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本發(fā)明公開了一種NLDMOS器件包括：P型襯底上部并列形成有P阱和N阱，P阱和N阱上部分別形成有N+區(qū)，N阱中N+區(qū)的旁側(cè)形成有長氧區(qū)，場氧形成于P阱、N阱和長氧區(qū)的上方，場氧上方形成有多晶硅層，隔離側(cè)墻形成于場氧和多晶硅層的兩側(cè)；其中...

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，器件的漂移區(qū)中包括一摻雜濃度為緩慢增加的緩變區(qū)，緩變區(qū)位于硅片的背面一側(cè)且緩變區(qū)的摻雜濃度大于均勻區(qū)的摻雜濃度。較高摻雜的緩變區(qū)能保證器件得到較低的導(dǎo)通電阻，同時(shí)，緩變區(qū)的摻雜濃度的增加速率得到了良好的控制，...

本發(fā)明公開了一種場阻斷型半導(dǎo)體器件的制造方法，本發(fā)明方法通過在硅片的背面形成溝槽，能使場阻斷層分割成深度小于等于激光退火能達(dá)到的第一有效深度的第一場阻斷層、以及橫向?qū)挾刃∮诘扔?倍的第一有效深度的第二場阻斷層，從而能對場阻斷層進(jìn)行三維方...

本發(fā)明公開了一種高壓隔離N型LDMOS器件，在P型襯底上形成有一深N型阱，在所述深N型阱中形成有一較所述深N型阱深的非常深N型阱，在所述非常深N型阱中形成有一P型阱，在所述P型阱同所述深N型阱鄰接區(qū)域上方形成有多晶硅柵，在位于所述多晶硅...

本發(fā)明公開了一種時(shí)鐘同步讀操作控制信號發(fā)生器，包括：四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)寄存器組和二個(gè)數(shù)字邏輯模塊；第一標(biāo)準(zhǔn)寄存器組接收被采樣時(shí)序，輸出被采樣時(shí)序到第一數(shù)字邏輯模塊；第二標(biāo)準(zhǔn)寄存器組接收外部精準(zhǔn)時(shí)序，輸出時(shí)序一；第三標(biāo)準(zhǔn)寄存器組接收外部精準(zhǔn)時(shí)序和被...

本發(fā)明公開了一種USB芯片硅片級自動測試儀，包括：測試通道、失效數(shù)據(jù)存儲器、隨機(jī)存儲器、非歸零反相解碼模塊、數(shù)據(jù)文件和測試程序。本發(fā)明能實(shí)現(xiàn)將同時(shí)讀取的多個(gè)USB芯片的握手響應(yīng)信號或數(shù)據(jù)并分別存儲于隨機(jī)存儲器中，從而能避免多個(gè)USB芯片...

本發(fā)明公開了一種電源電壓檢測電路，包括電源分壓電路、比較器輸入切換電路、電壓比較電路和邏輯控制模塊。電壓比較電路包括過壓比較器和欠壓比較器。比較器輸入切換電路分別和電源分壓電路、電壓比較電路和邏輯控制模塊相連接并能使電壓比較電路的輸入信...

本發(fā)明公開了一種電壓檢測電路，包括分壓電路和比較器。分壓電路包括第一電容和第二電容。第一電容的第一端連接參考電壓、第二端通過第一開關(guān)連接到電源電壓。第二電容的第一端通過第二開關(guān)連接到參考電壓，第二電容的第一端通過第三開關(guān)連接地電位；第二...

本發(fā)明公開了一種測定表面溝道PMOS多晶硅柵硼向金屬或金屬硅化物擴(kuò)散的方法，利用基準(zhǔn)MOSFET工藝的過程和參數(shù)，制備第一NMOS場效應(yīng)管與第一表面溝道PMOS場效應(yīng)管；利用降低熱過程的MOSFET工藝，制備第二NMOS場效應(yīng)管與第二表...

本發(fā)明公開了一種R-2R型數(shù)模轉(zhuǎn)換器電路，包括有串聯(lián)的控制邏輯、R-2R型數(shù)模轉(zhuǎn)換器和開關(guān)，在輸出端還具有一個(gè)接地的電容。當(dāng)n位的二進(jìn)制數(shù)字信號的任意相鄰的4位中，包括至少一位從0轉(zhuǎn)變?yōu)?，還包括至少一位從1轉(zhuǎn)變?yōu)?；且所述發(fā)生轉(zhuǎn)變的位...

