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本發(fā)明公開(kāi)了一種柵極多晶硅和多晶硅電阻集成制作方法，包括步驟：在硅襯底上依次形成柵介質(zhì)層和第一層多晶硅；進(jìn)行第一次離子注入形成多晶硅電阻的摻雜；在第一層多晶硅上形成第二層氧化；對(duì)第二層氧化硅進(jìn)行刻蝕僅保留多晶硅電阻形成區(qū)域上的第二層氧化...

本發(fā)明公開(kāi)了一種抑制PMOS器件工藝中柵極多晶硅耗盡的方法，包括步驟：在柵極多晶硅中注入硼離子；在柵極多晶硅表面注入銦離子；在柵極多晶硅的表面形成鎢硅層。本發(fā)明通過(guò)在PMOS器件的柵極多晶硅硼注入之后，再進(jìn)行銦注入，通過(guò)銦注入使柵極多晶...

本發(fā)明公開(kāi)了一種可調(diào)電極間距及平行度的刻蝕腔，包括；一腔體，所述腔體為圓柱形腔體；一上電極，固定安裝在所述腔體的上頂面；一下電極，固定安裝在所述腔體的下底面；所述腔體中設(shè)置一可變腔體，用于調(diào)節(jié)所述上下電極之間的距離與平行度。本發(fā)明能既可...

本發(fā)明公開(kāi)了一種找到連接孔頂部開(kāi)路的方法，包括：步驟1、芯片開(kāi)封，去除絕緣層，暴露導(dǎo)電互連線。步驟2、粘附芯片于基板。步驟3、將芯片研磨至關(guān)注的連接孔層次。步驟4、電壓襯度分析，找出異常連接孔。步驟5、找出導(dǎo)致連接孔頂部開(kāi)路的真正機(jī)理。...

本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于低壓爐管裝置的壓力檢測(cè)系統(tǒng)包括控制單元、機(jī)械式壓力開(kāi)關(guān)和電容式壓力計(jì)；機(jī)械式壓力開(kāi)關(guān)包括一底座，底座具有一個(gè)壓力輸入口并固定有一波紋管，壓力輸入口與頂部密封底部開(kāi)放的波紋管相通；波紋管頂部固定有支撐桿，支撐桿上套設(shè)...

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于靜電保護(hù)的高壓NLDMOS結(jié)構(gòu)，包括一N型LDMOS，形成于一硅襯底上方的N型埋層內(nèi)；N型LDMOS排列成多指狀結(jié)構(gòu)；位于兩個(gè)漏區(qū)之間的源區(qū)為共源區(qū)；所述漏區(qū)的有源區(qū)內(nèi)由N型有源區(qū)與P型有源區(qū)沿長(zhǎng)度方向相間排布；所述...

本發(fā)明公開(kāi)了一種自對(duì)準(zhǔn)接觸孔的小尺寸MOSFET的制作方法，包括步驟：1）刻蝕溝槽，生長(zhǎng)柵氧，淀積多晶硅并回刻；2）生長(zhǎng)襯墊氧化層，進(jìn)行體區(qū)、源區(qū)注入及熱退火；3）淀積氮化硅和LPTEOS；4）回刻除去TEOS和氮化硅；5）淀積層間介質(zhì)...

本發(fā)明公開(kāi)了一種P型LDMOS器件，包括：一SOI襯底；位于溝道區(qū)域的SOI襯底的頂層硅和埋氧化層被去除，在溝道區(qū)域中形成有硅外延層，硅外延層中摻入有N型雜質(zhì)并組成器件的溝道區(qū)，溝道區(qū)的底部和所述底層硅相接觸；頂層硅中形成有器件的P型漂...

本發(fā)明公開(kāi)了一種隔離型N型LDMOS器件，包括：SOI襯底，包括底層硅、埋氧化層和頂層硅；溝道區(qū)形成于頂層硅中，溝道區(qū)的底部和底層硅通過(guò)埋氧化層隔離；漂移區(qū)形成于頂層硅和埋氧化層去除后形成的硅外延層中，漂移區(qū)的底部和底層硅相接觸。本發(fā)明...

本發(fā)明公開(kāi)了一種升降裝置，其主要包括一控制單元，用于發(fā)送控制信號(hào)和接收反饋信號(hào)；一升降機(jī)構(gòu)，包括電磁閥和氣缸，用于接收所述控制單元發(fā)出的控制信號(hào)，完成升降動(dòng)作；在所述氣缸的側(cè)面兩端位置分別安裝有限位傳感器，當(dāng)所述氣缸中的活塞運(yùn)動(dòng)到限定位...

