本實(shí)用新型專利技術(shù)公開(kāi)了一種堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，包括電解槽（1）和與電解槽（1）相連的溫控槽（3），電解槽（1）上端設(shè)有將電解槽（1）和溫控槽（3）連通的兩根平行的溢流管（2），電解槽（1）下端設(shè)有循環(huán)管（8）和出水管（6），循環(huán)管（8）一端與電解槽（1）連通，另一端與溫控槽（3）下端連通，循環(huán)管（8）上還設(shè)有循環(huán)泵（9），所述溫控槽（3）底端還設(shè)有母液管（4）。本實(shí)用新型專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于：本實(shí)用新型專利技術(shù)設(shè)計(jì)的這種堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，具有效率高，成本低，占地面積少，無(wú)任何排放的優(yōu)點(diǎn)。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種廢液凈化循環(huán)再生設(shè)備，具體是指一種堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備。
技術(shù)介紹
隨著電子行業(yè)的回暖，中國(guó)線路板行業(yè)發(fā)展隨之也普遍回升，據(jù)《2009-2012年中國(guó)印刷電路板行業(yè)發(fā)展與前景預(yù)測(cè)分析報(bào)告》指出，中國(guó)將在近年成為世界最大的PCB產(chǎn)業(yè)基地，目前占全球市場(chǎng)的30%左右。同時(shí)，四川遂寧目前已經(jīng)是國(guó)家審批的“西南電路板(PCB)產(chǎn)業(yè)制造基地”，川渝兩地方正電子、富士康電子等PCB產(chǎn)業(yè)巨頭的入駐，沿海大量的線路板廠內(nèi)遷，PCB行業(yè)將迎來(lái)巨大的商機(jī)。 印刷電路板時(shí)電器和電子產(chǎn)品的重要組件，應(yīng)用非常普遍,其中蝕刻工序是PCB生產(chǎn)流程中比重最大的一部分，當(dāng)蝕刻液由于溶解的物質(zhì)太多而使蝕刻指標(biāo)(包括速度、側(cè)蝕系數(shù)、表面潔凈性等)低于工藝要求時(shí)，即成為蝕刻廢液?，F(xiàn)如今PCB行業(yè)所排放的蝕刻廢液量每年呈迅速遞增趨勢(shì)，這使得對(duì)蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備的要求也越來(lái)越高，總的來(lái)說(shuō)，目前的蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備大多存在效率低、成本聞、占地面積大、有二廢排出等問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)所要解決的問(wèn)題是提供一種堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，用以解決以往的蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備效率低，成本高，占地面積大，循環(huán)過(guò)程中有三廢排出的問(wèn)題。本技術(shù)提供的技術(shù)方案是堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，包括電解槽和與電解槽相連的溫控槽，電解槽上端設(shè)有將電解槽和溫控槽連通的兩根平行的溢流管，電解槽下端設(shè)有循環(huán)管和出水管，循環(huán)管一端與電解槽連通，另一端與溫控槽下端連通，循環(huán)管上還設(shè)有循環(huán)泵，所述溫控槽底端還設(shè)有母液管。所述出水管在電解槽的出口端設(shè)有控制閥門I。電解槽在工作時(shí)控制閥門I關(guān)閉，當(dāng)內(nèi)部母液電解完全后的子液從出水管排出，此時(shí)控制閥門I打開(kāi)。所述母液管上設(shè)有控制閥門II。母液管是母液進(jìn)入溫控槽的管道，當(dāng)母液進(jìn)入堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備時(shí)，其進(jìn)入的容量達(dá)到堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備的最大容量時(shí)，關(guān)閉控制閥門II即可，當(dāng)須重新加入母液時(shí)再打開(kāi)控制閥門II。所述溫控槽的下端還設(shè)有排污管，排污管上設(shè)有開(kāi)關(guān)閥門，所述排污管與出水管連通。排污管的作用基本定位為清洗溫控槽時(shí)的污水流通管道，在堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備工作過(guò)程中，排污管上的開(kāi)關(guān)閥門一直處于關(guān)閉狀態(tài)。所述堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備連接有PLC自動(dòng)控制系統(tǒng)。整個(gè)設(shè)備的電解槽、溫控槽、閥門和泵均連接有PLC自動(dòng)控制系統(tǒng)，整個(gè)設(shè)備均可以通過(guò)PLC自動(dòng)控制系統(tǒng)遠(yuǎn)程監(jiān)控各個(gè)部件的狀態(tài)或控制其開(kāi)關(guān)工作，使得整個(gè)系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單，運(yùn)行也更加穩(wěn)定。本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于本技術(shù)設(shè)計(jì)的這種堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，具有效率高，成本低，占地面積少，無(wú)任何排放的優(yōu)點(diǎn)。附圖說(shuō)明圖I為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中的標(biāo)號(hào)分別表示為1、電解槽；2、溢流管；3、溫控槽；4、母液管；5、開(kāi)關(guān)閥門；6、出水管；7、控制閥門II ;8、循環(huán)管；9、循環(huán)泵；10、控制閥門I。具體實(shí)施方式實(shí)施例I·參見(jiàn)圖1，本技術(shù)提供的技術(shù)方案是堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，包括電解槽I和與電解槽I相連的溫控槽3，電解槽I上端設(shè)有將電解槽I和溫控槽3連通的兩根平行的溢流管2，電解槽I下端設(shè)有循環(huán)管8和出水管6，循環(huán)管8 一端與電解槽I連通，另一端與溫控槽3下端連通，循環(huán)管8上還設(shè)有循環(huán)泵9，所述溫控槽3底端還設(shè)有母液管4。