【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種可揭除保護層的多級金屬微納結構陣列SERS活性基底的制備方法,其步驟如下:1)多級微納結構陣列陽極氧化鋁模板的制備(1)鋁片預處理:將厚度為0.2~0.4mm的鋁片在氮氣保護、450~550℃溫度條件下退火處理4~5小時除去鋁片應力,隨后在丙酮中超聲30~60min去除表面油脂,干燥處理后對其進行電化學拋光;(2)鋁片的圖案化預制:將排列成六方密堆積結構微納球單層膜通過提撈的方法轉移到步驟(1)處理好的鋁片表面;然后使用離子束刻蝕的方法使微納球的體積減小20%~40%,再在微納球表面真空蒸鍍一層厚45~80nm的鋁膜;然后將鋁片在乙醇與水的混合溶液中超聲處理1~3min,將微納球去除,即得到圖案化的鋁基底;(3)以步驟(2)得到的圖案化的鋁基底為陽極,惰性材料為陰極,磷酸為電解液,溫度為0~4℃,氧化電壓為50V~125V,采用一次陽極氧化的方法制備氧化鋁陽極模板;再將得到的氧化鋁陽極模板經過磷酸擴孔處理后,即制備得到復式周期的多級微納結構陣列陽極氧化鋁模板;2)金屬的沉積將Au或Ag沉積在步驟1)得到的陽極氧化鋁模板表面,沉積速度為0.1~0.3nm/s,得到的多級微納結構陣列的 ...
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:徐蔚青,王馨楠,徐抒平,趙冰,周向華,李海波,叢明,王昱楊,
申請(專利權)人:吉林大學,
類型:發明
國別省市:
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。