本公開的各實施例涉及多光譜圖像傳感器和多光譜傳感器。多光譜圖像傳感器包括半導體層和形成在半導體層內部和之上的多個像素。像素包括形成在半導體層的第一部分的內部和之上的第一類型的第一像素和形成在半導體層的第二部分的內部和之上的第二類型的第二...

本申請涉及多光譜圖像傳感器和多光譜傳感器。多光譜圖像傳感器包括半導體層和形成在半導體層內部和頂部的多個像素。每個像素包括形成在由外圍絕緣壁橫向限定的半導體層的部分中的有源光敏區域。像素包括第一類型的第一像素和第二類型的第二像素。第一像素...

數字電路包括由邏輯門形成的邏輯電路。每個邏輯門包括p溝道MOSFET和n溝道MOSFET。本體偏置發生器電路將n本體偏置電壓施加到p溝道MOSFET的n本體偏置節點，并且將p本體偏置電壓施加到n溝道MOSFET的p本體偏置節點。本體偏置...

本公開涉及電光調制器及其形成方法。在一個實施例中，電光調制器包括波導，波導具有第一主表面和與第一主表面相對的第二主表面。腔體被設置在波導中。多個量子阱被設置在腔體中。

本公開的實施例涉及波導。在一個實施例中，波導包括上游部分、下游部分和上游部分和下游部分之間的中間部分。第一波帶設置在絕緣層上，該第一波帶沿第一方向定向。第一側向條帶和第二側向條帶，設置在第一波帶的任一側，該第一側向條帶和第二側向條帶沿中...

本公開涉及集成全局快門圖像傳感器。在一個實施例中，集成圖像傳感器包括像素陣列，其中每個像素包括：光敏區域，被配置為通過生成電子空穴對以形成代表所生成電子?空穴對中的電子數的第一信號和代表所生成電子?空穴對中的空穴數的第二信號，來集成發光...

本公開的實施例涉及垂直光電二極管和具有垂直光電二極管的光電轉換器。垂直光電二極管包括有源區。用于二極管端子的接觸焊盤遠離有源區橫向移位，以便不位于有源區的上方或下方。有源區由鍺區的本征的下部分和鍺區的用第一導電類型摻雜的上部分而形成在半...

本申請涉及圖像傳感器。多光譜圖像傳感器包括半導體層和形成在半導體層內部和頂部的多個像素。每個像素包括形成在由外圍絕緣壁橫向限定的半導體層的部分中的有源光敏區域。像素包括第一類型的第一像素和第二類型的第二像素。第一像素的半導體層的部分具有...

本公開的各實施例涉及圖像傳感器。多光譜圖像傳感器包括半導體層和形成在半導體層內部和之上的多個像素。像素包括形成在半導體層的第一部分的內部和之上的第一類型的第一像素和形成在半導體層的第二部分的內部和之上的第二類型的第二像素。第一像素具有第...

本公開的實施例涉及包括集成電路和器件。本公開涉及包括一行或多行晶體管的集成電路。在一個實施例中，集成電路包括雙極晶體管行，該雙極晶體管行包括多個第一導電區域、第二導電區域以及共用基極，共用基極位于第一導電區域和第二導電區域之間。絕緣溝槽...

本實用新型的實施例涉及一種光學器件。一種光學波導，其被配置為傳播光信號。金屬通孔被布置為沿著光學波導的一部分的任一側并且在該光學波導的該部分的任一側上。附加金屬通孔被進一步布置為在該光學波導的該部分的上游和下游、沿著光學波導任一側并且在...

本公開的各種實施例涉及光電二極管以及光電轉換器。光電二極管包括由本征鍺形成的有源區域。有源區域位于在硅層中形成的腔內。腔由相對的側壁限定，側壁相對于與硅層的底表面垂直的方向成角度。成角度的側壁支持具有最小晶格缺陷的本征鍺的外延生長。

本公開的實施例涉及光電芯片。本實用新型涉及光電芯片，該光電芯片包括：光學輸入對，其具有相同的通帶，并且每個光學輸入被適配于不同的偏振；至少一個待測試的光子電路；以及被配置成將兩個輸入耦合到待測試的電路的光學耦合裝置。

一種光學波導終端設備，包括波導和圍繞波導的端部部分的金屬過孔。波導的端部部分具有朝向端部部分的遠端減小的橫向截面面積。金屬過孔與同一平面正交，其中該同一平面與橫向截面正交。當光信號通過波導傳播時，金屬過孔吸收源自端部部分的光，并且金屬過...

本申請涉及集成電路。提供一種集成電路，包括襯底，該襯底具有至少一個第一域和與至少一個第一域不同的至少一個第二域。在襯底中僅在至少一個第二域的位置處提供富陷阱區域。至少一個第一域的位置不包括富陷阱區域。由此使得限制影響集成電路的所述域的射...

本公開的實施例涉及光子器件。一種光子器件，包括具有第一摻雜類型的第一區域和具有第二摻雜類型的第二區域，其中第一區域和第二區域接觸以形成垂直PN結。第一區域包括具有漸變鍺濃度的硅鍺(SiGe)區域。

本公開的實施例涉及包括雙極晶體管的集成電路。本公開涉及包括一行或多行晶體管的集成電路和方法。在一個實施例中，集成電路包括雙極晶體管行，該雙極晶體管行包括多個第一導電區域、第二導電區域以及共用基極，共用基極位于第一導電區域和第二導電區域之...

本公開的實施例涉及一種集成電路。雙極結型晶體管包括被掩埋在半導體襯底中在本征集電極區域下方的非本征集電極區域。設置含碳鈍化區域來劃定所述本征集電極區域。本征集電極區域上的絕緣層包括設置有非本征基極區域的開口。半導體層覆蓋絕緣層，與非本征...

本實用新型的實施例涉及電光相位調制器。一種電光相位調制器包括由條帶的堆疊制成的波導。堆疊包括由第一導電類型的摻雜半導體材料制成的第一條帶、由導電材料或第二導電類型的摻雜半導體材料制成的第二條帶、以及由第一導電類型的摻雜半導體材料制成的第...

本公開的實施例涉及光電芯片。光電芯片包括：具有不同的通帶的光學輸入、待測試的光子電路、以及被配置成將所述輸入耦合到待測試的光子電路的光學耦合裝置。