溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明涉及一種釋放MEMS懸橋結構的刻蝕方法，其包括以下步驟：先采用SF6和C4F8交替刻蝕與保護的各向異性刻蝕工藝對設置有MEMS懸橋結構的圓片進行刻蝕，進而在圓片上得到若干獨立的基本垂直的相鄰溝槽；再采用SF6與O2混合的各向同性刻蝕工...該專利屬于美新半導體（無錫）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過美新半導體（無錫）有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明涉及一種釋放MEMS懸橋結構的刻蝕方法，其包括以下步驟：先采用SF6和C4F8交替刻蝕與保護的各向異性刻蝕工藝對設置有MEMS懸橋結構的圓片進行刻蝕，進而在圓片上得到若干獨立的基本垂直的相鄰溝槽；再采用SF6與O2混合的各向同性刻蝕工...