本發明涉及用于集成電路本體偏置的方法和電路，例如，一種集成電路，包括：多個電路域(102，104，106，108)，每個電路域包括：多個晶體管器件，這些晶體管器件定位在p型阱和n型阱(P，N)之上，這些晶體管器件限定該電路域的一個或多個...

一種測試電路(19)，包括用于測量時間間隔的電荷保持電路級(1)，電荷保持電路級設置有：存儲電容器(2)，連接在第一偏置端子(3a)與浮置節點(4)之間；以及放電元件(6)，連接在浮置節點(4)與參考端子(7)之間，用于通過穿過對應的電...

本公開的實施例涉及集成電路。一種用于物理不可克隆功能的集成設備基于呈現閾值電壓的隨機分布的MOS晶體管集合，這例如起因于通過多晶硅層的注入，閾值電壓由呈現不可預測的特征的摻雜物的橫向注入而獲得。特定數目的這些晶體管形成一組量規晶體管，其...

本實用新型涉及一種集成電路，包括：多個電路域(102，104，106，108)，每個電路域包括：多個晶體管器件，這些晶體管器件定位在p型阱和n型阱(P，N)之上，這些晶體管器件限定該電路域的一個或多個數據路徑；監測電路(116)，該監測...

本公開涉及一種背照式圖像傳感器，包括形成于半導體晶圓中的存儲器區域，每個存儲器區域位于兩個不透明壁之間，這兩個不透明壁延伸到該晶圓中并與安排在該存儲器區域的后表面處的不透明屏幕接觸。

本實用新型的實施例涉及集成圖像傳感器和電子系統。一種具有背面照度的集成圖像傳感器，該集成圖像傳感器包括至少一個像素(PIX)，該至少一個像素包括有源半導體區域(1)和聚光透鏡(L)，該有源半導體區域具有第一面(10)和第二面(11)并且...

本公開涉及包含連接條的裝置，該連接條電連接集成電路的分開的電路區。連接條由主部形成，該主部是在待互連的分開的電路區上方延伸的導電條帶。導體條帶通過除了位于待互連的電路區處之外的電介質與集成電路分開。連接條還包括作為從電路區到導電條帶的垂...

本公開涉及一種背照式圖像傳感器，包括形成于半導體晶圓中的存儲器區域，每個存儲器區域位于兩個不透明壁之間，這兩個不透明壁延伸到該晶圓中并與安排在該存儲器區域的后表面處的不透明屏幕接觸。

公開了被增強免受前側攻擊的集成電路芯片。一種集成電路芯片，該集成電路芯片包括互連堆疊，該互連堆疊具有形成于其中的空腔，該空腔至少填充有一種第一材料，該第一材料的拋光選擇性和/或蝕刻選擇性與形成該互連堆疊的材料的拋光選擇性和/或蝕刻選擇性...

一種具有背面照度的集成圖像傳感器，該集成圖像傳感器包括至少一個像素(PIX)，該至少一個像素包括有源半導體區域(1)和聚光透鏡(L)，該有源半導體區域具有第一面(10)和第二面(11)并且包含光電二極管(3)，該聚光透鏡位于該有源區域(...

本申請涉及包括MOS晶體管的集成電路及其制造方法。一種包括FDSOI型MOS晶體管的集成電路包括形成在位于絕緣層上的半導體層的內部和頂部上的至少一個第一類型的邏輯MOS晶體管、至少一個第二類型的邏輯MOS晶體管以及至少一個該第一類型的模...

第一半導體襯底層支撐第一晶體管，該第一晶體管包括由該襯底層的摻雜區域形成的第一源漏。第二半導體襯底層支撐第二晶體管，該第二晶體管包括由該襯底層的摻雜區域形成的第二源漏。該第二半導體襯底層被疊置于該第一半導體襯底層之上并且通過絕緣層與該第...

第一半導體襯底層支撐第一晶體管，該第一晶體管包括由該襯底層的摻雜區域形成的第一源漏。第二半導體襯底層支撐第二晶體管，該第二晶體管包括由該襯底層的摻雜區域形成的第二源漏。該第二半導體襯底層被疊置于該第一半導體襯底層之上并且通過絕緣層與該第...

本公開涉及被保護免受后面攻擊的芯片，例如，本公開涉及一種半導體芯片，該半導體芯片包括從前面到背面穿過該芯片的至少兩個絕緣通孔(8)，其中，在該后面側上，這些通孔連接至同一導電帶(12)并且在該前面側上，每個通孔通過電介質層(6)與導電焊...

一種存儲元件，包括：在兩個節點之間首尾耦合的兩個CMOS反相器；以及連接在所述節點之間作為電容器的一個MOS晶體管。

本公開涉及一種半導體芯片，該半導體芯片包括從前面到背面穿過該芯片的至少兩個絕緣通孔(8)，其中，在該后面側上，這些通孔連接至同一導電帶(12)并且在該前面側上，每個通孔通過電介質層(6)與導電焊盤(3，4)分離開。

一種集成電路芯片，該集成電路芯片包括互連堆疊，該互連堆疊具有形成于其中的空腔，該空腔至少填充有一種第一材料，該第一材料的拋光選擇性和/或蝕刻選擇性與形成該互連堆疊的材料的拋光選擇性和/或蝕刻選擇性相差超過10％。

方法包括：接收光學輸入信號(2)；根據具有已知實值的分離系數(K)將來自該輸入信號的中間信號分離成至少一個第一子信號(21)和第二子信號(22)；將所述至少一個第一子信號(21)遞送到至少一個第一光子電路(C1)，該至少一個第一光子電路...

一種與制造NPN、NMOS、和PMOS晶體管并行地制造PNP晶體管的方法，該PNP雙極晶體管制造方法包括以下連續步驟：在P型摻雜半導體襯底上沉積第一半導體層，該第一半導體層被劃分為第一、第二和第三區域；向該襯底中深注入絕緣阱；在所述第二...

本公開的實施例涉及一種具有由摻雜半導體材料制成的互連的堆疊圖像傳感器。該圖像傳感器包括第一半導體襯底，該第一半導體襯底支撐光電二極管以及轉移晶體管的源極區。該第一半導體襯底上的第一互連級包括在該第一半導體襯底上的互連電介質層以及在該互連...