本公開的各實施例總體上涉及圖像傳感器。一種圖像傳感器包括像素陣列，其中每個像素形成在襯底的與襯底的其他部分電絕緣的部分中。每個像素包括光電檢測器；傳輸晶體管；以及包括一個或多個晶體管的讀出電路。讀出電路的晶體管形成在該部分的至少一個阱的...

本公開涉及從半導體襯底晶片制造集成電路的方法。集成電路由半導體襯底晶片支撐。每個集成電路包括電有源區域。沿著劃片路徑在各種集成電路的有源區域周圍形成導熱保護結構。保護結構位于集成電路的電有源區域和劃片路徑的激光燒蝕區域之間。集成電路的分...

本公開涉及光電二極管和光電二極管的制造方法。在具有第一表面和第二表面的半導體襯底中形成光電二極管。半導體襯底包括通過外延生長形成的第一N型半導體區域和從第一表面延伸到第一N型半導體區域中的第二N型半導體區域(比第一區域更重摻雜)。第一N...

本公開涉及一種存儲器單元(1)和一種擦除存儲器單元(1)的方法。存儲器單元包括第一導電類型的摻雜阱(100)和晶體管(T)。晶體管(T)包括與第一導電類型相反的第二導電類型的摻雜的第一區域(106)，第一摻雜區域在摻雜阱(100)中延伸...

本公開涉及電子器件。本描述涉及一種針對電子器件在襯底中制造絕緣溝槽的方法，該方法包括以下連續步驟：(a)使用第一絕緣材料填充在襯底中形成的溝槽；(b)在第一材料上沉積第一蝕刻停止層；(c)在第一蝕刻停止層上沉積第二絕緣材料的第二層；(d...

本公開的實施例涉及背照式圖像傳感器。提供了圖像傳感器和制造圖像傳感器的方法。一種這種方法包括形成一種結構，該結構包括從前側延伸到背側的半導體層以及延伸穿過半導體層的電容性絕緣壁。電容性絕緣壁包括被導體或半導體材料的區域分離的第一絕緣壁和...

本公開涉及一種用于產生電子組件的方法。通過該方法在公共襯底上共同地產生至少一個雙極型晶體管和至少一個可變電容二極管。

本公開涉及光電裝置。一種裝置，其包括：第一像素，基于量子點，被配置為遞送用于生成基于事件的圖像的基于事件的數據；以及第二像素，每個第二像素基于量子點，被配置為遞送用于生成光強度圖像的光強度數據。

本公開涉及半導體器件。本說明書涉及一種形成在半導體襯底內部和頂部上的圖像傳感器，該傳感器包括多個像素，每個像素包括形成在襯底中的光電檢測器，該傳感器包括至少第一和第二二維超穎表面，第一和第二二維超穎表面在所述多個像素前側按此順序堆疊，每...

公開了一種電子器件。該電子器件包括雙極晶體管，雙極晶體管包括：雙極晶體管的基極區域，包括：層部分；以及邊緣部分，邊緣部分從層部分的上表面延伸以限定腔體；腔體中的絕緣層部分，與邊緣部分的內側壁接觸；發射極區域，在腔體中并且覆蓋絕緣層部分；...

本公開的一個或多個實施例涉及晶體管、電子器件及射頻開關。晶體管包括：半導體層；堆疊，所述堆疊在所述半導體上，所述堆疊包括柵極絕緣體以及在所述柵極絕緣體上的柵極區域；其中所述柵極區域包括第一部分和第二部分，所述第二部分在所述第一部分與所述...

一種變容二極管，在第一導電類型的摻雜半導體襯底上形成。二極管包括在半導體襯底中的第二導電類型的第一摻雜區域。在第一摻雜區域的部分中的第一導電類型的第二摻雜區域、和在第一摻雜區域的另一部分中的第二導電類型的第三摻雜區域形成二極管的PN結。...

本公開涉及圖像采集設備。一種圖像傳感器包括形成在半導體襯底內部和頂部上的光電檢測像素。互連網絡覆蓋半導體襯底的表面。互連網絡包括通過其下表面與光電檢測像素接觸的導電過孔的層級。導電過孔由摻雜的多晶硅制成，并且在其下表面側具有比在其上表面...

本公開涉及電光調制器及其形成方法。在一個實施例中，電光調制器包括波導，波導具有第一主表面和與第一主表面相對的第二主表面。腔體被設置在波導中。多個量子阱被設置在腔體中。

本描述涉及一種針對電子器件在襯底中制造絕緣溝槽的方法，該方法包括以下連續步驟：(a)使用第一絕緣材料填充在襯底中形成的溝槽；(b)在第一材料上沉積第一蝕刻停止層；(c)在第一蝕刻停止層上沉積第二絕緣材料的第二層；(d)向下蝕刻到蝕刻停止...

本公開提供了電子器件的制造方法。第一晶圓包括第一半導體層和位于第一半導體層的第一表面側上的第一金屬接觸件。第二晶圓包括第二半導體層和位于第二半導體層的第一表面側上的第二金屬接觸件。將柄部接合到第二晶圓的與第二半導體層相對的表面上。然后去...

公開了晶體管制造方法。雙極晶體管通過以下方式制造：形成集電極區域；形成由基極區域的材料制成的第一層和絕緣第二層；形成到達集電極區域的腔體；在該腔體中形成集電極區域的一部分和基極區域的一部分；在該腔體的底部的周邊形成由與絕緣第二層相同的材...

一種電子器件包括覆蓋由摻雜半導體材料制成的第二層的絕緣第一層。形成腔以穿過第一層并到達第二層。絕緣間隔件抵靠腔的側壁形成。第一摻雜半導體區域填充腔。第一摻雜半導體區域具有從第二層開始降低的摻雜濃度。

一種制造電子芯片的方法，包括以下連續的步驟：a)在第二半導體層的頂部上并且與第二半導體層接觸地形成第一層，第二層在第三半導體層的頂部上并且與第三半導體層接觸；b)對第一層進行摻雜，以在第二層上形成第一導電類型的第一摻雜子層以及第二導電類...

本公開涉及光電裝置。一種裝置，其包括：第一像素，基于量子點，被配置為遞送用于生成基于事件的圖像的基于事件的數據；以及第二像素，每個第二像素基于量子點，被配置為遞送用于生成光強度圖像的光強度數據。