本公開涉及電子器件。一種電子器件，包括：襯底，具有第一表面；第一部分，包括襯底的第一表面上的存儲單元陣列，存儲器單元陣列包括多個行和多個列；第二部分，包括多個晶體管；第一多個溝槽，分隔存儲器單元的多個行中的每一行的第一多個襯底區域，第一...

本公開的各實施例涉及橫向雙極晶體管和包括其的電子電路。一種橫向雙極晶體管，包括：發射極區域，摻雜有第一導電類型，具有第一寬度和第一平均摻雜濃度；集電極區域，摻雜有該第一導電類型，具有大于該發射極區域的該第一寬度的第二寬度和低于該第一平均...

本公開涉及填充在半導體襯底中形成的溝槽的方法。實施例提供了一種形成半導體器件的方法。在半導體襯底的溝槽中沉積第一硅層作為非晶層。第二硅層沉積在第一硅層的頂部并且與第一硅層接觸，作為多晶硅層。在沉積第二硅層之后，第一硅層包括平均晶粒尺寸不...

本公開涉及圖像傳感器。本說明書涉及一種形成在半導體襯底內部和頂部上的圖像傳感器，該傳感器包括多個像素，每個像素包括形成在襯底中的光電檢測器，該傳感器包括至少第一和第二二維超穎表面，第一和第二二維超穎表面在所述多個像素前側按此順序堆疊，每...

MOSFET晶體管在半導體層上包括柵極絕緣體和柵極絕緣體上的柵極區域的堆疊。柵極區域具有第一柵極部分以及在第一柵極部分和柵極絕緣體之間的第二柵極部分。第一柵極部分在晶體管的第一橫向方向上具有第一長度。第二柵極部分在第一橫向方向上具有比第...

本公開涉及電子器件制造方法。本說明書涉及一種制造器件的方法，所述器件包括其中形成有存儲器單元陣列的第一部分和其中形成有晶體管的第二部分，所述方法包括：a形成將同一單元行的襯底區域彼此分隔的第一絕緣溝槽，以及b形成將同一單元列的區域彼此分...

本公開涉及包括與硅區接觸的金屬柱的集成電路以及相應的制造方法。集成電路包括至少一個硅區和在歐姆耦合區與至少一個硅區接觸的至少一個金屬柱。所述至少一個金屬柱通過以下步驟形成：在所述至少一個硅區域上沉積鈦層；在鈦層上沉積氮化鈦原子層；以及在...

本公開涉及光電二極管和電子器件。一種光電二極管，包括半導體襯底，具有第一表面和第二表面；其中，所述半導體襯底包括通過外延生長形成的第一N型半導體區域和第二N型半導體區域；其中所述第二N型半導體區域比所述第一N型半導體區域被更重摻雜；其中...

本公開涉及光學傳感器。一種光學傳感器，包括：支撐襯底；第一微透鏡結構，設置在支撐襯底上并且具有彎曲形狀，其中第一微透鏡結構通過間隔件區域彼此分隔；以及第二微透鏡結構，在第一微透鏡結構上方延伸且變形，使得第二微透鏡結構具有與第一微透鏡結構...

一種橫向雙極晶體管，包括：發射極區域，摻雜有第一導電類型，具有第一寬度和第一平均摻雜濃度；集電極區域，摻雜有該第一導電類型，具有大于該發射極區域的該第一寬度的第二寬度和低于該第一平均摻雜濃度的第二平均摻雜濃度；以及基極區域，被定位在該發...

本公開涉及絕緣體上硅類型的半導體器件和相應的制造方法。絕緣體上硅類型的半導體器件包括在載體襯底的P型阱中的NMOS晶體管，在載體襯底的N型阱中的PMOS晶體管，以及被配置為在P型阱和N型阱中產生電壓以便選擇性地向NMOS晶體管和PMOS...

本公開涉及光學漫射器。一種光學漫射器，包括：第一層，具有導電軌道；以及第二層，第一層在第二層上，第二層具有跨第二層的整個厚度延伸的至少兩個導電柱，第二層包括至少一個第一區域，至少一個第一區域位于導電軌道下方并且不包括柱。由此，提供了改進...

本公開涉及微透鏡的制造方法。根據一個實施例，一種用于在支撐襯底上制造光學器件的方法包括：使用第一光刻工藝在所述支撐襯底上形成第一微透鏡結構，使得所述第一微透鏡結構彼此分隔；使所述第一微透鏡結構變形以賦予所述第一微透鏡結構彎曲的形狀，其中...

公開了用于制造光電子設備的方法。在第一支撐體上彼此間隔開的很多第一層的每個第一層上，通過外延生長制造一種光電子設備，其中第一層由第一半導體材料制成，第二層由第二半導體材料制成。在半導體層的堆疊的每個第二層上進一步進行外延生長。每個堆疊包...

本公開涉及集成電路。一種集成電路，包括：半導體襯底；所述半導體襯底中的電有源區域；以及導熱保護結構，所述導熱保護結構圍繞所述電有源區域在所述集成電路的邊界處延伸。由此，提供了改進的集成電路。提供了改進的集成電路。提供了改進的集成電路。

本公開的實施例涉及電子器件。電子器件包括第一電子芯片、第二電子芯片和互連電路。第一電子芯片的第一表面的第一區域通過混合鍵合而被組裝到互連電路的第三表面的第三區域。第二電子芯片的第二表面的第二區域被混合而被組裝到互連電路的第三表面的第四區...

本公開涉及SOI結構上MOS晶體管。一種器件包括有源半導體層，所述有源半導體層位于覆蓋在半導體襯底上的絕緣層頂部上并且與所述絕緣層接觸。所述器件的晶體管包括布置在所述有源半導體層中的源極區、漏極區和本體區。所述晶體管的所述本體區使用穿過...

本公開的實施例涉及電子器件。電子器件包括第一電子芯片、第二電子芯片和互連電路。第一電子芯片的第一表面的第一區域通過混合鍵合而被組裝到互連電路的第三表面的第三區域。第二電子芯片的第二表面的第二區域被混合而被組裝到互連電路的第三表面的第四區...

本公開涉及半導體器件。一種半導體器件，包括：半導體襯底晶片，具有正主面和背主面；第一正層，包括設置在正主面上的第一材料結構，并且第一正層包括設置在第一正層中的第一多個溝槽；第二正層，包括在第一正層之上延伸的第二材料結構，并且第二正層被設...

本公開涉及用于制造半導體器件的方法。根據實施例，一種用于制造半導體器件的方法包括：分別在半導體襯底晶片的正主面和背主面上形成第一材料的第一正層和第一背層；分別在所述第一正層的表面和所述第一背層的表面中形成第一多個溝槽和第二多個溝槽；在所...