本公開的實施例涉及SPAD像素。一種電子器件包括具有SPAD的第一級、具有用于所述SPAD的猝滅電路的第二級、以及具有用于處理由所述SPAD生成的數(shù)據(jù)的電路的第三級的堆疊。一種用于制造該器件的方法包括：a)形成第一級；b)通過分子鍵合在...

本公開的實施例涉及光學濾波器及其對應的制造方法。一種光學濾波器，包括由第一材料制成的載體層。柱的周期性光柵以由特征尺寸配置的周期性圖案布置在載體層上。立柱由第二材料制成。由第三材料制成的層包圍柱的周期性光柵并覆蓋載體層。第三材料具有不同...

本公開的實施例涉及雙極型晶體管。一種雙極型晶體管，包括發(fā)射極、基極和集電極的堆疊。基極被構造為具有梳狀物形狀，包括被定向為在與堆疊的堆疊方向正交的平面中的指狀物。與堆疊的堆疊方向正交的平面中的指狀物。與堆疊的堆疊方向正交的平面中的指狀物。

本公開的實施例涉及像素電路以及傳感器。像素電路包括光轉化區(qū)、絕緣的垂直電極以及至少一個電荷存儲區(qū)。光轉化區(qū)屬于半導體襯底的第一部分，并且每個電荷存儲區(qū)屬于襯底的第二部分，該第二部分通過絕緣的垂直電極與襯底的第一部分物理分離。利用本公開的...

本公開涉及像素電路以及半導體器件。一種像素電路，其特征在于，包括：包括導電元件的互連結構；絕緣層，在互連結構的表面上并且與表面接觸，導電元件與表面共面；開口，穿過絕緣層到達導電元件；側壁，延伸遠離導電元件；電極，在導電元件上并且與導電元...

本公開的各實施例涉及微電子器件。微電子器件包括豎直布置在P型摻雜半導體襯底中的PNP晶體管和NPN晶體管，通過以下步驟制造：在半導體襯底中形成用于PNP晶體管的N+摻雜隔離阱；在N+摻雜隔離阱中形成P+摻雜區(qū)；在半導體襯底上外延生長第一...

本公開涉及像素電路和電子裝置。該像素電路包括：集成電路，包括：互連結構，具有表面和與表面齊平的導電元件；絕緣層，在互連結構的表面上并且與互連結構的表面接觸，絕緣層在第一方向上具有第一尺寸；開口，穿過絕緣層到導電元件；電極，與導電元件接觸...

本公開的實施例涉及具有釘扎光電二極管的集成光學傳感器。集成光學傳感器由釘扎光電二極管形成。半導體襯底包括具有第一導電類型的第一半導體區(qū)域，該第一半導體區(qū)域位于第二半導體區(qū)域與第三半導體區(qū)域之間，第二半導體區(qū)域具有與第一導電類型相對的第二...

本公開的實施例涉及包括雙極晶體管的結構。一種包括雙極晶體管的結構，雙極晶體管包括集電極、基極和發(fā)射極，結構包括：半導體襯底；在半導體襯底上的堆疊，堆疊相繼包括：第一電絕緣層；第二電絕緣層，在第一電絕緣層上并且與第一電絕緣層接觸，其中第二...

本公開的實施例涉及包括電荷存儲區(qū)的像素電路。像素電路包括光轉化區(qū)、絕緣的垂直電極以及至少一個電荷存儲區(qū)。光轉化區(qū)屬于半導體襯底的第一部分，并且每個電荷存儲區(qū)屬于襯底的第二部分，該第二部分通過絕緣的垂直電極與襯底的第一部分物理分離。與襯底...

本公開涉及一種光傳感器的像素電路及其制造方法。用于制造像素電路的方法包括：在集成電路的互連結構的暴露面上沉積絕緣層，該互連結構具有與所述暴露面齊平的導電元件；以及蝕刻穿過絕緣層到達導電元件的開口；將電極層沉積在導電元件和絕緣層上并且與導...

本公開的實施例涉及具有兩個相變存儲器的電子芯片。電子芯片包括：第一基本單元的第一陣列和第二基本單元的第二陣列，第一基本單元和第二基本單元形成兩種類型的相變存儲器，相變存儲器具有由相變材料的體積形成的存儲元件，該相變材料的體積取決于所存儲...

本公開涉及光傳感器的像素及其制造方法。用于制造像素的方法包括：在集成電路的互連結構的裸露面上沉積絕緣層，互連結構具有與裸露面齊平的導電元件；蝕刻出穿過絕緣層到導電元件的開口；沉積位于導電元件和絕緣層上并與導電元件和絕緣層接觸的電極層；執(zhí)...

本公開涉及一種圖像傳感器和成像像素。圖像傳感器包括多個像素，每個像素包括：在半導體襯底中豎直地延伸的第一導電類型的摻雜光敏區(qū)域；比光敏區(qū)域更重地摻雜有第一導電類型的電荷收集區(qū)域，電荷收集區(qū)域在襯底中從襯底的上表面豎直地延伸并且被布置在光...

本公開的實施例涉及制造雙極晶體管的方法和通過這種方法獲得的雙極晶體管。一種制造雙極晶體管的方法，包括在襯底上形成第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層和第四絕緣層的堆疊。在堆疊中形成開口以到達襯底。外延工藝在襯底上形成晶體管的集電極，并且在...

一種與制造NPN、NMOS、和PMOS晶體管并行地制造PNP晶體管的方法，該PNP雙極晶體管制造方法包括以下連續(xù)步驟：在P型摻雜半導體襯底上沉積第一半導體層，該第一半導體層被劃分為第一、第二和第三區(qū)域；向該襯底中深注入絕緣阱；在所述第二...

本公開的各實施例涉及制造包括PNP雙極晶體管和NPN雙極晶體管的器件的方法。一種微電子器件，包括豎直布置在P型摻雜半導體襯底中的PNP晶體管和NPN晶體管。PNP晶體管和NPN晶體管通過以下步驟制造：在半導體襯底中形成用于PNP晶體管的...

本公開的各實施例涉及光傳感器。光傳感器包括第一像素和第二像素。每個像素具有光轉換區(qū)域。帶阻法諾諧振濾波器被布置在第一像素之上。第二像素不包括法諾諧振濾波器。從第一像素和第二像素輸出的信號被處理以確定表示在帶阻法諾諧振濾波器的阻帶中的照射...

本公開涉及集成電路的互連結構。例如，提供了一種用于制造用于集成電路的互連結構的方法。該集成電路包括第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層。電接觸件穿過第一絕緣層，并且具有電接觸區(qū)域的部件位于第二絕緣層中。該方法包括與接觸區(qū)域垂直對齊地在第三...

本公開的實施例涉及相位調制器和光子集成電路，相位調制器包括：波導，其中波導被配置為傳播光學信號；以及光學透明導電層，光學透明導電層對光學信號的波長透明，其中光學透明導電層與波導的至少一個面接觸，或者與至少一個面分隔開一距離，距離小于光學...