半導體結構制造技術

本實用新型專利技術是有關于一種半導體結構，其包含一個基板以及多個混成凸塊，該基板具有多個凸塊下金屬層，所述混成凸塊形成于所述凸塊下金屬層上，各該混成凸塊具有承載部及導接部，該導接部具有第一接合層及第二接合層，各該承載部具有承載面,各該承載面具有第一區及第二區，各該第一接合層覆蓋各該承載面的該第一區且連接該承載部，各該第一接合層具有頂面及環壁，所述第二接合層覆蓋所述第一接合層的所述頂面及所述環壁。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術是有關于ー種半導體結構，特別是有關于ー種凸塊具有保護層的半導體結構。
技術介紹
現有習知半導體封裝結構能夠借由焊料使芯片的凸塊與另一基板的連接墊電性接合，然而當電子產品體積越來越小時，芯片上的凸塊間距相對也越來越小，于此情形下，焊料在回焊時容易溢流至鄰近凸塊而產生短路的情形，導致產品良率不佳。由此可見，上述現有的半導體封裝結構在結構與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一歩改進。因此如何能創設ー種新型結構的半導體結構，亦成為當前業界 極需改進的目標。有鑒于上述現有的半導體封裝結構存在的缺陷，本專利技術人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識，并配合學理的運用，積極加以研究創新，以期創設ー種新型結構的半導體結構，能夠改進一般現有的半導體封裝結構，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，并經過反復試作樣品及改進后，終于創設出確具實用價值的本技術。
技術實現思路
本技術的目的在于，克服現有的半導體封裝結構存在的缺陷，而提供ー種新型結構的半導體結構，所要解決的技術問題是使其在于提供一種半導體結構，由于各該混成凸塊具有該承載部，因此各該第二接合層能夠被限位于各該承載面的該第二區以提升電性連接可靠度，此外若所述混成凸塊含有銅，所述第二接合層亦具有防止所述混成凸塊氧化的功效。本技術的目的及解決其技術問題是采用以下的技術方案來實現的。依據本技術提出的一種半導體結構，其中至少包含ー個基板，其具有表面及多個形成于該表面的凸塊下金屬層；以及多個混成凸塊，其形成于所述凸塊下金屬層上，各該混成凸塊具有承載部及導接部，該導接部具有第一接合層及第二接合層，各該承載部具有承載面，各該承載面具有第一區及第ニ區，各該第一接合層覆蓋各該承載面的該第一區且連接該承載部，各該第一接合層具有頂面及環壁，所述第二接合層覆蓋所述第一接合層的所述頂面及所述環壁，且各該承載部具有第一厚度，各該第一接合層具有第二厚度。本技術的目的以及解決其技術問題還可以采用以下的技術措施來進ー步實現。前述的半導體結構，其特征在于各該第二接合層限位于各該承載面的該第二區。前述的半導體結構，其特征在于該第二厚度大于該第一厚度。前述的半導體結構，其特征在于所述承載部的材質能夠選自于金、鎳或銅。前述的半導體結構，其特征在于所述第一接合層的材質能夠選自于金、鎳或銅。前述的半導體結構，其特征在于所述凸塊下金屬層的材質能夠選自于鈦-銅、鈦媽-銅或鈦鶴-金。本技術與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上
技術實現思路
可知，為達到上述目的，本技術提供了ー種包含ー個基板以及多個混成凸塊，該基板具有表面及多個形成于該表面的凸塊下金屬層，所述混成凸塊形成于所述凸塊下金屬層上，各該混成凸塊具有承載部及導接部，該導接部具有第一接合層及第二接合層，各該承載部具有承載面，各該承載面具有第一區及第ニ區，各該第一接合層覆蓋各該承載面的該第一區且連接該承載部，各該第一接合層具有頂面及環壁，所述第二接合層覆蓋所述第一接合層的所述頂面及所述環壁，且各該承載部具有第一厚度，各該第一接合層具有第二厚度。借由上述技術方案，本技術半導體結構至少具有下列優點及有益效果由于各該混成凸塊具有該承載部，因此各該第二接合層能夠被限位于各該承載面的該第二區以提升電性連接可靠度，此外若所述混成凸塊含有銅，所述第二接合層亦具有防止所述混成凸塊氧化的功效。·上述說明僅是本技術技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本技術的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本技術的上述和其它目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。