亚洲av中文无码字幕色不卡_无码人妻精品一区二区三区99仓本_精品无码成人片一区二区98_亚洲中文字幕无码久久综合网

本發明公開了一種溝槽隔離方法，包括：單晶硅上第一次刻蝕溝槽；進行側墻介質膜生長；側墻介質膜回刻蝕，去除部分側墻介質膜，使溝槽形成上口寬度大，下口寬度小的傾斜結構；在溝槽底部進行第二次刻蝕溝槽；溝槽內介質膜生長；硅片表面介質膜化學機械研磨...

本發明公開了一種雙層多晶柵溝槽型MOS晶體管的制備方法，該方法在生長完第一層氧化層后，生長柵極氧化層前，進行以下步驟：1)淀積氮化硅；2)沉積第一層多晶硅；3)回刻第一層多晶硅，并在回刻至第一層氧化層表面后上光刻膠，擋住第一層多晶硅引出...

本發明公開了一種LDMOS晶體管的場氧化層隔離結構，其場氧化層與場極板接觸部分的的上翹點不在鳥嘴位置，而是橫向延伸至場氧化層內。本發明還公開了該場氧化層隔離結構的制備方法，在場氧化層生長后，柵極氧化層生長前，進行以下步驟：1)用硬掩膜覆...

本發明公開了一種測試非揮發性存儲器的測試電路，包括：一地址產生電路，在外部輸入時鐘的驅動下產生非揮發性存儲器的地址掃描信號，連續讀取非揮發性存儲器；一位選擇電路，對所述非揮發性存儲器輸出的數據信號Dm～D0選擇某一位數據信號作為基準，并...

本發明公開了一種非揮發性存儲器的擦除方法，包括如下步驟：進行預編程。進行深擦除。進行軟編程。對各存儲單元都進行電荷或電平檢測；如果有一個以上的存儲單元未達到預定電平，則進行步驟，從非揮發性存儲器的第0列到第M-1列，對于每一列，讀第0行...

本發明公開了一種雙層多晶柵溝槽型MOS晶體管的制備方法，包括步驟：1)溝槽刻蝕；2)淀積氮化硅；3)回刻，除去溝槽側壁以外區域的氮化硅；4)刻蝕形成底部溝槽區域；5)第一次局部硅氧化，在底部溝槽區域生長熱氧化層；6)沉積第一層多晶硅并回...

本發明公開了一種非揮發性存儲器的數據自動比較測試電路，包括：地址累加器、地址映射選擇器、系統控制器、地址邊界控制器。地址累加器用于完成測試電路地址的加減。地址映射選擇器實現測試電路地址和非揮發性存儲器地址之間的映射，并產生非揮發性存儲器...

本發明公開了一種非揮發性存儲器棋盤格測試電路，包括：棋盤格地址產生電路、讀控制信號產生電路、數據比較電路。棋盤格地址產生電路包括N位地址寄存器、N位帶進位/借位的加/減法器和加/減控制電路。以最高位位加/減法器的進位/借位位作為檢測結束...

本發明公開了一種靜電保護觸發電路，包括：第一開關電路、第二開關電路、第一PMOS管、第二PMOS管和第一NMOS管；第一PMOS管和第二PMOS管的源極接靜電進入端，第一PMOS管的柵極接地，第一PMOS管的漏極與第一開關電路的輸出端、...

本發明公開了一種逆導型IGBT半導體器件，穿通型IGBT器件的集電區由減薄后的硅基片組成，在硅基片的背面形成有溝槽，該溝槽穿過穿通型IGBT器件的集電區并和緩沖層相接觸，通過在溝槽中填充第一導電類型的多晶硅或外延層、或在溝槽的底部形成第...

本發明公開了一種靜電保護器件，包括：2N個并列形成于一P阱上NMOS結構，所述并列NMOS結構的最外側為源區，所述最外側源區的外側形成有P型有源區，相鄰的NMOS結構之間共源區/共漏區，N≥1；每個NMOS結構包括：一柵極和兩隔離側墻，...

本發明公開了一種側墻的形成方法，包括步驟：在硅片上形成具有臺階結構的第一種材料圖形；淀積第二種材料，第二種材料在第一種材料圖形的臺階結構的側面處形成一倒切形狀；對第二種材料進行各向異性刻蝕并形成側墻；側墻的底部寬度為步驟二中第二種材料的...

本實用新型公開了一種用于低壓外延設備的進氣口插件成對安裝于低壓外延設備進氣口處，使出氣側形成圓弧面，其中：所述進氣口插件為一側面為內凹弧面的長方體；所述進氣口插件中間具有一隔離壁G，將所述進氣口插件分成內側出氣口H和外側出氣口I；所述內...

本發明公開了一種超級結深溝槽刻蝕工藝改進方法，包括步驟：在晶圓上淀積第一層硬掩膜；在第一層硬掩膜上再淀積第二層硬掩膜，將晶圓邊緣覆蓋住；光刻，刻蝕，打開深溝槽；去掉第一層和第二層硬掩膜。本發明通過在原有硬掩膜上再淀積一層硬掩膜，將晶圓邊...

本實用新型公開了一種涂布顯影機傳送單元的硅片定位結構，所述硅片定位結構為兩個對稱的弧形導軌，所述弧形導軌的內側面為一凹形曲面，所述弧形導軌具有若干凸塊，該凸塊的內側面包括所述凹形曲面，該凹形曲面上方連接一平面，所述平面由下至上向外傾斜。...

本實用新型公開了一種能夠快速去除芯片表面焊接球及表層保護材料的工具，包括樣品臺，樣品臺的上表面設置有一凹槽，凹槽內設置有一樣品載片；樣品載片的底部設置有高度調節旋鈕；樣品載片的一側設置有固定夾片，固定夾片的一側設置有夾片調節螺桿；凹槽的...

本實用新型公開了一種真空等離子刻蝕反應腔體設備，包括腔體上極板及腔體下極板，所述腔體上極板及腔體下極板分別連接交變電源，硅片設置在所訴腔體下極板的上方，腔體下極板中設置有多個通孔，用于通過頂針，每個所述頂針中串聯一電感，所述頂針設置在頂...

本發明公開了一種與5伏CMOS工藝兼容的NLDMOS結構及其制法，該結構包括：5伏CMOS工藝兼容形成的場氧區、多晶硅柵極、柵氧化層、隔離側墻和源漏，其中，還包括：由CMOS工藝中的P阱構成的P型本底區，由CMOS工藝中的N阱構成的N型...

本發明公開了一種低源漏結電容的NMOS開關器件的結構，其包含有位于P型襯底上的淺槽隔離結構，隔離結構之間為源漏區及P阱。所述P阱位于源漏之間與源漏區側面相接觸；P阱上方是依次覆蓋柵氧化層及多晶硅柵極；多晶硅源漏與多晶硅柵極上均覆蓋有金屬...

本發明公開了一種NLDMOS器件包括P型襯底上部并列形成有P阱和N阱，P阱和N阱上部分別形成有N+區，N阱中N+區的旁側形成有場氧區，場氧層形成于P阱、N阱和場氧區的上方，場氧層上方形成有多晶硅層，隔離側墻形成于場氧層和多晶硅層的兩側；...