【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種釋放MEMS懸橋結構的刻蝕方法，其特征在于：其包括以下步驟：先采用SF6和C4F8交替刻蝕與保護的各向異性刻蝕工藝對設置有MEMS懸橋結構的圓片進行刻蝕，進而在圓片上得到若干獨立的基本垂直的相鄰溝槽；再采用SF6與O2混合的各向同性刻蝕工藝，將所述相鄰溝槽連通，從而在圓片上獲得MEMS懸橋結構的釋放空間。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐乃濤，
申請(專利權)人：美新半導體無錫有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。