本發明專利技術涉及一種具有電極(10)的光電器件。所述電極包括在平面內延伸的導電結構。該結構在所述平面內包括長度為L并且寬度尺寸為D的細長型元件(12)的網格。所述導電結構進一步包括一個或多個接觸區(14)，所述接觸區(14)具有半徑至少為2D的內切圓和半徑至多為三倍L的外切圓。所述接觸區(14)所占據的面積至多為所述細長型元件(12)的網格所占據的面積的20％。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種用于光電器件的電極。 本專利技術進一步涉及一種具有這種電極的光電器件。本專利技術進一步涉及一種制造這種電極的方法。本專利技術進一步涉及一種制造具有這種電極的光電器件的方法。本專利技術進一步涉及一種制造這種電極的器件。本專利技術進一步涉及一種制造具有這種電極的光電器件的設備。
技術介紹
光電器件為響應于電信號提供光學效應或者響應于光學刺激生成電信號的器件。第一種實例為發光二極管，比如有機發光二極管以及電致變色器件。第二種實例為光伏電池。對于在柔性塑料襯底上照明的大面積有機發光二極管(OLED)，需要大電流以驅動該系統。用于陽極(比如Ι )和陰極(比如Ba/Al)的現有薄膜材料的電阻率大，并且大電流引起很大的壓降，這就決定了發光不均勻。為了在塑料襯底上產生大面積的柔性有機發光二極管器件，需要其他的金屬化結構以支持一個或兩個電極。為了降低制造成本，使用內聯卷到卷網涂層工藝，這種結構類型的金屬化涂層將優選地用于一卷卷塑料薄膜上。因此，對于光電器件而言，比如發光器件和電致變色器件，以及對于光伏產品而言，金屬化結構一方面需要具有良好的導電率，另一方面需要具有高傳輸的光子輻射。美國專利中請2002130605A中公開了光電器件的電極。光能夠穿過該電極，該電極包括導電元件模式。與光的波長相比，元件的尺寸小，所以電極外觀透明。與穿透電極之前的光強分布相比，穿透電極之后的光強分布受到前向散射的影響。在引用的美國專利申請中未描述電極如何連接到外部電源線。這通常通過連接到電極的邊緣的母線實現。然而，在完成使用電極的最終產品之前，應使用母線。因此，應提前了解母線的尺寸。最好提供電極和具有可以任意尺寸制造成的這種電極的光電產品。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種改進的光電器件。本專利技術的另一目的在于提供一種制造光電器件的改進方法。本專利技術的又一目的在于提供一種制造光電器件的設備。根據本專利技術的第一方面，提供了一種光電器件，包括第一電極(10)、第二電極(26)以及光電層(24),其中光電層設置在第一電極和第二電極之間,其中至少第一電極包括在平面內延伸的導電結構，該結構在所述平面內包括長度為L并且寬度尺寸為D的細長型元件的網格，該導電結構進一步包括一個或多個接觸區，所述接觸區具有半徑至少為2D的內切圓和半徑至多為三倍L的外切圓，其中接觸區所占據的面積至多為細長型元件的網格所占據的面積的20 %。接觸區的內切圓在此定義為適合接觸區的最大的圓。外切圓為封閉接觸區的最小圓。要注意的是，US2008/251808描述了氮化物半導體發光器件，該器件包括在襯底上發光的分層部分。分層部分包括η型半導體層、有源層以及P型半導體層。分層部分的外圍傾斜，并且在該外圍處暴露出η型半導體層的表面。η電極設置在η型半導體層的暴露面上。所引用的美國文檔教導了用于產生光的分層部分10具有傾斜的外圍。具有迷宮般結構的電極12同樣具有傾斜部分，靠著分層部分10的傾斜外圍施加(applied)所述傾斜部分。根據該美國文檔，在傾斜外圍處暴露的η型接觸層的表面上建立η電極的歐姆接觸，從而防止η型接觸層透光。因此，根據所引用的美國文檔，必 須在分層部分的相同水平上施加迷宮般結構，以達到與此處所公開的每個實施例中一致顯示的效果。