本發(fā)明公開了一種防止IO上電過程中產(chǎn)生大電流的電平轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，包括第一、二N型場效應(yīng)管、P型場效應(yīng)管、第一、二、三反相器、第一、二耦合電容；第一N型場效應(yīng)管的柵極接輸入端，第二N型場效應(yīng)管的柵極通過第三反相器接輸入端，兩N型場效應(yīng)管源極...

本發(fā)明公開了一種全極磁場檢測開關(guān)電路，包括一個(gè)霍爾器件、一個(gè)放大器、一電壓產(chǎn)生器、一電壓選擇器、一個(gè)電壓比較器、一輸出邏輯，霍爾器件對穿過的磁場進(jìn)行感應(yīng)輸出感應(yīng)電壓，放大器放大感應(yīng)電壓輸出放大信號，電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生第一電壓、第二電壓、第三...

本發(fā)明公開了一種氧化鎢阻變存儲器的制造方法，包括步驟：1)制作鎢通孔；2)干法刻蝕掉鎢通孔頂部側(cè)壁的鈦層和鈦氮化合物阻擋層；3)用有機(jī)酸洗掉殘留聚合物；4)高溫?zé)嵫趸幚恚阪u通孔頂部形成氧化鎢；5)光刻和干法刻蝕，形成氧化鎢阻變存儲單...

本申請公開了一種鉗位二極管，在P型外延上生長有N型埋層，在所述N型埋層上形成有高壓P型阱；在高壓P型阱的兩側(cè)形成有同N型埋層連通的重?fù)诫sN型引線層；高壓P型阱上部的中間處形成有P型阱，高壓P型阱上部同P型阱兩側(cè)相鄰接分別形成有N型阱；P...

本發(fā)明公開了一種溝槽型絕緣柵場效應(yīng)管，包括N型外延層下形成有P型注入層，N型外延層上部形成有溝槽，溝槽內(nèi)形成有柵氧化層和多晶硅柵，溝槽兩側(cè)形成有P型阱和N型有源區(qū)，N型有源區(qū)位于P阱上方，其中，N型有源區(qū)中形成有圓形鏤空結(jié)構(gòu)，層間氧化介...

本發(fā)明公開了一種MOS器件，源漏區(qū)包括位于有源區(qū)中的源漏摻雜區(qū)和位于有源區(qū)上方的源漏多晶硅層，通過在源漏多晶硅層上形成金屬接觸引出源漏極。位于有源區(qū)中的源漏摻雜區(qū)的面積不必要包容金屬接觸的面積，故能使有源區(qū)的面積能做到最小，從而能提高器...

本發(fā)明公開了一種MOS器件，源漏區(qū)包括位于有源區(qū)中的源漏摻雜區(qū)和位于有源區(qū)上方的源漏多晶硅層，通過在源漏多晶硅層外側(cè)的鍺硅多晶硅層上形成金屬接觸來引出源漏極的。位于有源區(qū)中的源漏摻雜區(qū)的面積不必要包容金屬接觸的面積，故能使有源區(qū)的面積能...

本申請公開了一種超級結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，在超級結(jié)器件的中間區(qū)域?yàn)殡娏髁鲃訁^(qū)，所述電流流動區(qū)包含多個(gè)并行排列的電流流動區(qū)溝槽；超級結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)成方形環(huán)繞于所述電流流動區(qū)的外周，超級結(jié)器件的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)短溝槽，短溝槽同所述...

本發(fā)明公開了一種溝槽功率MOS器件，其結(jié)構(gòu)是，硅片外延層上形成有阱，阱內(nèi)形成有源極重?fù)诫s區(qū)，阱的摻雜類型同外延層及源極重?fù)诫s區(qū)的摻雜類型相反，所述阱內(nèi)形成有多個(gè)溝槽，溝槽壁上形成有絕緣柵氧化層，絕緣柵氧化層內(nèi)底部填充多晶硅，頂部填充硅化...

本發(fā)明公開了一種鍺硅HBT工藝中垂直寄生型PNP三極管，通過采用具有正梯形形狀的鍺硅生長前定義窗口，能使發(fā)射區(qū)的鍺硅層為多晶結(jié)構(gòu)，從而能提高發(fā)射區(qū)的摻雜濃度，提高器件的發(fā)射效率以及器件的放大系數(shù)和增加器件的截止頻率。本發(fā)明采用了先進(jìn)的深...