本發(fā)明專利技術(shù)提供成膜裝置，包括：旋轉(zhuǎn)臺，其設(shè)于真空容器內(nèi)，在其上表面上沿周向具有用于載置基板的多個基板載置區(qū)域，并且用于使該基板載置區(qū)域旋轉(zhuǎn)；氣體噴嘴，其以從基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)置，沿其長度方向形成有用于噴出氣體的氣體噴出口；排氣口，其設(shè)于氣體噴嘴的靠旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向側(cè)且比旋轉(zhuǎn)臺的外緣靠外側(cè)的位置，用于排出氣體；限制構(gòu)件，其包括壁部，該壁部配置于氣體噴嘴與排氣口之間，設(shè)置為在基板載置區(qū)域載置有基板時能夠供氣體從該壁部與該基板之間通過的間隙從基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣，并且，該壁部在從基板載置區(qū)域的內(nèi)緣到外緣之間的至少一部分區(qū)域?qū)怏w噴嘴與排氣口之間隔開。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種成膜裝置。
技術(shù)介紹
作為在半導體晶圓(以下稱為“晶圓”)等基板上形成例如氧化硅膜(SiO2)等薄膜的方法之一，能夠列舉出原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)法。在ALD法中，例如，按順序?qū)⒂糜谶M行反應的多種處理氣體(反應氣體)供給到基板的表面而使反應生成物層疊于基板的表面。作為利用該ALD法進行成膜處理的成膜裝置，例如，如專利文獻I和專利文獻2所記載的那樣，公知有如下的裝置使多張基板在設(shè)于真空容器內(nèi)的旋轉(zhuǎn)臺上沿著周向排列，接著，使旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)，從而從第I反應氣體噴嘴和第2反應氣體噴嘴按順序向上述基板供給各處理氣體。第I反應氣體噴嘴和第2反應氣體噴嘴的下方區(qū)域分別相當于第I處理區(qū)域和第2處理區(qū)域，在這些第I處理區(qū)域和第2處理區(qū)域之間形成有用于使分離氣體流過這些處理區(qū)域的分離區(qū)域。并且，在第I處理區(qū)域和第2處理區(qū)域，在旋轉(zhuǎn)臺的周緣側(cè)設(shè)有用于對真空容器內(nèi)進行排氣的排氣口。在上述第I處理區(qū)域和第2處理區(qū)域中，第I反應氣體和第2反應氣體連同分離氣體一起流向排氣口。因此，能夠抑制第I反應氣體和第2反應氣體的混合，能夠利用ALD法進行良好的成膜處理。此處，在專利文獻3中，記載有以下結(jié)構(gòu)在用于沿周向?qū)⒍鄰埦A載置到被構(gòu)成為旋轉(zhuǎn)自如的水平的基板晶圓載置用基座上的裝置中，在氣體導入管的周圍設(shè)置氣體排出管，利用氣體排出管排出載體氣體與剩余的反應氣體。專利文獻I :日本特開2010-239102號公報專利文獻2 :日本特開2011-40574號公報專利文獻3 :日本特開平1-249694號公報(圖7)
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)是基于這種情況而提出的，其目的在于提供一種能夠進行面內(nèi)均勻性較高的成膜處理的技術(shù)。本專利技術(shù)的一技術(shù)方案提供一種成膜裝置，其在真空容器內(nèi)向基板供給氣體以在上述基板上形成薄膜，其中，該成膜裝置包括旋轉(zhuǎn)臺，其設(shè)于上述真空容器內(nèi)，在其上表面上沿周向具有用于載置基板的多個基板載置區(qū)域，并且，該旋轉(zhuǎn)臺用于使該基板載置區(qū)域旋轉(zhuǎn)；氣體噴嘴，其以從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)置，沿其長度方向形成有分別用于噴出氣體的多個氣體噴出口 ；排氣口，其設(shè)于上述氣體噴嘴的靠上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向側(cè)且比上述旋轉(zhuǎn)臺的外緣靠外側(cè)的位置，用于排出上述氣體；限制構(gòu)件，其包括壁部，該壁部配置于上述氣體噴嘴與上述排氣口之間，該壁部設(shè)置為在上述基板載置區(qū)域載置有基板時能夠供氣體從該壁部與該基板之間通過的間隙從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣，并且，該壁部在從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣到外緣之間的至少一部分區(qū)域?qū)⑸鲜鰵怏w噴嘴與上述排氣口之間隔開。