上述出水管6在電解槽I的出口端設(shè)有控制閥門I 10。上述母液管4上設(shè)有控制閥門II 7。上述溫控槽3的下端還設(shè)有排污管，排污管上設(shè)有開(kāi)關(guān)閥門5，所述排污管與出水管連通。上述堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備連接有PLC自動(dòng)控制系統(tǒng)。在使用過(guò)程中，母液通過(guò)母液管4進(jìn)入到溫控槽3內(nèi)，通過(guò)溫控槽3內(nèi)的冷卻管結(jié)構(gòu)降至合適溫度，再通過(guò)循環(huán)管8上循環(huán)泵9作用進(jìn)入電解槽1，電解槽I內(nèi)設(shè)置有陰極板和陽(yáng)極板，通過(guò)電解作用將母液內(nèi)的銅離子電解還原成銅并吸附在陰極板上，當(dāng)電解后的母液即為子液，子液通過(guò)出水管6再排出進(jìn)入下一工序中。母液中銅離子濃度在150— 170g/l，最佳電解點(diǎn)是30g/l左右，所以電解槽I內(nèi)的銅離子含量則必須控制在30g/l，才能保證電解效率，當(dāng)?shù)陀谶@個(gè)值時(shí)就通過(guò)母液管4增加母液的進(jìn)入量，而此時(shí)電解槽I的容量過(guò)大則通過(guò)溢流管2回流到溫控槽3內(nèi)，保證電解槽I內(nèi)能夠達(dá)到最佳的電解效果。在一般情況下，控制閥門II 7、控制閥門I 10處于常開(kāi)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)閥門5處于長(zhǎng)閉狀態(tài)。當(dāng)電解槽I或者溫控槽3出現(xiàn)故障或者其他情況時(shí)，只需將控制閥門II 7和控制閥門I 10關(guān)閉，并關(guān)閉整個(gè)設(shè)備即可進(jìn)行排故工作，；當(dāng)需要對(duì)溫控槽3和電解槽I內(nèi)部進(jìn)行清洗時(shí)，只需關(guān)閉控制閥門II 7，同時(shí)打開(kāi)控制閥門I 10和開(kāi)關(guān)閥門5，即可對(duì)溫控槽3和電解槽I內(nèi)部進(jìn)行清洗，清洗的污水從出水管6排出到污水處理設(shè)備。維修和清洗起來(lái)極為方便。整個(gè)堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備占地面積少，采用封閉式的自體循環(huán)技術(shù)，整個(gè)過(guò)程不帶入其他外來(lái)物質(zhì)，也沒(méi)有產(chǎn)生有害物質(zhì)，更不會(huì)破壞蝕刻液成分，特別適用于高精度的PCB制作。如上所述即可很好的實(shí)現(xiàn)本技術(shù)。權(quán)利要求1.堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，其特征在于包括電解槽(I)和與電解槽(I)相連的溫控槽(3 )，電解槽(I)上端設(shè)有將電解槽(I)和溫控槽(3 )連通的兩根平行的溢流管(2 )，電解槽(I)下端設(shè)有循環(huán)管(8)和出水管(6)，循環(huán)管(8)—端與電解槽(I)連通，另一端與溫控槽(3 )下端連通，循環(huán)管(8 )上還設(shè)有循環(huán)泵(9 )，所述溫控槽(3 )底端還設(shè)有母液管(4 )。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，其特征在于所述出水管(6)在電解槽(I)的出口端設(shè)有控制閥門I (10)。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，其特征在于所述母液管(4)上設(shè)有控制閥門II (7)。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，其特征在于所述溫控槽(3)的下端還設(shè)有排污管，排污管上設(shè)有開(kāi)關(guān)閥門(5)，所述排污管與出水管連通。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，其特征在于所述堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備連接有PLC自動(dòng)控制系統(tǒng)。專利摘要本技術(shù)公開(kāi)了一種堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，包括電解槽(1)和與電解槽(1)相連的溫控槽(3)，電解槽(1)上端設(shè)有將電解槽(1)和溫控槽(3)連通的兩根平行的溢流管(2)，電解槽(1)下端設(shè)有循環(huán)管(8)和出水管(6)，循環(huán)管(8)一端與電解槽(1)連通，另一端與溫控槽(3)下端連通，循環(huán)管(8)上還設(shè)有循環(huán)泵(9)，所述溫控槽(3)底端還設(shè)有母液管(4)。本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于本技術(shù)設(shè)計(jì)的這種堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，具有效率高，成本低，占地面積少，無(wú)任何排放的優(yōu)點(diǎn)。文檔編號(hào)C23F1/46GK202705484SQ20122042358公開(kāi)日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月24日專利技術(shù)者韋建敏, 趙興文, 張小波, 吳圣杰 申請(qǐng)人:成都虹華環(huán)?？萍加邢薰颈疚臋n來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
堿性蝕刻液循環(huán)再生設(shè)備，其特征在于：包括電解槽（1）和與電解槽（1）相連的溫控槽（3），電解槽（1）上端設(shè)有將電解槽（1）和溫控槽（3）連通的兩根平行的溢流管（2），電解槽（1）下端設(shè)有循環(huán)管（8）和出水管（6），循環(huán)管（8）一端與電解槽（1）連通，另一端與溫控槽（3）下端連通，循環(huán)管（8）上還設(shè)有循環(huán)泵（9），所述溫控槽（3）底端還設(shè)有母液管（4）。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：韋建敏，趙興文，張小波，吳圣杰，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：成都虹華環(huán)保科技有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
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