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于功率器件厚金屬刻蝕的方法，包括步驟：1）在介質(zhì)層上淀積厚金屬層；2）在厚金屬層上，進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影；3）濕法刻蝕厚金屬層；4）干法刻蝕厚金屬層。本發(fā)明能有效改善厚金屬的刻蝕殘留問(wèn)題，以及濕法刻蝕中出現(xiàn)的漂膠...

本發(fā)明公開(kāi)了一種防止晶圓翹曲變形的方法，包括以下步驟：步驟一，在晶圓上沉積氧化層并涂布光刻膠；步驟二，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，暴露出晶圓劃片槽區(qū)域上方的氧化層；步驟三，進(jìn)行離子注入，離子穿過(guò)劃片槽區(qū)域上方的氧化層，注入到硅片；步驟四，去...

本發(fā)明公開(kāi)了一種提高物理濺射成膜質(zhì)量的方法，包括：步驟1、將晶片送入除水工藝腔去除吸附水及易揮發(fā)物處理；步驟2、將晶片送入搬運(yùn)腔等待，其中等待時(shí)間范圍為5-40秒，搬運(yùn)腔內(nèi)的溫度為0-50攝氏度，搬運(yùn)腔中的壓力大于2.2托。步驟3、等待...

本發(fā)明公開(kāi)了一種低壓差分信號(hào)傳輸接收器，包括：一接收器和一并聯(lián)所述接收器的100Ω電阻，其中，所述接收器包括三級(jí)順序相連的比較電路；第一級(jí)比較電路，能實(shí)現(xiàn)1.125V～1.375V的共模電壓輸入范圍和交叉耦合的信號(hào)整形，具有兩輸入端，兩...

本發(fā)明公開(kāi)了一種超級(jí)結(jié)功率器件，其N(xiāo)柱與P柱交替排列，另外，包括位于N柱上方的多晶硅柵電極和源極的形成，P阱的形成及包覆所述多晶硅柵電極的隔離介質(zhì)層，貫穿P柱中的接觸孔及位于頂端的金屬填充物，其中，所述接觸孔中填充有所述金屬填充物，所述...

本發(fā)明公開(kāi)了一種P型超結(jié)橫向雙擴(kuò)散MOSFET器件，在N型襯底重?fù)诫s區(qū)上具有N型外延漂移區(qū)；在N型外延漂移區(qū)中形成有元胞區(qū)和終端區(qū)；P型半絕緣柱區(qū)在元胞區(qū)和終端區(qū)中均具有多個(gè)P型半絕緣柱區(qū)；在所述P型半絕緣柱區(qū)底部和頂部分別有濃度高于P...

本發(fā)明公開(kāi)了一種垂直金屬/絕緣層/金屬M(fèi)IM電容，包括：在絕緣層內(nèi)形成的兩個(gè)相互平行的凹槽，該凹槽停止在某一下層金屬之上；所述兩個(gè)凹槽之間的絕緣層構(gòu)成所述電容的絕緣層；在該電容的絕緣層兩側(cè)分別形成的一金屬層，該金屬層構(gòu)成所述電容的兩個(gè)金...

本發(fā)明公開(kāi)了一種連續(xù)形成兩道深度不同的孔或槽的工藝方法，包括步驟：采用光刻刻蝕工藝在硅片上形成深孔或槽；在硅片表面均勻涂抹一第一層光刻膠，該第一層光刻膠為正性光刻膠；對(duì)整個(gè)硅片表面進(jìn)行全面曝光；進(jìn)行光刻顯影將曝光后的第一層光刻膠去除，深...

本發(fā)明公開(kāi)了一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，流程為：1）制作兩塊測(cè)試光刻版，第一塊放置前層形貌圖形；第二塊放置后層OPC測(cè)試圖形；2）對(duì)第二塊光刻版涂膠曝光顯影，收集光刻工藝關(guān)鍵尺寸的數(shù)值，建立OPC模型；3）對(duì)第一塊光刻版涂膠曝光顯影，產(chǎn)生...

本發(fā)明公開(kāi)了一種垂直MIM電容，包括：在絕緣層內(nèi)形成的兩個(gè)相互平行的凹槽，其中，一個(gè)凹槽的一側(cè)壁與另一凹槽的一側(cè)壁之間的絕緣層構(gòu)成所述電容的絕緣層；兩層金屬層分別沿所述電容的絕緣層兩側(cè)端面自上而下經(jīng)溝槽的底部和溝槽的另一側(cè)壁一直延伸到所...