公開了一種相變存儲器。一種用于制造相變存儲器的方法，包括形成相變存儲器單元陣列的步驟，每個單元與陣列的同一行中的相鄰單元間隔相同的第一距離并與陣列的同一列中的相鄰單元間隔相同的第一距離。該方法還包括在每行或每列中蝕刻N個存儲器單元中的一...

本公開的各實施例涉及背面照射圖像傳感器和制造方法。集成傳感器包括由具有第一光學(xué)折射率的第一半導(dǎo)體材料制成的襯底。該襯底包括像素陣列，其中每個像素具有由折射對比區(qū)形成的光敏有源區(qū)，該折射對比區(qū)包括第一半導(dǎo)體材料的基質(zhì)和嵌入該基質(zhì)中的周期性...

本公開的實施例涉及光傳感器。本公開涉及一種圖像傳感器，其包括光電材料的第一層和位于所述第一層與所述傳感器的被配置為接收光線的面之間的衍射光柵。線的面之間的衍射光柵。線的面之間的衍射光柵。

本公開的各實施例涉及光敏傳感器以及對應(yīng)的制造方法。一種光敏傳感器，包括像素，該像素由光敏區(qū)、讀取區(qū)、以及傳送柵極形成，光敏區(qū)在第一半導(dǎo)體材料中，讀取區(qū)在第二半導(dǎo)體材料中，傳送柵極面向第一半導(dǎo)體材料和第二半導(dǎo)體材料的位于光敏區(qū)與讀取區(qū)之間...

本公開的各實施例涉及電子器件和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。本說明書涉及包括相變存儲器單元的器件，每個存儲器單元包括與由相變材料制成的第二元件橫向接觸的第一電阻元件。本實用新型的實施例提供了對電子器件的改進，例如可以降低功率損失。功率損失。功率損失。

本公開的實施例涉及圖像傳感器和光學(xué)器件。一種圖像傳感器，包括：第一層，由光電材料制成；以及衍射光柵，位于第一層與傳感器的被配置為接收光線的面之間；其中衍射光柵被配置為衍射所接收的光線，以對于給定波長優(yōu)化位于完全包含在第一層內(nèi)的平面中的衍...

本公開的各實施例涉及光敏傳感器。一種光敏傳感器，包括像素，該像素由光敏區(qū)、讀取區(qū)、以及傳送柵極形成，光敏區(qū)在第一半導(dǎo)體中，讀取區(qū)在第二半導(dǎo)體中，傳送柵極面向第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體的位于光敏區(qū)與讀取區(qū)之間的部分。第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體具有...

本公開的實施例涉及相變存儲器。存儲器單元由以下制造：(a)形成包括由相變材料制成的第一層和由導(dǎo)電材料制成的第二層的堆疊；(b)在堆疊上形成僅覆蓋存儲器單元位置的掩模；以及(c)蝕刻堆疊的、未被第一掩模覆蓋的部分。僅覆蓋存儲器單元位置的掩...

本公開的實施例涉及攝影傳感器。半導(dǎo)體襯底包括感光點的矩陣。每個感光點由包括多晶硅的隔離溝槽界定。外圍區(qū)直接圍繞感光點矩陣延伸。外圍區(qū)包括由包含多晶硅的隔離溝槽界定的虛設(shè)感光點。外圍區(qū)中多晶硅的密度介于在感光點矩陣邊緣處的多晶硅密度與圍繞...

本公開的實施例涉及傳感器。傳感器包括：半導(dǎo)體襯底；半導(dǎo)體襯底中的感光點的矩陣，每個感光點由包括多晶硅的隔離溝槽界定；以及半導(dǎo)體襯底的外圍區(qū)，直接圍繞感光點矩陣延伸，外圍區(qū)包括由包含多晶硅的隔離溝槽界定的虛設(shè)感光點。外圍區(qū)中多晶硅的密度介...

