本發明專利技術公開了一種新型平板式PECVD氣路接孔結構,特氣氣孔的輸出端連通有新型特氣孔接頭,新型特氣孔接頭具有頂端封閉的管體,在管體的側壁上開設有多個側孔,每個側孔的輸出端均連通有側管,每個側管的輸出方向與特氣氣孔的輸出方向相同。本發明專利技術提供的新型平板式PECVD氣路接孔結構,通過在特氣氣孔的輸出端連通具有多個側孔的新型特氣孔接頭,避免出現某一位置特氣孔堵塞的現象從而保證設備運行的長時間的穩定性,從而延長設備維護周期,增加設備的產量,另外減少因為特氣孔的堵塞對沉積的氮化硅膜層厚度的不同導致片間色差等不合格片的產生,提高產品的合格率。本發明專利技術還公開了一種應用了上述氣路接孔結構的新型平板式PECVD設備。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及化工
,特別涉及一種新型平板式PECVD設備及其氣路接孔結構。
技術介紹
氮化硅薄膜具有高的化學穩定性、高電阻率、絕緣性好、硬度高、光學性能良好等特性,在太陽能電池上得到廣泛的應用。目前,平板式PECVD和管式PECVD在工業生產中得到了廣泛應用。相對管式PECVD,平板式PECVD有著均勻性好和產量高的特點。平板式PECVD設備被廣泛應用。 現有的平板式PECVD設備中,沉積氮化硅膜用的氣路一般包括4,6,8路等,其中每一路的示意圖如圖I所示。每一個氣路I上面開有不同數量的直徑為O. 8-1. 5mm的特氣氣孔2,將管路中的特氣3引入到反應腔室中,發生反應沉積出氮化硅膜,4為流量計。但是平板式PECV D設備在運行一段時間后,因為各氣路的特氣氣孔會沉積氮化硅和硅顆粒等發生不同程度的堵塞,如果其中一個孔堵塞,該處氣體流量將會下降,但是氣體總流量不變,則其他位置的氣體流量將會變大,進而導致不同位置沉積的氮化硅膜厚度出現變化,均勻性變差,對氮化硅膜的穩定性以及可能會引起色差導致硅片的不合格。當氮化硅膜層厚度因為氣孔的堵塞出現偏差較大時,經工藝調整不能解決的便需要對設備進行維護,打通氣孔,從而嚴重影響著PECVD設備運行的穩定性,并增加了設備維護的成本,耽誤著生產線上的產量。因此,如何降低設備運行中特氣孔發生堵塞的幾率,減少特氣孔對沉積氮化硅膜層厚度的影響,成為本領域技術人員亟待解決的重要技術問題。
技術實現思路
有鑒于此,本專利技術提供了一種新型平板式PECVD氣路接孔結構,降低設備運行中特氣孔發生堵塞的幾率,減少特氣孔對沉積氮化硅膜層厚度的影響。本專利技術還提供了一種采用上述氣路接孔結構的新型平板式PECVD設備。為實現上述目的,本專利技術提供如下技術方案一種新型平板式PECVD氣路接孔結構,特氣氣孔的輸出端連通有新型特氣孔接頭,所述新型特氣孔接頭具有頂端封閉的管體,在所述管體的側壁上開設有多個側孔,每個所述側孔的輸出端均連通有側管,每個所述側管的輸出方向與所述特氣氣孔的輸出方向相同。優選的,多個所述側孔及其對應的所述側管在所述新型特氣孔接頭的側壁上沿周向均勻分布。優選的,相鄰的兩個所述側孔的高度不相同。優選的,多個所述側孔采用低位和高位相間的方式分布在所述管體的側壁上。優選的,位于低位的多個所述側孔的高度相同,組成第一側孔組;位于高位的多個所述側孔的高度相同,組成第二側孔組。優選的,所述第一側孔組的多個所述側孔位于所述特氣氣孔的上方I. 5_2mm處,所述第二側孔組的多個所述側孔位于所述特氣氣孔的上方4-5mm處。優選的,所述側管的孔徑具體為0. 8-1. 5_。優選的,每個所述側管輸出端的開口高度平齊,與所述管體的頂端處于同一水平面上。優選的,所述管體具有八個側面,每個側面上均開設有一個所述側孔,八個所述側孔采用低位和高位相間的方式分布,位于低位的四個所述側孔均為位于所述特氣氣孔的上方I. 5-2mm處,位于高位的四個所述側孔均為位于所述特氣氣孔的上方4_5mm處。 一種新型平板式PECVD設備,包括沉積氮化硅膜用的氣路,在所述氣路的特氣氣孔的輸出端連通有上述的新型特氣孔接頭。從上述的技術方案可以看出,本專利技術提供的新型平板式PECVD氣路接孔結構,通過在特氣氣孔的輸出端連通具有多個側孔的新型特氣孔接頭,由原來的一個氣孔變為多個出氣孔,降低了堵塞的幾率;同時即使發生堵塞,也不影響該位置的總的特氣流量,所以避免了該位置沉積的氮化硅膜層厚度發生較大的變化。另一方面,可以延長設備使用時間,增加了生產周期,相對降低了設備維護費用和提高了產量。進一步的,通過減少氮化硅膜層厚度差異較大的情況,從而可以減少色差片的出現,提高該工序的產品合格率。