本公開涉及集成在光電子芯片中的光子互連開關和網絡。光子互連基本開關被集成在光電子芯片中。開關包括相交以形成第一交叉點的第一和第二線性光學波導。兩個第一光子重定向環形諧振器分別被耦合到第一和第二光學波導。兩個第二光子重定向環形諧振器分別被...

本公開的實施例涉及具有垂直結構電容元件的集成電路及其制造方法。電容元件包括從第一側垂直延伸到阱中的溝槽。溝槽填充有包覆有絕緣包層的導電中心部分。電容元件還包括：第一導電層，覆蓋位于第一側上的第一絕緣層；以及第二導電層，覆蓋位于第一導電層...

本公開的實施例涉及電子圖像采集裝置。一種電子圖像采集裝置包括第一部分和第二部分。第一部分由襯底晶片形成，該襯底晶片在其一側上設置有電子電路以及具有電連接網絡和在外表面上的外部電接觸的介電層。第二部分包括在光的作用下能夠生成電信號的像素晶...

本公開的實施例涉及體晶體管和SOI晶體管的共同集成。一種電子集成電路芯片包括布置在固態襯底的內部和頂部上的第一晶體管、布置在絕緣體上的具有第一厚度的半導體材料層的內部和頂部上的第二晶體管以及布置在絕緣體上的具有第二厚度的半導體材料層的內...

電子芯片包括：導電焊盤，位于襯底的前側，襯底由半導體材料制成；腔體，從襯底的背側延伸至襯底中，每個腔體到達導電焊盤；導電層，覆蓋腔體的壁和底部并且包括導電層的多個部分，每個部分在背側上延伸在兩個腔體之間，導電層的每個部分局部地位于突起上...

一種相變存儲器包括具有第一部分和第二部分的L形電阻元件，第一部分在相變材料層與導電過孔的上端部之間延伸，第二部分至少部分地位于導電過孔的上端部上并且可以進一步延伸超過導電過孔的外圍邊緣。導電過孔的上部被不可能不利地與電阻元件的金屬材料發...

一種相變存儲器包括具有第一部分和第二部分的L形電阻元件，第一部分在相變材料層與導電過孔的上端部之間延伸，第二部分至少部分地位于導電過孔的上端部上并且可以進一步延伸超過導電過孔的外圍邊緣。導電過孔的上部被不可能不利地與電阻元件的金屬材料發...

垂直晶體管包括在絕緣體層內延伸的柵極導體的兩個部分。通過絕緣體層延伸的開口包括通過外延操作形成的源極區域、溝道區域和漏極區域。柵極導體的部分的厚度在溝道區域附近減小。

本申請涉及集成電路。集成電路包括具有電隔離的半導體阱的半導體襯底。上部溝槽隔離件從半導體阱的正面延伸到距離阱的底部一定距離的深度。兩個附加隔離區域與半導體阱電絕緣，并且沿第一方向在半導體阱的內部延伸，并且從半導體阱的正面垂直延伸到半導體...

本公開涉及垂直量子晶體管。垂直晶體管包括在絕緣體層內延伸的柵極導體的兩個部分。通過絕緣體層延伸的開口包括通過外延操作形成的源極區域、溝道區域和漏極區域。柵極導體的部分的厚度在溝道區域附近減小。

本公開的實施例涉及集成的物理不可克隆功能設備及其制造方法。一種用于物理不可克隆功能的集成設備基于呈現閾值電壓的隨機分布的MOS晶體管集合，這例如起因于通過多晶硅層的注入，閾值電壓由呈現不可預測的特征的摻雜物的橫向注入而獲得。特定數目的這...

本申請涉及具有高動態范圍的圖像傳感器。一種光電二極管響應于暴露于光中而生成光生電荷。積分周期收集這些光生電荷。超過溢出閾值的所收集光生電荷被傳遞至溢出感測節點。剩余的所收集光生電荷被傳遞至感測節點。從該溢出感測節點中讀取表示這些溢出光生...

本發明涉及具有寬帶寬和降低的功率損耗的光耦合設備。光子集成電路包括位于兩個連續互連金屬層之間的光耦合設備。光耦合設備包括第一光學部分，第一光學部分接收具有橫向磁分量和在基模中的橫向電分量的光學信號。第二光學部分將光信號的橫向磁分量轉換成...

本公開涉及連接條電連接集成電路的分開的電路區。連接條由主部形成，該主部是在待互連的分開的電路區上方延伸的導電條帶。導體條帶通過除了位于待互連的電路區處之外的電介質與集成電路分開。連接條還包括作為從電路區到導電條帶的垂直方向上穿過電介質的...

本實用新型涉及光子集成電路。光子集成電路包括位于兩個連續互連金屬層之間的光耦合設備。光耦合設備包括第一光學部分，第一光學部分接收具有橫向磁分量和在基模中的橫向電分量的光學信號。第二光學部分將光信號的橫向磁分量轉換成處于高階模中的轉換的橫...

一種半導體芯片及其半導體系統，該半導體芯片包括疊加的多個半導體級。半導體級包括耦合至公共輸入節點的多個基本電路。感測電路被耦合至不同級的基本元件。感測電路的輸出用于生成數字，該數字用作半導體芯片的標識號。

本申請涉及圖像傳感器像素電路。一種光電二極管響應于暴露于光中而生成光生電荷。積分周期收集這些光生電荷。超過溢出閾值的所收集光生電荷被傳遞至溢出感測節點。剩余的所收集光生電荷被傳遞至感測節點。從該溢出感測節點中讀取表示這些溢出光生電荷的第...

一種半導體芯片，包括疊加的多個半導體級。半導體級包括耦合至公共輸入節點的多個基本電路。感測電路被耦合至不同級的基本元件。感測電路的輸出用于生成數字，該數字用作半導體芯片的標識號。

本實用新型涉及一種圖像傳感器芯片，該圖像傳感器芯片包括：半導體層(3)，該半導體層用于接收在其背面(F2)一側上的照明，并且包括像素矩陣(1)；互連結構(7)，該互連結構被安排在該半導體層(3)的前面(F1)上；載體(21)，該載體被安...

一種圖像傳感器包括第一半導體襯底，該第一半導體襯底支撐光電二極管以及轉移晶體管的源極區。該第一半導體襯底上的第一互連級包括在該第一半導體襯底上的互連電介質層以及在該互連電介質層上方的互連線路層。支撐讀出晶體管的第二半導體襯底安裝在該第一...