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本申請公開了一種齊納二極管，在一N型阱內形成有P型重摻雜區，在所述P型重摻雜區內形成有N型重摻雜區，在所述P型重摻雜區同所述N型重摻雜區的交界處上方形成有第一絕緣介質層，在所述P型重摻雜區同所述N型重摻雜區的交界處的第一絕緣介質層上方形...

本發明公開了一種N-I-P型PIN器件，包括：P型襯底上形成有集電區，集電區上方形成有發射區，集電區中形成有被集電區和發射區隔離的四個淺溝槽隔離區；位于兩側的兩個淺溝槽隔離區底部形成有P型膺埋層，位于中間的兩個淺溝槽隔離區集電區之間形成...

本發明公開了一種深槽型超級結終端保護結構，終端區由硅襯底上形成的多條寬窄不同，彼此間隔距離不同的溝槽環構成，芯片內部溝槽環刻蝕有多條寬度相同的深溝槽，最外圍溝槽環的寬度是a，芯片內部深溝槽寬度是b；其中，所述最外圍溝槽環在倒角處外側變寬...

本發明公開了一種MOS器件，源漏區包括位于有源區中的源漏摻雜區和位于有源區上方的源漏多晶硅層，通過在源漏多晶硅層外側的鍺硅多晶硅層上形成金屬接觸來引出源漏極的。位于有源區中的源漏摻雜區的面積不必要包容金屬接觸的面積，故能使有源區的面積能...

本發明公開了一種增加驅動電流能力絕緣柵雙極型晶體管結構；包括：源區、漏區、柵區，緊靠柵區邊界形成溝道，在P型體區下方有硅襯底N--，在硅襯底N--上生長有N-外延層。本發明可以減輕絕緣柵雙極型晶體管Planner?IGBT元胞間寄生的結...

本發明公開了一種金屬線圈，制作于半導體材料上，所述半導體材料上具有一層或多層金屬層，所述金屬線圈的每一匝分別位于半導體材料上的一層金屬層中，相鄰的匝之間通過接觸孔電極相連接。本發明還公開了包含所述金屬線圈的電流檢測結構，是在所述金屬線圈...

本發明公開了一種BiCMOS工藝中的垂直寄生型PNP器件，發射區和基極引出端都是由填充于形成于基區上方的窗口中的多晶硅組成。本發明無需多加光刻版，使發射區和基極引出端同時由多晶硅構成，有利于注入離子的均勻擴散并能形成高濃度的發射區和基極...

本發明公開了一種用于激光修復芯片的方法，包括步驟：1)在芯片測試過程中，按照正常的測試流程，每個被修復的芯片產生一個修復信息文件；2)根據激光修復機的能力，定義其能夠分辨的最小尺寸的X、Y的值，結合芯片的尺寸X1、Y1，確定基本修復單元...

本發明公開了一種防止淺溝槽隔離(STI)邊緣漏電的方法，包括步驟：1)在淺溝槽隔離上部硅邊緣形成氮化硅側墻；2)當進行硅接觸孔刻蝕時，采用對氮化硅和硅都為高選擇比(＞10∶1)的工藝，刻蝕二氧化硅，使得在淺溝槽隔離邊緣的孔刻蝕停止在該氮...

本發明公開了一種檢測圖形片硅研磨速率的方法，包括以下步驟：步驟一、測量并記錄圖形結構片特定量測圖形不同位置的初始斷差；步驟二、選擇幾枚硅生長厚度相當的圖形片，用化學機械拋光設備對每一枚外延片以不同時間進行研磨；步驟三、對每一枚用不同時間...

本申請公開了一種LDMOS晶體管的制造方法，首先在LDMOS晶體管的耗盡區上方形成氧化層，在靠近源極一端的LDMOS的耗盡區上方的氧化層上方形成有多晶硅場板；然后對LDMOS晶體管的耗盡區進行雜質離子注入，其中，對無多晶硅場板覆蓋的LD...

本發明公開了一種終端環的制造方法；包括以下步驟：步驟1、沉積場氧與高阻多晶硅；步驟2、場氧層光刻，刻蝕多晶硅至氧化層，然后切換刻蝕工藝，以多晶硅為硬掩模層部分刻蝕場氧；步驟3、各向同性刻蝕場氧至硅基板；步驟4、沉積金屬；步驟5、刻蝕金屬...

本發明公開了一種絕緣柵晶體管器件及其制造工藝方法，通過高能離子注入在P阱區和N+發射極的界面處形成一層金屬硅化物，在N+發射極的部分區域(埋層金屬硅化物上方)需要與發射極連接的區域，采用高能離子注入加快速熱處理的方式形成較高濃度的離子摻...

本發明公開了一種背面圖形化的方法，包括以下步驟：將器件硅片A的背面A2向上，在A2上形成進入硅本體的深溝槽的對準標記；對器件硅片A的背面A2采用正面光刻工藝，進行注入或刻蝕形成背面圖形區；對器件硅片A的背面A2采用正面成膜工藝，沉積研磨...

本發明公開了一種在高壓NPN三極管中集成中壓NPN三極管的方法，包括步驟：提供一半導體襯底并形成淺溝槽和有源區；在各有源區兩側的淺溝槽的底部形成贗埋層；在中壓NPN三極管區域進行磷離子注入；進行退火推進，磷離子通過橫向和縱向擴散將中壓N...

本發明公開了一種無缺陷選擇性外延的生長方法，包括：1)在外延生長前，對硅片進行預處理，形成厭氧表面；2)在厭氧表面，淀積介質層后，經光刻、干法刻蝕后，形成晶向溝道側壁和外延生長窗口；并采用爐管熱氧化工藝，消耗表面硅損傷層，并通過濕法刻蝕...

本發明公開了一種超厚非感光性光刻膠的刻蝕工藝方法，包括以下步驟：旋涂非感光性光刻膠；旋涂光刻膠；曝光光刻膠，并直接進行顯影；硅片刻蝕并進行清洗。本發明可以降低超厚光刻膠的刻蝕時間，提高產能，降低制造成本。

本申請公開了一種差分電感仿真方法，考慮工藝波動的影響，根據工藝線上的金屬線寬監控值添加反應工藝波動的線寬統計分布修正項，對差分電感的金屬線寬度、金屬線間距、金屬電阻率進行修正，根據修正后的差分電感的金屬線寬度、金屬線間距、金屬電阻率，通...

本發明公開了一種電流鏡像電路，包括：3個PMOS管，編號為P1至P3；4個NMOS管，編號為N1至N4；電阻R1和可變電阻R2以及1個運算放大器；P1至P3源極和襯底接電源，P1至P3柵極接運算放大器輸出端；P1漏極接運算放大器正相輸入...

本申請公開了一種電壓調整電路，包括一運算放大器、一驅動管、一反饋電阻，還包括一PMOS管、一NMOS管；所述驅動管的柵極接所述運算放大器的輸出，所述驅動管的源漏一端接外部電壓，所述驅動管的源漏另一端作為調整電壓輸出端并接所述PMOS管的...