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現有技術中平板式PECVD設備其特氣管路的結構示意圖;圖2為增加本專利技術實施例提供的新型特氣孔接頭后氣路的結構示意圖;圖3為本專利技術實施例提供的新型特氣孔接頭側面展開氣孔位置示意圖;圖4為本專利技術實施例提供的新型特氣孔接頭的頂視圖;圖5為側壁高低位開孔位置連接氣管和氣體流向的示意圖。其中,I為氣路,2為特氣氣孔,3為特氣,4為流量計,5為新型特氣孔接頭,51為管體,52為側孔,53為側管。具體實施例方式本專利技術的核心在于公開了一種新型平板式PECVD氣路接孔結構,降低設備運行中特氣孔發生堵塞的幾率,減少特氣孔對沉積氮化硅膜層厚度的影響。為了便于理解,現將本專利技術涉及到的技術名詞解釋如下PECVD :等離子增強型化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)是借助微波使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。特氣平板式PECVD中通入的SiH4和NH3。片間色差同一石墨舟上鍍膜后片與片之間的膜厚與顏色差別。下面將結合本專利技術實施例中的附圖,對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本專利技術保護的范圍。請參閱圖2-圖5,圖2為增加本專利技術實施例提供的新型特氣孔接頭后氣路的結構示意圖;圖3為本專利技術實施例提供的新型特氣孔接頭側面展開氣孔位置示意圖;圖4為本專利技術實施例提供的新型特氣孔接頭的頂視圖;圖5為側壁高低位開孔位置連接氣管和氣體流向的示意圖。本專利技術實施例提供的新型平板式PECVD氣路接孔結構,其核心專利技術點在于,特氣氣孔2的輸出端連通有新型特氣孔接頭5,該新型特氣孔接頭5具有頂端封閉的管體51,在管體51的側壁上開設有多個側孔52,每個側孔52的輸出端均連通有側管53,每個側管53的輸出方向與特氣氣孔2的輸出方向相同。這樣一來,經過新型特氣孔接頭5的特氣3最終的輸出方向與傳統結構中直接從特氣氣孔2中出來的相同,保證了氮化硅膜的正常沉積。從上述的技術方案可以看出,本專利技術實施例提供的新型平板式PECVD氣路接孔結構,通過在特氣氣孔2的輸出端連通具有多個側孔52的新型特氣孔接頭5,由原來的一個氣孔變為多個出氣孔,降低了堵塞的幾率;同時即使發生堵塞,也不影響該位置的總的特氣3流量,所以避免了該位置沉積的氮化硅膜層厚度發生較大的變化。另一方面,可以延長設備使用時間,增加了生產周期,相對降低了設備維護費用和提高了產量。進一步的,通過減少氮化硅膜層厚度差異較大的情況,從而可以減少色差片的出現,提高該工序的產品合格率。作為優選,多個側孔52及其對應的側管53在新型特氣孔接頭5的側壁上沿周向均勻分布,保證了特氣3從新型特氣孔接頭5中均勻的流出,提高了氮化硅膜沉積的質量。為了進一步優化上述的技術方案,相鄰的兩個側孔52的高度不相同。通過將多個側孔52在高度方向上錯開,降低了處于同一個水平面上的多個側孔52同時發生堵塞的幾率。 至于多個側孔52不同高度本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種新型平板式PECVD氣路接孔結構,其特征在于,特氣氣孔的輸出端連通有新型特氣孔接頭,所述新型特氣孔接頭具有頂端封閉的管體,在所述管體的側壁上開設有多個側孔,每個所述側孔的輸出端均連通有側管,每個所述側管的輸出方向與所述特氣氣孔的輸出方向相同。
【技術特征摘要】
1.一種新型平板式PECVD氣路接孔結構,其特征在于,特氣氣孔的輸出端連通有新型特氣孔接頭,所述新型特氣孔接頭具有頂端封閉的管體,在所述管體的側壁上開設有多個側孔,每個所述側孔的輸出端均連通有側管,每個所述側管的輸出方向與所述特氣氣孔的輸出方向相同。2.根據權利要求I所述的新型平板式PECVD氣路接孔結構,其特征在于,多個所述側孔及其對應的所述側管在所述新型特氣孔接頭的側壁上沿周向均勻分布。3.根據權利要求2所述的新型平板式PECVD氣路接孔結構,其特征在于,相鄰的兩個所述側孔的高度不相同。4.根據權利要求3所述的新型平板式PECVD氣路接孔結構,其特征在于,多個所述側孔采用低位和高位相間的方式分布在所述管體的側壁上。5.根據權利要求4所述的新型平板式PECVD氣路接孔結構,其特征在于,位于低位的多個所述側孔的高度相同,組成第一側孔組;位于高位的多個所述側孔的高度相同,組成第二側孔組。6.根據權利要求5所述的新型平板式PECVD氣路接孔結構,其...
【專利技術屬性】
技術研發人員:范志東,田世雄,馬繼奎,湯歡,
申請(專利權)人:英利能源中國有限公司,
類型:發明
國別省市:
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