數(shù)字電路包括由邏輯門形成的邏輯電路。每個(gè)邏輯門包括p溝道MOSFET和n溝道MOSFET。本體偏置發(fā)生器電路將n本體偏置電壓施加到p溝道MOSFET的n本體偏置節(jié)點(diǎn)，并且將p本體偏置電壓施加...

本公開的實(shí)施例涉及具有改進(jìn)的電荷存儲(chǔ)容量的集成成像設(shè)備。一種集成成像設(shè)備包括像素，該像素具有延伸到襯底中的溝槽。溝槽涂覆有絕緣體并且填充有包括第一多晶硅區(qū)域和第二多晶硅區(qū)域的堆疊。第一和第二多晶硅區(qū)域通過絕緣材料的層彼此分離。第一多晶硅...

本公開的實(shí)施例涉及全局快門成像器裝置。成像器裝置的像素包括被配置為對(duì)光信號(hào)進(jìn)行積分的光敏區(qū)域。第一電容性存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)被配置為接收表示由光敏區(qū)域生成的電荷的數(shù)目的信號(hào)。第二電容性存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)被配置為接收參考信號(hào)。第一轉(zhuǎn)移晶體管被耦合在第一電容性存...