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本發明公開了一種瞬變電壓抑制二極管PN結的實現方法，在P型襯底上涂敷光刻膠，通過光刻定義出器件的溝槽，用光刻膠保護溝槽之外的區域，進行干法刻蝕得到溝槽；去除光刻膠，在溝槽中填充本征多晶硅；采用選擇性刻蝕去除多余的本征多晶硅，經刻蝕后本征...

本發明公開了一種小線寬溝槽式功率MOS晶體管的制備方法，包括步驟：1）刻蝕倒梯形溝槽；2）在溝槽內生長柵氧，并沉積柵極多晶硅；3）回刻柵極多晶硅，并過刻蝕至溝槽內部；4）沉積二氧化硅層間電介質，使溝槽上部完全填滿；5）回刻二氧化硅層間電...

本實用新型公開了一種增強散熱型變頻器電氣柜，該電氣柜的側面開設進風口和出風口，進風口處安裝可清洗式進風過濾器，所述可清洗式進風過濾器連接有一根通風軟管，該通風軟管的另一端使用磁性連接口與變頻器進風口連接；出風口處安裝變頻器散熱風道排風扇...

本實用新型公開了一種兼容晶圓針測和封裝測試的多功能探針卡，包括基板，所述基板既可安裝探針進行晶圓針測，也可安裝插座進行小批量封裝評價測試，所述基板由外向內設有彈簧觸點、探針焊點及中心無電路區域；所述基板外圍區域設有彈簧觸點，該彈簧觸點與...

本實用新型公開了一種晶圓翹曲測量儀，其包括底板、左側框、右側框、刻度板、遮蓋板；底板為一平板；左側框、右側框的下端分別固定在底板上，并且左側框、右側框的軸線垂直于底板；刻度板固定在底板、左側框、右側框之間，并且刻度板為透明材質，刻度板上...

本發明公開了一種TVS器件，該器件棄用擴散隔離，而采用高摻雜濃度的低阻襯底，在低阻襯底上方淀積低摻雜濃度的外延層以降低TVS器件的電容，襯底上方通過銦注入制作P型埋層，有效減輕了硼雜質擴散帶來的問題。再進行一次低摻雜濃度外延淀積后制作N...

本發明公開了一種TVS器件，該器件棄用擴散隔離，而采用高摻雜濃度的低阻襯底，襯底上方通過銦注入制作P型埋層，再進行一次低摻雜濃度外延淀積后制作N型埋層，兩種埋層作重摻雜，利用兩種不同類型埋層的摻雜濃度來調節瞬態電壓抑制器的箝位電壓，在埋...

本發明公開了一種高壓P型LDMOS器件，是利用淺槽隔離結構刻蝕工藝來改善其擊穿電壓的方法，將高壓PLDMOS的漏擴展區P型阱的注入能量微調，使垂直方向參雜濃度的峰值位于硅片中0.3μm～0.5μm深度，與淺槽隔離結構刻蝕深度相近，通過淺...

本發明公開了一種高擊穿電壓P型LDMOS器件，具有元胞區和位于元胞區外圍環繞的保護環結構，所述元胞區內含有：一第一N型深阱，第一N型深阱中還具有第二N阱及淺P型區和P型漂移區，三者在第一N型深阱中從左至右依次排列相互抵靠；第二N阱中具有...

本發明公開了一種非對稱LDMOS工藝偏差的監控結構，包括：版圖設計完全相同并列排布的兩個非對稱LDMOS器件，所述兩個非對稱LDMOS器件共P型阱區，所述共P型阱區中形成有間隔排列的N型重參雜區和P型重參雜區；所述兩個非對稱LDMOS器...

本發明公開了一種半導體器件有源區或多晶硅折角處電阻的測量結構，包括：硅基板襯底上生長有與其同型摻雜的有源區或多晶硅，一側形成有非封閉型多邊形組成的折角區域，非封閉型多邊形每一邊具有n個方塊數，所述折角區域一端具有測量端口五，另一端與一直...

本發明公開了一種深溝槽相貌分析樣品的制備方法，步驟一、在硅基片上形成深溝槽，采用低溫低壓氣相沉積的方式在該深溝槽內生長第一層二氧化硅；或者在所述深溝槽內先填充部分外延硅，然后再采用低溫低壓氣相沉積的方式在該深溝槽內生長第一層二氧化硅；步...

本發明公開了一種解決晶體管的IdVg曲線雙峰現象的方法，包括步驟：1）在硅襯底上依次生長柵氧化層和多晶硅層；2）進行阱注入；3）進行多晶硅注入；4）進行晶體管制造的后續步驟，包括：多晶硅刻蝕、輕摻雜漏注入、源漏注入、源漏退火。本發明與傳...

本發明公開了一種低壓LDMOS的制造方法，采用兩次生長柵氧化層，第一次生長厚氧化層，然后打開長度小于溝道長度的窗口，再生長一層薄氧化層，最后刻蝕后使柵氧化層呈現中間薄兩頭厚的形狀，來調節器件的閾值電壓，采用該方法的LDMOS在獲得高擊穿...

本發明公開了一種低壓LDMOS器件的制造方法，其是通過控制溝道區兩端上方的柵氧化層的厚度來調整LDMOS的閾值電壓，且同時保證了器件的擊穿電壓。本發明所涉及的方法不需要增加額外工藝即可實現，不增加制造成本。

本發明公開了一種鍺硅異質結雙極型三極管器件的制造方法，包括：由低摻雜N型外延工藝制備集電區，底部有重N型摻雜的低電阻埋層通道，在集電極有源區用高劑量中能量的N型離子注入形成集電極引出端；形成隔離區后直接進行表面清洗和較厚緩沖層的鍺硅外延...

本發明公開了一種用于顯現MOS器件的AA結構缺陷的腐蝕方法，包括以下步驟：第一步，將樣品倒置，放入質量百分比為49%的氫氟酸中浸泡2.5±0.5分鐘；在浸泡的同時，每30秒用去離子水沖洗之后，再用氮氣槍吹一下樣品表面；第二步，如N型MO...

本發明公開了一種在硅基底上同時生長單晶硅和多晶硅的方法，包括步驟：在硅基底上依次生長二氧化硅掩蔽層和多晶硅籽晶層；采用光刻刻蝕工藝在硅基底上刻蝕出單晶硅生長區域；采用外延生長工藝在單晶硅生長區域內生長單晶硅、同時在多晶硅生長區域內生長多...

本發明公開了一種LDMOS陣列的仿真方法，針對該種LDMOS版圖陣列結構，根據版圖中可變寬度的尺寸Wy和拱形門個數N，建立了一宏模型，該宏模型中內嵌了該種LDMOS的漏端漂移區的總等效寬度的計算公式，并內嵌了等效溝道寬度為該種LDMOS...

本發明公開了一種光刻掩膜版的良率提升方法，該方法是在光刻亞分辨率輔助圖形上增加支撐圖形。該方法通過在光刻亞分辨率輔助圖形上增加一些小的支撐圖形，使光刻膠在局部形成比較大的光刻膠形貌，從而增加了光刻膠與襯底的粘附力，避免了光刻膠倒塌，達到...