本公開的實施例涉及SPAD光電二極管。光電二極管形成在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底中。該光電二極管包括具有基本半球形形狀的第一區(qū)域，以及在第一區(qū)域內(nèi)具有不同于第一導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電類型的基本半球形核心。外延層覆蓋半導(dǎo)體襯底并埋置第一區(qū)域和核...

本公開的實施例涉及光子系統(tǒng)及其制造方法。一種光子系統(tǒng)包括具有第一面的第一光子電路和具有第二面的第二光子電路。第一光子電路包括第一波導(dǎo)，并且對于每個第一波導(dǎo)，第一光子電路包括覆蓋第一波導(dǎo)的第二波導(dǎo)，第二波導(dǎo)與第一面接觸并且被放置在第一面和...

本公開的實施例涉及光電二極管。光電二極管包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；外延層，覆蓋半導(dǎo)體襯底的頂表面；第一導(dǎo)電類型的基本半球形埋置區(qū)域，在半導(dǎo)體襯底中，基本半球形埋置第一區(qū)域具有與半導(dǎo)體襯底的頂面共面的頂面；第二導(dǎo)電類型的基本半球形核心...

本公開的實施例涉及雙極型晶體管。一種雙極型晶體管，其特征在于，包括：發(fā)射極、基極和集電極的堆疊；其中基極被構(gòu)造為具有梳狀物形狀，梳狀物形狀包括被定向為在與堆疊的堆疊方向正交的平面中延伸的指狀物；第一外圍絕緣溝槽，圍繞雙極型晶體管；以及第...

本公開的實施例涉及集成電路。本實用新型提供了一種集成電路，包括：半導(dǎo)體襯底；以及第一半導(dǎo)體部件，包括：掩埋半導(dǎo)體區(qū)域，被設(shè)置在半導(dǎo)體襯底中并且具有第一導(dǎo)電類型；第一柵極區(qū)域和第二柵極區(qū)域，被設(shè)置為彼此相距一定距離并且各自分別從半導(dǎo)體襯底...

本公開涉及一種背照式圖像傳感器，包括形成于半導(dǎo)體晶圓中的存儲器區(qū)域，每個存儲器區(qū)域位于兩個不透明壁之間，這兩個不透明壁延伸到該晶圓中并與安排在該存儲器區(qū)域的后表面處的不透明屏幕接觸。處的不透明屏幕接觸。處的不透明屏幕接觸。

本公開涉及集成標(biāo)準(zhǔn)單元的設(shè)置。集成電路包括至少一個第一標(biāo)準(zhǔn)單元，該至少一個第一標(biāo)準(zhǔn)單元由兩個第二標(biāo)準(zhǔn)單元框定。該三個單元被彼此相鄰設(shè)置，并且每個標(biāo)準(zhǔn)單元包括位于絕緣體上硅(silicon

本公開的各實施例涉及一種X射線檢測器，包括具有NPN型雙極晶體管的第一電路以及第二電路，第二電路被配置成將NPN型雙極晶體管的端子處的電壓與參考值進行比較，所述參考值基本等于當(dāng)?shù)谝浑娐芬呀?jīng)暴露于閾值量的X射線時會出現(xiàn)的端子電壓的值。會出...

本公開的實施例涉及半導(dǎo)體集成電路部件。本發(fā)明提供了一種集成電路，包括具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底和半導(dǎo)體部件。所述半導(dǎo)體部件包括：掩埋半導(dǎo)體區(qū)域，具有與所述第一導(dǎo)電類型相對的第二導(dǎo)電類型；第一柵極區(qū)域和第二柵極區(qū)域，各自在深度上從所述半...

公開了雙極晶體管及制造方法。雙極晶體管包括集電極區(qū)，該集電極區(qū)具有位于襯底中的第一摻雜部分和覆蓋并與第一摻雜部分的區(qū)域接觸的第二摻雜部分。集電極區(qū)具有摻雜分布，該摻雜分布在第一部分具有峰值，并且從該峰值到第二部分減小。第二部分減小。第二...