一種像素，包括半導體層，該半導體層具有在半導體層中延伸的電荷累積層。晶體管具有向下穿透進入半導體層至第一深度的讀取區。絕緣壁從上表面穿透進入半導體層并且包含連接至電位施加的節點的絕緣導體。絕緣壁至少包括設有向下穿透進入絕緣導體至第二深度...

提供了一種絕緣體上硅類型的襯底和集成電路。該絕緣體上硅類型的襯底，包括半導體膜，該半導體膜在不同襯底區域中具有不同厚度并且存在于本身位于相同載體襯底頂部的相同掩埋絕緣層上。

一種集成電路，包括第一區，包括絕緣體上硅型的襯底，所述絕緣體上硅型的襯底包括在掩埋絕緣層上的半導體膜，所述掩埋絕緣層在載體襯底上；第二區，包括所述載體襯底和所述掩埋絕緣層但是不存在所述半導體膜；第一晶體管，在所述第二區中，包括置于所述載...

本實用新型公開了一種電子器件，具有后板，該后板包括襯底后層、襯底前層以及在襯底后層與襯底前層之間的電介質中間層。電子結構在襯底前層上并且包括電子部件和電氣連接。襯底后層包括實心的局部區域以及空心的局部區域。空心的局部區域在所有的襯底后層...

本公開涉及集成電路。根據本實用新型的用于制造BiCMOS類型的集成電路(CI)的方法包括制造至少一個垂直結場效應晶體管(T1)，其包括形成具有通過光刻控制的有源表面(D)的臨界尺寸的溝道區域(ZC)。

三維集成結構由具有定向在第一方向上的第一部件的第一襯底和具有定向在第二方向上的第二部件的第二襯底形成。互連層級包括在第三方向上行進的導電軌道。第二方向和第三方向之一與第一方向形成非直角并且非零角。由導電軌道中的至少一個導電軌道形成的電鏈...

本發明的各個實施例涉及：在例如在SOI襯底上(尤其是FDSOI襯底上)制造的集成電路的有源區上制造接觸的方法；以及對應的集成電路。集成電路包括有源區，該有源區位于半導體襯底之上。空腔與有源區接界，并且在絕緣區中盡可能遠地延伸到半導體區域...

一種電子器件，具有后板，該后板包括襯底后層、襯底前層以及在襯底后層與襯底前層之間的電介質中間層。電子結構在襯底前層上并且包括電子部件和電氣連接。襯底后層包括實心的局部區域以及空心的局部區域。空心的局部區域在所有的襯底后層上延伸。襯底后層...

本申請涉及集成電路。集成電路包括位于半導體襯底的有源區域之中和之上的MOS晶體管。有源區域由例如淺槽隔離型的絕緣區域界定。晶體管的漏極區域與絕緣區域分離地設置在半導體襯底中。晶體管的絕緣柵極包括與漏極區域對準的中心開口。晶體管的溝道區域...

集成電路，包括SOI類型的襯底(1)，包括位于埋設絕緣層(11)之上的半導體膜(12)，埋設絕緣層自身位于支撐襯底(10)之上，半導體膜(12)包括第一區域(Z1)，在半導體膜(12)的第一區域(Z1)之上的第一圖案(21)形成了第一M...

提供了一種用于形成SOI類型襯底的方法、對應襯底和集成電路。該方法包括從在本身位于載體襯底頂部的掩埋絕緣層頂部上具有半導體膜的絕緣體上硅類型的初始襯底形成絕緣體上硅類型的襯底。進行對半導體膜的厚度的局部修改，以形成在不同區域中具有不同厚...

一種集成電路包括用于第一晶體管的第一區和用于第二晶體管的第二區。晶體管由包括在掩埋絕緣層上的半導體膜的絕緣體上硅型的襯底支撐，所述掩埋絕緣層在載體襯底上。在第二區中，半導體膜已經被去除。在第二區中的第二晶體管包括置于所述載體襯底上的、由...

本實用新型的實施方式涉及電光器件。該電光(E/O)器件包括：具有輸入以及第一和第二輸出的第一非對稱光耦合器；耦合到第一非對稱光耦合器的第一輸出的第一光波導臂；以及耦合到第一非對稱光耦合器的第二輸出的第二光波導臂。至少一個E/O調幅器耦合...

本公開涉及一種集成電路，包括SOI類型的襯底，包括位于埋設絕緣層之上的半導體膜，所述埋設絕緣層自身位于支撐襯底之上，所述半導體膜包括第一區域，位于所述半導體膜的第一區域之上的形成第一MOS晶體管的柵極區域和第一虛設柵極區域的第一圖案，所...

本公開的實施方式涉及一種彩色圖像傳感器及其制造方法，該彩色圖像傳感器包括形成在半導體層中的像素的陣列，半導體層具有接收照射的后側。隔離的導電壁從半導體層的后側穿入半導體層并且將像素彼此分離。對于每個像素，彩色像素從半導體層的后側穿入半導...

一種背照射集成成像設備，由包括由電容性深溝槽隔離界定的像素區的半導體襯底形成。外圍區位于所述像素區外側。連續導電層在所述像素區中形成在針對每個電容性深溝槽隔離的溝槽中的電極并且在所述外圍區中形成用于將所述電極電耦合到偏置接觸焊盤的重新分...

一種背照射集成成像設備，由包括由電容性深溝槽隔離界定的像素區的半導體襯底形成。外圍區位于所述像素區外側。連續導電層在所述像素區中形成在針對每個電容性深溝槽隔離的溝槽中的電極并且在所述外圍區中形成用于將所述電極電耦合到偏置接觸焊盤的重新分...

本公開涉及一種熱電發生器和集成電路，熱電發生器包括半導體隔膜，所述半導體隔膜包含至少一個PN結，所述至少一個PN結懸置在被設計用于耦合至冷的熱源的第一支座與被設計用于耦合至熱的熱源的第二支座之間。

本發明提供一種天線電路，包括：被調諧至第一基波頻率(f1)的第一天線(a1)；被調諧至與第一基波頻率不同的第二基波頻率(f2)的第二天線(a2)；第一濾波器(LP1)，具有連接至第一天線的第一端子，并且被配置為衰減在由第一基波頻率或者其...