本公開的各實(shí)施例總體上涉及圖像傳感器。一種圖像傳感器包括像素陣列，其中每個(gè)像素形成在襯底的與襯底的其他部分電絕緣的部分中。每個(gè)像素包括光電檢測(cè)器；傳輸晶體管；以及包括一個(gè)或多個(gè)晶體管的讀出電路。讀出電路的晶體管形成在該部分的至少一個(gè)阱的...

本公開涉及從半導(dǎo)體襯底晶片制造集成電路的方法。集成電路由半導(dǎo)體襯底晶片支撐。每個(gè)集成電路包括電有源區(qū)域。沿著劃片路徑在各種集成電路的有源區(qū)域周圍形成導(dǎo)熱保護(hù)結(jié)構(gòu)。保護(hù)結(jié)構(gòu)位于集成電路的電有源區(qū)域和劃片路徑的激光燒蝕區(qū)域之間。集成電路的分...

本公開涉及光電二極管和光電二極管的制造方法。在具有第一表面和第二表面的半導(dǎo)體襯底中形成光電二極管。半導(dǎo)體襯底包括通過外延生長(zhǎng)形成的第一N型半導(dǎo)體區(qū)域和從第一表面延伸到第一N型半導(dǎo)體區(qū)域中的第二N型半導(dǎo)體區(qū)域(比第一區(qū)域更重?fù)诫s)。第一N...

本公開涉及一種存儲(chǔ)器單元(1)和一種擦除存儲(chǔ)器單元(1)的方法。存儲(chǔ)器單元包括第一導(dǎo)電類型的摻雜阱(100)和晶體管(T)。晶體管(T)包括與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的摻雜的第一區(qū)域(106)，第一摻雜區(qū)域在摻雜阱(100)中延伸...

本公開涉及電子器件。本描述涉及一種針對(duì)電子器件在襯底中制造絕緣溝槽的方法，該方法包括以下連續(xù)步驟：(a)使用第一絕緣材料填充在襯底中形成的溝槽；(b)在第一材料上沉積第一蝕刻停止層；(c)在第一蝕刻停止層上沉積第二絕緣材料的第二層；(d...

本公開的實(shí)施例涉及背照式圖像傳感器。提供了圖像傳感器和制造圖像傳感器的方法。一種這種方法包括形成一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括從前側(cè)延伸到背側(cè)的半導(dǎo)體層以及延伸穿過半導(dǎo)體層的電容性絕緣壁。電容性絕緣壁包括被導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料的區(qū)域分離的第一絕緣壁和...

本公開涉及一種用于產(chǎn)生電子組件的方法。通過該方法在公共襯底上共同地產(chǎn)生至少一個(gè)雙極型晶體管和至少一個(gè)可變電容二極管。

本公開涉及光電裝置。一種裝置，其包括：第一像素，基于量子點(diǎn)，被配置為遞送用于生成基于事件的圖像的基于事件的數(shù)據(jù)；以及第二像素，每個(gè)第二像素基于量子點(diǎn)，被配置為遞送用于生成光強(qiáng)度圖像的光強(qiáng)度數(shù)據(jù)。

本公開涉及半導(dǎo)體器件。本說明書涉及一種形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)部和頂部上的圖像傳感器，該傳感器包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括形成在襯底中的光電檢測(cè)器，該傳感器包括至少第一和第二二維超穎表面，第一和第二二維超穎表面在所述多個(gè)像素前側(cè)按此順序堆疊，每...

公開了一種電子器件。該電子器件包括雙極晶體管，雙極晶體管包括：雙極晶體管的基極區(qū)域，包括：層部分；以及邊緣部分，邊緣部分從層部分的上表面延伸以限定腔體；腔體中的絕緣層部分，與邊緣部分的內(nèi)側(cè)壁接觸；發(fā)射極區(qū)域，在腔體中并且覆蓋絕緣層部分；...

