本發明專利技術公開一種用于平板顯示器的化學氣相沉積（chemical?vapor?deposition；CVD）裝置，所述裝置包括：基座，用于支撐基板；真空室，在所述真空室中對所述基板執行沉積工藝，且所述真空室包括形成于其底部中心區域上并使用于向上/向下移動所述基座的柱穿過其中的柱通孔、以及與所述柱通孔間隔開的真空抽吸端口；以及真空抽吸控制單元，其與所述真空抽吸端口相連接并控制所述真空室中的抽吸位置。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置，更具體而言，涉及如下一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置其中調整真空室內的抽吸位置，以使所述真空室內的壓力分布均勻，因此提高對基板的沉積品質，并在結構上改良用于相對于所述真空室放入或取出基板的狹縫閥總成。
技術介紹
平板顯示器已被廣泛用作電視機、計算機等的顯示器、以及個人移動終端。存在各種平板顯示器，例如液晶顯示器(liquid crystal display ;LCD)、等離子體顯示面板 (plasma display panel ;PDP)、有機發光二極管(organic light emitting diode ；0LED)坐寸ο有機發光顯示器(organic light emitting display ;0LED)為基于其自身中的有機材料的發光而顯示彩色圖像的超薄顯示器，鑒于其結構簡單及光學效率高，有機發光顯示器已作為下一代頗有前景的平板顯示器而受到關注。為制造此種有機發光顯示器(OLED)的基板，需重復地實現對無機材料的沉積及圖案化工藝，以在基板上形成薄膜晶體管(thin film transistor ;TFT),并隨后沉積有機材料以形成發光單元。通常而言，沉積于有機發光顯示器(OLED)的基板上的無機材料是通過化學氣相沉積(chemical vapor deposition ;CVD)工藝而沉積,這是因為CVD工藝有利于形成各種薄膜。以下將簡單地闡述CVD工藝，其為用于制造有機發光顯示器(OLED)的基板的沉積工藝其中之一。在CVD工藝中，在外部高頻電源作用下處于等離子體狀態并具有高能量的硅化合物離子通過電極而自氣體分配板濺射并沉積于玻璃基板上。此過程在用于CVD工藝的真空室中實現。一種用于CVD的裝置包括真空室，在所述真空室中對玻璃基板執行沉積工藝；電極，設置于所述真空室中，并將作為沉積材料的預定硅化合物離子濺射至作為沉積對象的玻璃基板；基座，設置于所述真空室中并支撐所述玻璃基板；以及柱，其具有耦合至所述基座的中心區域的上端部及穿過所述真空室而向下暴露的下端部，并支撐所述基座以向上及向下移動。所述真空室形成有供所述柱穿過的柱通孔(column through hole)。所述柱通孔形成于所述真空室的底部中心區域上。同時，CVD工藝需要所述真空室中處于真空狀態。為使所述真空室的內部處于真空狀態，使所述真空室連接至真空泵。與所述真空室相連接的所述真空泵將氣體抽出所述真空室，并因此使所述真空室為真空的。為實現所述真空泵的抽吸操作，在所述真空室的底部上設置真空抽吸端口并使其連接至所述真空泵。在如圖I所示的用于平板顯示器的傳統CVD裝置中，柱通孔2形成于真空室I的底部的中心部中，且真空抽吸端口 3設置于與柱通孔2間隔開的位置處。換言之，真空抽吸端口 3設置于欲與真空室I的底部的中心部間隔開的位置處。由于真空抽吸端口 3設置于與真空室I的中心部偏離的位置處，因此當真空室I 中的氣體通過真空抽吸端口 3而被抽出時，真空室I中的壓力分布會不均勻。因此，與真空室I的中心部偏離的真空抽吸端口 3會在真空室I中造成局部壓力差，且該局部壓力差會使玻璃基板上的沉積品質劣化，從而對CVD工藝產生不良影響。此外，在其中對基板執行沉積工藝的真空室I的外壁上設置有形狀像狹縫的閘門 G，且在閘門G的附近設置有用于閉合及打開該狹縫的狹縫閥(圖中未顯示)。傳統的狹縫閥被單獨地制造成腔室形式，并視需要而在使用時組裝至真空室I的外壁。然而，由于狹縫閥被單獨地制造并組裝至真空室I的外壁，因此該狹縫閥所組裝至的真空室I的外壁與其中容納有該狹縫閥的閥室(圖中未顯示)的外壁之間的死空間 (dead space)變得更大。因此，很有可能會使處理結果在狹縫閥附近陷入混亂，且不必要的死空間會增大整個裝置的占用面積(footprint)。