附圖說明圖I是本專利技術(shù)的實施方式的成膜裝置的縱剖側(cè)視圖。圖2是上述成膜裝置的內(nèi)部的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。圖3是上述成膜裝置的橫剖俯視圖。圖4A和圖4B是表示上述成膜裝置的處理區(qū)域和分離區(qū)域的縱剖側(cè)視圖。圖5是上述成膜裝置的縱剖側(cè)視圖。圖6是上述成膜裝置的局部縱剖側(cè)視圖。 圖7是表示設(shè)于上述成膜裝置中的排氣管的立體圖。圖8是表示處理氣體和分離氣體的流動情況的俯視圖。圖9是表示處理氣體和分離氣體的流動情況的俯視圖。圖10是表示上述成膜裝置的其他例子的俯視圖。圖11是表示上述成膜裝置的又一例子的俯視圖。圖12是上述排氣管的其他例子的立體圖。圖13是表示處理氣體和分離氣體的流動情況的俯視圖。圖14是上述排氣管的再一例子的立體圖。圖15是表示上述成膜裝置的再一例子的俯視圖。圖16是本專利技術(shù)的實施方式的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖17是表示圖16所示的成膜裝置的一部分的縱剖視圖。圖18是表示處理氣體和分離氣體的流動情況的俯視圖。圖19是表示上述成膜裝置的再一例子的俯視圖。圖20是表示設(shè)于圖19所示的成膜裝置中的噴嘴罩與處理氣體噴嘴的立體圖。圖21是表示氣體的流動的剖視圖。圖22是表示實施例I與比較例Ia的結(jié)果的圖表。圖23是表示實施例I與比較例Ia的結(jié)果的圖表。圖24是表示實施例Ib的壓力分布的俯視圖。圖25是表示比較例Ic的壓力分布的俯視圖。圖26是表示實施例Ib的氣體的擴散狀態(tài)的俯視圖。圖27是表示比較例Ic的氣體的擴散狀態(tài)的俯視圖。圖28是表示實施例Ib的氣體流動軌跡的俯視圖。圖29是表示比較例Ic的氣體流動軌跡的俯視圖。圖30是表示實施例2的壓力分布的俯視圖。圖31是表示實施例2的氣體的擴散狀態(tài)的俯視圖。圖32是表示實施例3的壓力分布的俯視圖。圖33是表示實施例3的氣體的擴散狀態(tài)的俯視圖。圖34是表示實施例4的壓力分布的俯視圖。圖35是表示實施例4的氣體的擴散狀態(tài)的俯視圖。圖36是表示氣體的流動的剖視圖。具體實施例方式第I實施方式在本實施方式中，以限制構(gòu)件為排氣管的情況為例進行說明。參照圖I 圖7來說明本實施方式的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的一例。圖I是成膜裝置10的縱剖側(cè)視圖，圖2是成膜裝置10的立體圖，圖3是成膜裝置10的橫剖俯視圖，圖4A和圖4B是成膜裝置10的縱剖側(cè)視圖，圖5是成膜裝置10的縱剖俯視圖。此外，圖I為圖3的1-1’剖視圖，圖5為圖3的H-H’剖視圖。圖6是表示成膜裝置10的設(shè)有排氣管7的部位的局部縱剖側(cè)視圖。圖7是表示成膜裝置10的排氣管7的結(jié)構(gòu)的立體圖。 如圖I所示，本實施方式的成膜裝置10包括俯視形狀為大致圓形的扁平的真空容器I、旋轉(zhuǎn)臺2、加熱器單元7、殼體20、芯部21、旋轉(zhuǎn)軸22、驅(qū)動部23、分離氣體供給管30a、吹掃氣體供給管30b、罩構(gòu)件51、加熱器罩構(gòu)件52、吹掃氣體供給管53、第I排氣口 61和第2排氣口 62 (參照圖3)、分別設(shè)于第I排氣口 61和第2排氣口 62的排氣管63、壓力調(diào)整部64和真空泵65、控制部100。并且，如圖2和圖3所示，成膜裝置10包括分離氣體噴嘴41、第I處理氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42、及第2處理氣體噴嘴32。