高靈敏的表面增強(qiáng)拉曼傳感芯片制作方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種高靈敏的表面增強(qiáng)拉曼傳感芯片制作方法，包括如下步驟：1）對基片進(jìn)行親水處理；2）選擇大小均一的介質(zhì)納米球乳膠溶液，利用旋涂法或提拉法在親水處理后的基片上自組裝單層緊密排列的介質(zhì)納米球陣列；3）利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)對步驟2）所得到的介質(zhì)納米球陣列進(jìn)行刻蝕；4）在步驟3）所得到的刻蝕后的介質(zhì)納米球陣列上，鍍上金屬膜，鍍膜厚度小于步驟3）中的刻蝕厚度，即獲得高靈敏的表面增強(qiáng)拉曼傳感芯片。本發(fā)明專利技術(shù)解決了現(xiàn)有表面增強(qiáng)拉曼傳感芯片物理光刻與化學(xué)合成制備方法獲得的芯片的重復(fù)性、均一性與靈敏度之間不可兼得的矛盾，制備了靈敏度高且重復(fù)性、均一性好的表面增強(qiáng)拉曼芯片。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種高靈敏的表面增強(qiáng)拉曼傳感芯片制作方法，其特征在于：包括如下步驟：1）對基片進(jìn)行親水處理；2）選擇大小均一的介質(zhì)納米球乳膠溶液，利用旋涂法或提拉法在親水處理后的基片上自組裝單層緊密排列的介質(zhì)納米球陣列；3）利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)對步驟2）所得到的介質(zhì)納米球陣列進(jìn)行刻蝕；4）在步驟3）所得到的刻蝕后的介質(zhì)納米球陣列上，鍍上金屬膜，鍍膜厚度小于步驟3）中的刻蝕厚度，即獲得高靈敏的表面增強(qiáng)拉曼傳感芯片。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：夏良平，楊正，尹韶云，杜春雷，史浩飛，
申請(專利權(quán))人：重慶綠色智能技術(shù)研究院，
類型：發(fā)明
國別省市：