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本發明公開了一種線性均衡器，包括：由第一、二MOS晶體管組成差分輸入對管；第一、二MOS晶體管的漏極都分別依次串聯有第一電阻和第一電感，第一電阻和第一電感要求能產生一個高于通道帶寬的零點；兩端分別和第一、二MOS晶體管的源極相連的第二電...

本發明公開了一種鎖相環電路，包括多個電壓調整器，電壓調整器對電源進行穩壓和濾波處理并在輸出端輸出一工作電源；鎖相環電路的工作頻率不相同的模塊要分別單獨配置一個電壓調整器，鎖相環電路的工作頻率相同的模塊共用同一個電壓調整器。本發明的電壓調...

本發明公開了一種高壓靜電保護結構，包括：第一低壓PMOS，形成于硅襯底P型外延上的N型埋層中；一高壓硅控整流器，形成在硅襯底的P型外延上，由形成于第一高壓P阱中的N+擴散區和P+擴散區，以及形成于第一高壓N阱中的N+擴散區和P+擴散區組...

本發明公開一種多晶硅二極管靜電保護結構，包括：一N+/P阱二極管和一多晶硅二極管；所述多晶硅二極管包括，P-多晶硅襯底中形成有多個不相鄰的N+擴散區，P-多晶硅襯底的兩側形成有P+擴散區；所述N+/P阱二極管其P阱通過P+擴散區連接地電...

本發明公開了一種硅通孔，由完全填充于深溝槽或孔中的原位摻雜的P型無定形硅、鈦和氮化鈦層和鎢層組成，鈦和氮化鈦層位于鎢層和P型無定形硅之間并作為鎢層的粘附層和阻擋層，P型無定形硅作為緩沖層用于緩解鎢層和硅片之間的應力。本發明公開了一種硅通...

本發明公開了一種硅通孔背面導通的制造工藝方法，其是在硅片正面刻蝕出深溝槽并淀積金屬阻擋層及無縫填充金屬，然后對硅背面采用背面減薄工藝，實施濕法刻蝕去除硅損傷層后再用光刻膠定義出硅通孔干法刻蝕區域，以化學干法刻蝕掉硅通孔區域的硅直至硅正面...

本發明公開了一種深溝槽器件的柵極多晶硅的制備方法，包括步驟：步驟一、提供一形成有深溝槽和柵氧化層的半導體襯底。步驟二、進行一次以上多晶硅淀積形成第一多晶硅層，該第一多晶硅層的厚度滿足使所述深溝槽留有縫隙且不被封口。步驟三、對第一多晶硅層...

本發明公開了一種氮氧化硅薄膜的制造方法，采用立式L?P?C?V?D爐管進行氮氧化硅薄膜生長，將硅片產品放置于立式L?P?C?V?D爐管的制品作業區域，形成氮氧化硅薄膜的氧源為一氧化二氮，在一氧化二氮進入到制品作業區域參與反應形成氮氧化硅...

本發明公開了一種多晶硅溝槽回刻蝕方法，包括：在溝槽刻蝕后進行柵氧氧化生長和多晶硅生長；在多晶硅表面進行覆蓋光阻，覆蓋光阻的厚度大于溝槽上方多晶硅凹陷量；采用終點信號探測的方式進行光阻干法刻蝕，干法刻蝕采用氣體其對多晶硅的選擇比大于1；采...

本發明公開了一種含有溝槽柵的深溝槽型超級結的柵溝槽的形成方法，包括步驟：在半導體襯底上形成硬掩膜；采用光刻工藝定義出深溝槽區域；將深溝槽區域的硬掩膜去除，以硬掩膜為阻擋層進行刻蝕形成多個交替排列的深溝槽；對深溝槽進行半導體材料填充；對半...

本發明公開了一種DDMOS臺階柵氧化層實現的工藝方法，其是在DDMOS器件的N阱和P阱注入之后，光刻膠剝離之前，通過光刻膠刻蝕和氧化層濕法刻蝕工藝，使DDMOS器件的阱注入區域的氧化層去除，而漏端擴展區的氧化層得以保留，最終形成臺階狀的...

本發明公開了一種晶體管交流熱載流子注入特性的測試結構，包括：一待測PMOS?P1，一待測NMOS?N1，一測試負載N2；P1、N1的柵極相連作為本測試結構的測試引腳a；P1的源極作為本測試結構的測試引腳b；P1的襯底電極作為本測試結構的...

本發明公開了一種多通道智能漏液及斷線檢測系統，包括有漏液檢知器、斷線報警電路、單片機和液晶面板集中控制器。本發明采用多個智能傳感器構成基于MCU的總線式多通道智能漏水及斷線檢測系統，對多個單獨的感應線通道進行獨立的監控，使漏水警情能夠被...

本實用新型公開了一種背面微光顯微鏡用裝置，該裝置包括：包裝體、引腳、芯片固定裝置和透光玻璃；所述包裝體分為上部、中部、底部，上部和中部之間設有引腳，中部放置芯片，底部放置透光玻璃，中部位置設有芯片固定裝置，所述的透光玻璃位于芯片的反面。...

本發明公開了一種流水線模數轉換器的數字校正電路，采用逐級運算的方式將運算分配到進行數字碼同步的各級第二子電路中，相對于現有冗余位數字校正電路需要在最后一級采用加法器進行較長時間的運算，本發明各級第二子電路中不需要采用加法器，而采用與非門...

本發明公開了一種跨導運算放大器，信號差分輸入，差分輸出，具有增益自舉采用一對PNMOS管和NMOS管的單管結構，每一個單管都設置一輔助放大器。本發明通過采用單管的輔助放大器技術，能通過提高整體放大器的輸出阻抗來提高放大器的增益，從而能達...

本發明公開了一種縱向夾斷的面結型場效應晶體管結構及制造方法，具有第一導電類型的硅基板上形成第二導電類型的第一阱區，第一阱區的表面形成具有第一導電類型的第二阱區，第二阱區中形成具有第一導電類型的第一有源區，第一阱區外側的硅基板中形成具有第...

本發明公開了一種瞬態電壓抑制器件，該器件是在高摻雜濃度的P型低阻襯底上分別制作重摻雜的P型埋層和N型埋層，N型埋層上方為N型外延，外延層上注入形成重摻雜的P型區，通過接觸孔工藝引出形成二極管的陽極；在P型區兩側埋層上方制作隔離結構，并在...

本發明公開了一種單向導電耐壓器件，包括：P型硅上部左側形成有一N阱，N阱的上部形成有一N+注入層；P型硅上部右側形成有二個以上串聯的MOS結構；所述MOS結構包括P型硅、N+注入層、柵氧化層和柵極；柵氧化層形成于P型硅上方；N+注入層形...

本發明公開了一種用于半導體芯片的切割道，設置寬、窄兩種寬度尺寸的切割道；在曝光單元的外圍使用寬尺寸的切割道，并在其中放置各種用于對準和監測用途的標記；其他區域使用窄尺寸的切割道，以區分不同芯片。本發明既能滿足切割道放置所有標記的需求，又...