附圖說明圖1是依據本技術的一較佳實施例，一種半導體エ藝的流程圖。圖2A至圖2J是依據本技術的一較佳實施例，該半導體エ藝的截面示意圖。100 :半導體結構110:基板111 :表面112:凸塊下金屬層120:混成凸塊 121:承載部121a :承載面121b :第一區121c :第二區122 :導接部122a :第一接合層122b :第二接合層122c :頂面122d :環壁200 :金屬層210 :第一金屬層211 :第一基底區212 :第一外側區220 :第二金屬層221 :第二基底區222 :第二外側區H1 :第一厚度 H2 :第二厚度01:第一開ロ 02:第二開ロP1 :第一光刻膠層P2 :第二光刻膠層具體實施方式為更進一步闡述本技術為達成預定專利技術目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本技術提出的半導體結構其具體實施方式、結構、特征及其功效，詳細說明如后。請參閱圖1及圖2A至圖2J，其本技術的一較佳實施例，一種半導體エ藝包含下列步驟首先，請參閱圖1及圖2A，提供ー個基板110，該基板110具有表面111及形成于該表面111的金屬層200,該金屬層200包含有第一金屬層210及第ニ金屬層220,該第一金屬層210具有多個第一基底區211及多個位于第一基底區211外側的第一外側區212，該第二金屬層220具有多個第二基底區221及多個位于第二基底區221外側的第二外側區222 ;接著，請參閱圖1及圖2B，形成第一光刻膠層P1于該金屬層200，該第一光刻膠層P1具有多個第一開01 ;之后，請參閱圖1及圖2C，形成多個承載部121于所述第一開ロ 01，所述承載部121的材質能夠選自于金、鎳或銅；接著，請參閱圖1及圖2D，移除該第一光刻膠層P1以顯露出所述承載部121，各該承載部121具有承載面121a，各該承載面121a具有第一區121b及第ニ區121c。之后，請參閱圖1及圖2E，形成第二光刻膠層P2于該金屬層200，且該第二光刻膠層P2覆蓋所述承載部121，該第二光刻膠層P2具有多個第二開ロ 02且所述第二開ロ 02顯露所述承載面121a的所述第一區121b ;接著，請參閱圖1及圖2F，形成多個導接部122于所述第二開ロ 02，各該導接部122具有第一接合層122a及第ニ接合層122b，所述第一接合層122a的材質能夠選自于金、鎳或銅，所述第二接合層122b的材質能夠為焊料，所述第一接合層122a覆蓋所述承載面121a的所述第一區121b，且各該第一接合層122a連接各該承載部121，在本實施例中，各該第一接合層122a具有頂面122c及環壁122d，各該第二接合層122b覆蓋各該第一接合層122a的該頂面122c ;之后，請參閱圖1及圖2G，移除該第ニ光刻膠層P2以顯露出所述導接部122及所述承載部121，各該承載部121具有第一厚度H1，各該第一接合層122a具有第二厚度H2，該第二厚度H2大于該第一厚度H1。接著，請參閱圖1及圖2H，移除該第一金屬層210的所述第一外側區212以顯露出該第二金屬層220的所述第二外側區222 ;之后，請參閱圖1及圖21，回焊所述導接部122的所述第二接合層122b，以使所述第二接合層122b覆蓋所述第一接合層122a的所述環壁122d以形成多個混成凸塊120，各該第二接合層122b限位于各該承載面121a的該第二區121c ;最后，請參閱圖1及圖2J，移除該第二金屬層220的所述第二外側區222，以使該第一金屬層210本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體結構，其特征在于至少包含：?一個基板，其具有表面及多個形成于該表面的凸塊下金屬層；以及?多個混成凸塊，其形成于所述凸塊下金屬層上，各該混成凸塊具有承載部及導接部，該導接部具有第一接合層及第二接合層，各該承載部具有承載面，各該承載面具有第一區及第二區，各該第一接合層覆蓋各該承載面的該第一區且連接該承載部，各該第一接合層具有頂面及環壁，所述第二接合層覆蓋所述第一接合層的所述頂面及所述環壁，且各該承載部具有第一厚度，各該第一接合層具有第二厚度。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭志明，何榮華，林恭安，陳昇暉，
申請(專利權)人：頎邦科技股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：