技術實現思路
本專利技術的一個方面是提供一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置，在所述裝置中調整真空室內的抽吸位置而使所述真空室內的壓力分布均勻，并因此提高對基板的沉積品質。本專利技術的另一方面是提供一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置，其包括狹縫閥總成，以減小狹縫閥所組裝至的真空室的外壁與其中容納有狹縫閥的閥室的外壁之間的傳統死空間。根據本專利技術的一個方面，提供一種用于平板顯示器的化學氣相沉積(CVD)裝置，所述裝置包括基座，用于支撐基板；真空室，在所述真空室中對所述基板執行沉積工藝，且所述真空室包括形成于其底部中心區域上并使用于向上/向下移動所述基座的柱穿過其中的柱通孔、以及與所述柱通孔間隔開的真空抽吸端口 ；以及真空抽吸控制單元，其與所述真空抽吸端口相連接并控制所述真空室中的抽吸位置。所述真空抽吸控制單元可包括抽吸控制通道，具有大于所述真空抽吸端口的橫截面積并與所述真空抽吸端口相連通；以及抽吸控制蓋，用于自上側覆蓋所述抽吸控制通道并以穿透方式形成有多個彼此間隔開的抽吸控制孔，以與所述抽吸控制通道相連通。所述多個抽吸控制孔可相對于穿過所述柱通孔及所述真空抽吸端口的參考線而對稱地設置。所述多個抽吸控制孔可包括相對于穿過所述柱通孔及所述真空抽吸端口的參考線而對稱地設置的兩個抽吸控制孔。所述抽吸控制通道可在距所述真空室的底部預定深度處凹陷。所述抽吸控制通道可具有關于穿過所述柱通孔及所述真空抽吸端口的參考線而對稱的環形形狀或U形形狀其中之一。所述抽吸控制蓋可包括頂部，其上形成有所述多個抽吸控制孔；以及側部，自所述頂部延伸并向下彎曲。所述側部可形成有自其底部凹陷預定深度的溝槽，且所述真空室的所述底部可形成有肋，所述肋欲被插入于所述溝槽中。所述裝置還可包括設置于所述溝槽與所述肋之間的O形環。所述側部可形成有自其底部突出的插入突出部，且所述真空室的所述底部可形成有插入孔，所述插入突出部強制配合于所述插入孔。所述裝置還可包括基座支架，耦合至所述真空室中的所述柱，在其頂部的至少一個區域處被接觸支撐于所述基座的后部上，并用于自下側支撐所述基座，以防止所述基座下垂。根據本專利技術的一個方面，提供一種用于平板顯示器的化學氣相沉積(CVD)裝置，所述裝置包括真空室，其包括下腔室及耦合至所述下腔室的頂部的上腔室，所述下腔室設置有狹縫，通過所述狹縫而放入或取出基板；以及狹縫閥總成，其被整合于所述真空室中，并打開所述狹縫以容許所述基板進入所述真空室中或閉合所述狹縫以保持所述真空室為真空的，所述狹縫閥總成包括閥室，被設置成共用所述下腔室的一個側壁；以及狹縫閥，設置于所述閥室中并用于打開/閉合所述狹縫。所述閥室可包括共用壁，形成有狹縫并被共用為所述真空室的一個側壁及所述閥室的一個側壁；以及閥壁，與所述共用壁間隔開并形成有閘門，所述閘門與所述狹縫相連通并容許所述基板進出。所述裝置還可包括閥蓋，可拆卸地耦合至所述共用壁的頂部及所述閥壁的頂部， 并形成密封的空間。所述閥蓋可被設置成重物，以用于平衡由于所述上腔室的負載而施加至所述共用壁的彎矩(bending moment)及防止所述共用壁由于所述上腔室的所述負載而下垂。所述裝置還可包括防下垂螺栓，緊固于所述閥壁與所述共用壁之間并防止所述共用壁由于所述上腔室而下垂。所述裝置還可包括防下垂螺栓，耦合于所述閥蓋與所述共用壁之間并防止所述共用壁由于所述上腔室而本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置，所述裝置包括：基座，用于支撐基板；真空室，在所述真空室中對所述基板執行沉積工藝，且所述真空室包括：柱通孔，形成于所述真空室的底部中心區域上并使用于向上/向下移動所述基座的柱穿過其中；以及真空抽吸端口，與所述柱通孔間隔開；以及真空抽吸控制單元，其與所述真空抽吸端口相連接并控制所述真空室中的抽吸位置。
