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本發明公開了一種全面式硅外延工藝光刻對準標記的制作方法，包括步驟：1）在硅襯底上依次生長第一、第二介質膜；其中，第一介質膜為能夠阻擋硅晶體生長的膜層；第二介質膜為能夠阻擋第一介質膜在其表面生長的膜層；2）刻蝕出光刻對準窗口和光刻對準溝槽...

本發明公開了一種TVS器件，利用在外延層中刻蝕溝槽并填入本征多晶硅及重摻雜的多晶硅以引出電極，使其耗盡區寬度增大，電容減小。本發明還公開了所述TVS器件的制造方法。

本發明公開了一種MOS靜電保護器件，包括：P型襯底上形成有P型阱，所述P型阱中形成有第一P+擴散區用作襯底接出，所述P型阱形成有第一N+擴散區構成靜電保護器件的源極，所述P型阱中形成有一N型阱，所述N型阱中形成有分開的第二N+擴散區和第...

本發明公開了一種溝槽型柵極，其是在傳統的屏蔽柵處通過離子注入形成一個PN結，以獲得更低的柵極電容，實現器件開關速度的提高和損耗的降低。本發明還公開了所述溝槽型柵極的制造方法。

本發明公開了一種柵極結構，由依次形成于是硅襯底表面的柵極氧化層、柵極多晶硅或無定形硅、金屬硅化物導電層以及頂部刻蝕阻擋層疊加而成，在柵極結構的側面上形成有側壁刻蝕阻擋層；器件的源漏區通過自對準接觸孔引出，通過頂部刻蝕阻擋層和側壁刻蝕阻擋...

本發明公開了一種提高高壓LDMOS器件擊穿電壓的結構，所述LDMOS器件的硅襯底上形成由深阱構成的漂移區；深阱中形成有場氧化層，場氧化層下方形成有一埋層，靠近漏區的一側場氧化層上形成有漏區多晶場板，另一側形成有柵極多晶場板；硅襯底中形成...

本申請公開了一種具有自對準接觸孔與硅化物的器件，自對準接觸孔的底部直接與硅接觸，常規接觸孔底部直接與硅化物接觸。其制造方法為：在硅片上劃分出采用自對準接觸孔刻蝕工藝的第一區域和不采用自對準接觸孔刻蝕工藝的第二區域。在硅片上淀積用于形成硅...

本發明公開了一種平面柵型MOS管及其制造方法，包括：N型外延層或N型硅襯底中形成的P阱，P阱一側的N型外延層或N型硅襯底中形成有N+注入層，P阱上部并列排布有多個彼此串聯的MOS結構；所述MOS結構包括：形成在所述P阱上的柵氧化層，柵氧...

本發明公開了一種集成過流保護的MOSFET，內置了NPN型晶體管和源極電阻，該器件在流過源端的電流超過額定值時，NPN型晶體管會自動調節MOSFET柵端電壓，從而使器件的源端電流回到正常水平，具有過流的自我保護功能。本發明還公開了所述集...

本發明公開了一種靜電保護結構，包括：N+/P阱二極管和多晶硅二極管；N+/P阱二極管其P阱通過P+擴散區連接地電位,其N+擴散區通過金屬連線與多晶硅二極管的矩形P+擴散區相連；多晶硅二極管包括：形成在P-多晶硅襯底上的兩個P+擴散區和兩...

本發明公開了一種硅片的鍵合方法，包括步驟：提供一載片并對載片進行清洗；在載片表面上進行鍵合膠水旋涂；對鍵合膠水進行去邊處理；將硅片和載片進行鍵合，鍵合后要求保證鍵合膠水都位于硅片所覆蓋區域的內側。本發明通過在硅片和載片的鍵合之前，對鍵合...

本發明公開了一種EEPROM存儲單元的制造方法，在場氧形成后，直接生長高壓氧化層,在隧道區域光刻定義隧道區窗口，以高壓氧化層作為隧道區離子注入的阻擋層進行離子注入，然后進行自對準的隧道區窗口濕法刻蝕,然后生長隧道氧化層。由于高壓氧化層經...

本發明公開了一種肖特基通孔的制作工藝方法，包括步驟：1）肖特基通孔的刻蝕；2）在肖特基通孔的兩側、內壁以及底部形成第一層阻擋層；3）在第一層阻擋層之上形成金屬層；4）在金屬層之上，形成第二層阻擋層；5）金屬鎢填充肖特基通孔；6）回刻金屬...

本發明公開了一種抑制淺溝槽隔離工藝中雙峰效應的方法，包括步驟：依次形成硬質掩模層；定義有源區并將有源區外部的硬質掩模層去除；進行離子注入將離子注入到有源區周側的硅襯底中；進行熱推阱將離子從有源區外部擴散到有源區的邊緣區域中；進行淺溝槽刻...

本發明公開了一種抑制淺溝槽隔離工藝中反向窄溝道效應的方法,包括步驟：依次形成第一層二氧化硅和第二層氮化硅；定義有源區并將有源區外部的硬質掩模層去除；進行淺溝槽刻蝕；在淺溝槽的表面形成第三氧化層；采用濕法腐蝕工藝對第二層氮化硅進行刻蝕，將...

本發明公開了一種深溝槽填充方法，包括步驟：在襯底上形成深溝槽；對襯底表面進行表面預處理；對襯底進行加熱處理；在襯底表面噴吐純水進行預浸潤；在襯底表面形成第一層光刻膠；對第一層光刻膠進行熱回流。本發明通過在襯底表面涂膠后，對光刻膠軟烤之前...

本發明公開了一種監測芯片內部電位的聚焦離子束方法，包括：步驟1、對芯片做表面處理；步驟2、用聚焦離子束暴露出需要做橋聯的監測節點A；步驟3、通過版圖檢查，找出距離所述監測節點A最近的不相關焊盤B點位置并將所述監測節點A和所述焊盤B進行橋...

本發明公開了一種超級結的制備工藝方法，主要針對深溝槽加P柱填入方式制備超級結的工藝，在P柱形成過程中，首先利用外延生長工藝采用單晶硅填充部分溝槽，然后再利用摻雜的多晶硅（poly）填充剩余部分的溝槽，要求多晶硅的摻雜濃度要大于底部外延填...

本發明公開了一種防止PMOS器件工藝中柵極多晶硅耗盡的方法，包括步驟：進行多晶硅淀積，第一段多晶硅淀積形成柵極多晶硅的底層部分，第二段多晶硅淀積形成柵極多晶硅的頂層部分，第二段多晶硅淀積中通入氧氣使頂層部分中同時形成一氧化硅阻擋層；柵極...

本發明公開了一種改善溝槽型IGBT柵極擊穿能力的制備方法，包括步驟：1）在N型硅片上淀積二氧化硅作為硬掩膜后，通過光罩定義出深溝槽的圖案，刻蝕，將硬掩膜打開；2）將硬掩膜打開的區域進行濕法各向異性刻蝕；3）采用干法刻蝕，形成深溝槽；4）...