真空容器I包括容器主體12 ;頂板11，其以相對于容器主體12能夠裝卸的方式構(gòu)成；密封構(gòu)件13，其以環(huán)狀設(shè)于容器主體12的上表面的周緣部。密封構(gòu)件13例如為0型環(huán)。分離氣體供給管30a與頂板11的上表面?zhèn)鹊闹醒氩肯噙B接。分離氣體供給管30a用于供給分離氣體，該分離氣體用于抑制彼此不同的處理氣體在真空容器I內(nèi)的中心部區(qū)域彼此相互混合。旋轉(zhuǎn)臺2設(shè)于真空容器I內(nèi)，在真空容器I的中心具有旋轉(zhuǎn)中心，旋轉(zhuǎn)臺2能沿水平面旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)臺2在其中心部被固定于大致圓筒狀的芯部21。芯部21利用沿鉛垂方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸22而繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)，在該例子中構(gòu)成為沿順時針方向旋轉(zhuǎn)自如。驅(qū)動部23用于使旋轉(zhuǎn)軸22繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)。殼體20用于容納旋轉(zhuǎn)軸22和驅(qū)動部23。殼體20的上表面?zhèn)鹊耐咕壊糠謿饷艿匕惭b于真空容器I的底面部14的下表面。吹掃氣體供給管30b與殼體20相連接。吹掃氣體供給管30b用于向旋轉(zhuǎn)臺2的下方區(qū)域供給作為吹掃氣體的N2氣體。真空容器I的容器主體12在底面部14的靠芯部21外周的部分具有以從下方側(cè)靠近旋轉(zhuǎn)臺2的方式形成為環(huán)狀的突出部12a。如圖2和圖3所示，在旋轉(zhuǎn)臺2的表面，沿著旋轉(zhuǎn)方向(周向)R設(shè)有作為基板載置區(qū)域的圓形的凹部24，該凹部24用于載置多張、例如5張作為基板的晶圓W。凹部24的直徑尺寸和深度尺寸分別被設(shè)定為，例如晶圓W放入(容納)到該凹部24時，晶圓W的表面與旋轉(zhuǎn)臺2的表面(不用于載置晶圓W的區(qū)域)齊本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種成膜裝置，其在真空容器內(nèi)向基板供給氣體以在上述基板上形成薄膜，其中，該成膜裝置包括：旋轉(zhuǎn)臺，其設(shè)于上述真空容器內(nèi)，在其上表面上沿周向具有用于載置基板的多個基板載置區(qū)域，并且，該旋轉(zhuǎn)臺用于使該基板載置區(qū)域旋轉(zhuǎn)；氣體噴嘴，其以從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣的方式設(shè)置，沿其長度方向形成有分別用于噴出氣體的多個氣體噴出口；排氣口，其設(shè)于上述氣體噴嘴的靠上述旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向側(cè)且比上述旋轉(zhuǎn)臺的外緣靠外側(cè)的位置，用于排出上述氣體；限制構(gòu)件，其包括壁部，該壁部配置于上述氣體噴嘴與上述排氣口之間，該壁部設(shè)置為在上述基板載置區(qū)域上載置有基板時能夠供氣體從該壁部與該基板之間通過的間隙從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣延伸到外緣，并且，該壁部在從上述基板載置區(qū)域的內(nèi)緣到外緣之間的至少一部分區(qū)域?qū)⑸鲜鰵怏w噴嘴與上述排氣口之間隔開。
【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：加藤壽，牛窪繁博，菱谷克幸，
申請(專利權(quán))人：東京毅力科創(chuàng)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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