【技術特征摘要】
2011.09.05 KR 10-2011-0089405;2011.09.16 KR 10-201.一種用于平板顯示器的化學氣相沉積裝置，所述裝置包括 基座，用于支撐基板； 真空室，在所述真空室中對所述基板執行沉積工藝，且所述真空室包括柱通孔，形成于所述真空室的底部中心區域上并使用于向上/向下移動所述基座的柱穿過其中；以及真空抽吸端口，與所述柱通孔間隔開；以及 真空抽吸控制單元，其與所述真空抽吸端口相連接并控制所述真空室中的抽吸位置。2.如權利要求I所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述真空抽吸控制單元包括 抽吸控制通道，具有大于所述真空抽吸端口的橫截面積并與所述真空抽吸端口相連通；以及 抽吸控制蓋，用于自上側覆蓋所述抽吸控制通道并以穿透方式形成有多個彼此間隔開的抽吸控制孔，以與所述抽吸控制通道相連通。3.如權利要求2所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述多個抽吸控制孔相對于穿過所述柱通孔及所述真空抽吸端口的參考線而對稱地設置。4.如權利要求2所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述多個抽吸控制孔包括相對于穿過所述柱通孔及所述真空抽吸端口的參考線而對稱地設置的兩個抽吸控制孔。5.如權利要求2所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述抽吸控制通道自所述真空室的底部凹陷預定的深度。6.如權利要求5所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述抽吸控制通道具有關于穿過所述柱通孔及所述真空抽吸端口的參考線而對稱的環形形狀或U形形狀其中之一。7.如權利要求5所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述抽吸控制蓋包括 頂部，其上形成有所述多個抽吸控制孔；以及 側部，自所述頂部延伸并向下彎曲。8.如權利要求7所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述側部形成有自其底部凹陷預定深度的溝槽，以及 所述真空室的所述底部形成有肋，所述肋欲被插入于所述溝槽中。9.如權利要求8所述的化學氣相沉積裝置，還包括設置于所述溝槽與所述肋之間的O形環。10.如權利要求7所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述側部形成有自其底部突出的插入突出部，以及 所述真空室的所述底部形成有插入孔，所述插入突出部強制配合于所述插入孔。11.如權利要求I所述的化學氣相沉積裝置，還包括基座支架，耦合至所述真空室中的所述柱，在其頂部的至少一個區域處被接觸支撐于所述基座的后部上，并用于支撐所述基座的下側，以防止所述基座下垂。12.一種用于平板顯示器...
【專利技術屬性】
技術研發人員：金榮敏，李春秀，權泰均，樸美星，鄭元基，
申請(專利權)人：SFA工程股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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