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本發明公開了一種低電壓差分信號傳輸驅動器電路，包括：對稱互補交叉開關電路，輸出端輸出差分信號，輸入端連接輸入信號和其反相信號。電流源和電流沉，用于為對稱互補交叉開關電路提供電流。在差分正信號和差分負信號之間通過兩個串聯電阻取出共模信號。...

本發明公開了一種LDMOS晶體管，其結構是在P外延上部形成有一P阱及一N阱，所述P阱上部形成有一N+區作為源極，并形成有一P+區作為P阱接地極，所述N阱上部形成有一N+區作為漏極；所述作為源極的N+區與作為P阱接地極的P+區相鄰接；所述...

本發明公開了一種低柵極電荷溝槽功率MOS器件，其是在硅襯底上水平排布兩溝槽，屏蔽柵導電多晶硅淀積在溝槽內底部，柵極導電多晶硅位于溝槽內屏蔽柵導電多晶硅的上方，屏蔽柵導電多晶硅從位于柵極導電多晶硅中的深孔引出，將現有器件的垂直控制柵、屏蔽...

本發明公開了一種瞬態電壓抑制器，包括：N型半導體襯底以及形成于N型半導體襯底上的P型外延層。齊納二極管由形成于N型半導體襯底的表面的P+埋層和該P+埋層底部的N型半導體襯底組成。在P+埋層的正上方的P型外延層表面形成有一N+區，N+區和...

本發明公開了一種高壓NLDMOS靜電保護結構，在硅襯底上排列成多指狀，包括：硅襯底上部形成有交替排列的高壓N阱和高壓P阱，器件左右最外側的高壓N阱中形成有相間排布的N型注入區和P型注入區，器件中間的高壓N阱中形成有N型注入區，高壓P阱中...

本發明公開了一種瞬態電壓抑制器，包括：N型襯底上的P型外延層，P型外延層中并列形成有P型隔離阱和深P阱，所述P型隔離阱和深P阱與N型襯底有接觸，形成在兩個P型隔離阱之間P型外延層中的P型注入區，形成在P型注入區上方的N型注入區，形成在深...

本發明公開了一種半導體制品鎢槽接觸電阻測試結構，在硅襯底上形成有三個依次相鄰的有源區，三個有源區與襯底同為N型或P型；第一個有源區上形成的X個鎢槽構成第一鎢槽陣列同接第一金屬層，第二個有源區上形成的Y個鎢槽構成第二鎢槽陣列同接第二金屬層...

本發明公開了一種P型LDMOS表面溝道器件的制造工藝，采用多晶硅和金屬硅化物作為柵極，并調整了溝道注入、長時間高溫推進、多晶硅柵極硼離子P型摻雜的工藝次序，在柵極形成時沒有摻雜硼雜質，這樣就可以進行長時間高溫推進以形成足夠寬的溝道，避免...

本發明公開了一種PLDMOS的制造方法，溝道區的形成工藝包括如下步驟：采用光刻工藝形成一光刻膠窗口將N阱的形成區域打開；采用多次N型離子注入工藝在N阱形成區域形成N阱；采用灰化處理的工藝將一定厚度的光刻膠去除使窗口擴大；進行閾值電壓調整...

本發明公開了一種光刻關鍵尺寸的量測標記，其包含至少一條線條圖形和與該線條圖形相連接的多個支撐圖形。本發明通過在光刻標記圖形周圍增加一些支撐點，增加了光刻膠與當前標記層的接觸面積，加大了光刻膠之間的張力，從而有效避免了光刻關鍵尺寸量測標記...

本發明公開了一種單端電感，單端電感的金屬線圈呈一平面螺旋環繞結構，從金屬線圈的內圈到外圈，金屬線圈的金屬寬度逐漸變寬。高頻下，靠近內圈的各位置的趨膚深度要小于外圈的趨膚深度，故靠近內圈的金屬寬度減少后，靠近內圈的各位置處的電阻并不會增加...

本發明公開了一種電感，包括電感線圈和襯底結構。襯底結構包括：P型半導體襯底、N型外延層和多個條形結構的采用光刻和離子注入工藝形成的P型摻雜區。P型摻雜區的深度大于等于N型外延層的厚度。P型摻雜區將N型外延層分隔成多個N型摻雜區，并形成N...

本發明公開了一種金屬熔絲的制造方法，包括如下步驟：步驟一、形成次頂層金屬、層間膜、頂層金屬和鈍化層，次頂層金屬包括次頂層連線金屬和金屬熔絲。步驟二、利用一層光罩將金屬熔絲區域打開。步驟三、對金屬熔絲區域的鈍化層和層間膜進行刻蝕將金屬熔絲...

本發明公開了一種改善肖特基二極管擊穿電壓均一性的方法，制作N型輕摻雜硅襯底；在N型輕摻雜硅襯底的上端面形成金屬前介質層；刻蝕金屬前介質層，在N型輕摻雜硅襯底的上端面定義出制作鈷硅化合物層的區域；采用濕法清洗N型輕摻雜硅襯底的表面；在金屬...

本發明公開了一種改善溝槽型NMOS漏源擊穿電壓的方法及其結構，通過在溝槽型NMOS的溝槽底部，增加P型浮島來實現。另外，本發明的溝槽型NMOS的結構，包括：傳統的溝槽型NMOS結構，以及溝槽底部的P型浮島。本發明通過在溝槽刻蝕之后、去除...

本發明公開了一種薄硅片的制備方法，包括步驟：1）在傳統厚度的硅片上生長氮化硅或氮氧化硅；2）在硅片背面涂光刻膠，硅片周邊曝光、顯影，使光刻膠只保留在硅片背面的周邊；3）在硅片背面無光刻膠的地方刻蝕溝槽；4）在溝槽內填充導電導熱材料；5）...

本發明公開了一種能夠改善發射極窗口尺寸均勻性的SiGe器件制造方法，包括如下步驟：第一步，進行版圖設計；第二步，對工藝條件進行優化，確定發射極窗口的目標尺寸；第三步，基于優化的工藝條件，在平坦片上，通過測試掩膜板上的特征圖形完成OPC數...

本發明公開了一種用于背面EMMI失效分析的裝置，包括一PVC電路板、一信號輸入輸出底座；所述PVC電路板的中心設置有一透明的有機玻璃片，有機玻璃片的四周設置有多個金屬引腳；PVC電路板的四個角分別設置有電路板金屬襯墊；每個金屬引腳分別通...

本發明公開了一種高密度等離子體化學氣相沉積設備腔體刻蝕清洗的方法，包括如下步驟：先對設備腔體加熱到設定時間；然后分兩步對設備腔體進行刻蝕清洗。本發明既能提高清洗的效率，又能節約成本。

本發明公開了一種基準電壓源，運算放大器，NMOS驅動管，PMOS驅動管和比較器。比較器通過外部電壓的分壓和參考電壓的比較來實現在外部電壓為高電平時控制PMOS驅動管關閉，在外部電壓為低電平時控制PMOS驅動管導通。外部電壓的分壓由串聯于...