本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及晶體管、電子器件及射頻開關(guān)。晶體管包括：半導(dǎo)體層；堆疊，所述堆疊在所述半導(dǎo)體上，所述堆疊包括柵極絕緣體以及在所述柵極絕緣體上的柵極區(qū)域；其中所述柵極區(qū)域包括第一部分和第二部分，所述第二部分在所述第一部分與所述...

一種變?nèi)荻O管，在第一導(dǎo)電類型的摻雜半導(dǎo)體襯底上形成。二極管包括在半導(dǎo)體襯底中的第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)域。在第一摻雜區(qū)域的部分中的第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)域、和在第一摻雜區(qū)域的另一部分中的第二導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)域形成二極管的PN結(jié)。...

本公開涉及圖像采集設(shè)備。一種圖像傳感器包括形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)部和頂部上的光電檢測(cè)像素。互連網(wǎng)絡(luò)覆蓋半導(dǎo)體襯底的表面。互連網(wǎng)絡(luò)包括通過其下表面與光電檢測(cè)像素接觸的導(dǎo)電過孔的層級(jí)。導(dǎo)電過孔由摻雜的多晶硅制成，并且在其下表面?zhèn)染哂斜仍谄渖媳砻?..

本公開涉及電光調(diào)制器及其形成方法。在一個(gè)實(shí)施例中，電光調(diào)制器包括波導(dǎo)，波導(dǎo)具有第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面。腔體被設(shè)置在波導(dǎo)中。多個(gè)量子阱被設(shè)置在腔體中。

本描述涉及一種針對(duì)電子器件在襯底中制造絕緣溝槽的方法，該方法包括以下連續(xù)步驟：(a)使用第一絕緣材料填充在襯底中形成的溝槽；(b)在第一材料上沉積第一蝕刻停止層；(c)在第一蝕刻停止層上沉積第二絕緣材料的第二層；(d)向下蝕刻到蝕刻停止...

本公開提供了電子器件的制造方法。第一晶圓包括第一半導(dǎo)體層和位于第一半導(dǎo)體層的第一表面?zhèn)壬系牡谝唤饘俳佑|件。第二晶圓包括第二半導(dǎo)體層和位于第二半導(dǎo)體層的第一表面?zhèn)壬系牡诙饘俳佑|件。將柄部接合到第二晶圓的與第二半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上。然后去...

公開了晶體管制造方法。雙極晶體管通過以下方式制造：形成集電極區(qū)域；形成由基極區(qū)域的材料制成的第一層和絕緣第二層；形成到達(dá)集電極區(qū)域的腔體；在該腔體中形成集電極區(qū)域的一部分和基極區(qū)域的一部分；在該腔體的底部的周邊形成由與絕緣第二層相同的材...

一種電子器件包括覆蓋由摻雜半導(dǎo)體材料制成的第二層的絕緣第一層。形成腔以穿過第一層并到達(dá)第二層。絕緣間隔件抵靠腔的側(cè)壁形成。第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)域填充腔。第一摻雜半導(dǎo)體區(qū)域具有從第二層開始降低的摻雜濃度。

一種制造電子芯片的方法，包括以下連續(xù)的步驟：a)在第二半導(dǎo)體層的頂部上并且與第二半導(dǎo)體層接觸地形成第一層，第二層在第三半導(dǎo)體層的頂部上并且與第三半導(dǎo)體層接觸；b)對(duì)第一層進(jìn)行摻雜，以在第二層上形成第一導(dǎo)電類型的第一摻雜子層以及第二導(dǎo)電類...

本公開涉及光電裝置。一種裝置，其包括：第一像素，基于量子點(diǎn)，被配置為遞送用于生成基于事件的圖像的基于事件的數(shù)據(jù)；以及第二像素，每個(gè)第二像素基于量子點(diǎn)，被配置為遞送用于生成光強(qiáng)度圖像的光強(qiáng)度數(shù)據(jù)。