有鑒于此，該美國文檔的教導不適用于美國專利申請2002130605Α中所公開的光電器件，對于該美國專利申請而言，發光材料必須設置在電極的后面以實現光強分布受到前向散射的影響。根據該施加，根據本專利技術的器件中的第二電極還可包括如上所述的導電結構。如果也要求第二電極透明，就較為有利。或者，如果不作此要求，可使用連續的電極，比如金屬箔。根據本專利技術的第二方面，提供了一種制造光電器件的方法，包括制造光電器件的電極，包括步驟提供載體，在所述載體的表面上施加在平面內延伸的導電結構，該結構在所述平面內包括長度為L并且寬度尺寸為D的細長型元件的網格，該結構進一步包括一個或多個接觸區，所述接觸區具有半徑至少為2D的內切圓和半徑至多為三倍L的外切圓，其中所述接觸區所占據的面積至多為細長型元件的網格所占據的面積的20%。該方法進一步包括步驟在電極處施加光電層，在與導電結構所形成的電極相對的光電層的側邊施加第二電極，提供可從外部進入的電氣連接，該連接延伸到一個或多個接觸區的至少一個接觸區中。根據本專利技術的第五方面，提供了一種制造光電器件的設備，該設備包括制造用于光電器件的電極的器件，光電器件包括受控制的設施以在載體的表面處施加在平面內延伸的導電結構，該結構在所述平面內包括長度為L并且寬度尺寸為D的細長型元件的網格，該結構進一步包括一個或多個接觸區，所述接觸區具有半徑至少為2D的內切圓和半徑至多為三倍L的外切圓，其中接觸區所占據的面積至多為細長型元件的網格所占據的面積的20 %，該設備進一步包括施加光電層的器件和施加第二電極的器件。根據本專利技術的措施能夠在根據任意的切割線與半成品分離的器件內提供可靠的電氣連接到網格狀電極中。本專利技術尤其可應用于有機光電器件中，比如有機發光二極管，因為這些光電器件包括阻擋結構以防止該器件內部受到環境的濕度影響。附圖說明結合附圖更詳細地描述這些和其他方面。其中圖I為根據本專利技術的第一方面的光電器件的電極；圖IA為圖I的電極的第一細節；圖IB為圖I的電極的第二細節；圖2為根據本專利技術的第一方面的光電器件。圖2A為根據本專利技術的第一方面的光電器件的替換實施例；圖3A到圖31為根據本專利技術的第二方面的方法的第I到第9步驟； 圖4A到圖4C為根據本專利技術的第二方面的方法的第10到第12步驟；圖5A到圖為根據本專利技術的第一方面的光電器件的電極的替換實施例；圖6A到圖6C為根據本專利技術的第一方面的光電器件的電極的其他替換實施例；圖7示意性示出了根據本專利技術的第三方面的設備。具體實施例方式在下面的具體描述中，提出了多個特定細節以便徹底理解本專利技術。然而，本領域的技術人員會理解的是，無需這些特定的細節就可實施本專利技術。在其他實例中，眾所周知的方法、程序和元件未被詳細描述，以避免本專利技術的各方面過于晦澀難懂。在附圖中，為了清晰起見，層和區域的尺寸與相對尺寸被放大。要理解的是，雖然術語第一、第二、第三等在此可用于描述各種元件、部件、區域、層和/或部分，但是這些部件、元件、區域、層和/或部分不應受到這些術語的限制。這些術語僅僅用于區分一個元件、部件、區域、層或部分和另一個元件、部件、區域、層或部分。因此，在不背離本專利技術的教導的情況下，下面討論的第一元件、部件、區域、層或部分可稱為第二元件、部件、區域、層或部分。在此結合剖視圖描述本專利技術的實施例，這些剖視圖為本專利技術的理想的實施例(以及中間結構)的示意圖。同樣，預期比如制造技術和/或容差會引起示圖形狀發生變化。因此，本專利技術的實施例不應理解為局限于此處所述的區域的特定形狀，而應包括比如制造造成的形狀偏差。除非另有說明，否則此處所使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)的意義與本專利技術所屬領域的技術人員共同理解的意義相同。要進一步理解的是，在常用字典內定義的那些術語應解釋為，具有與相關領域的上下文中的意義相同的意義，并且除非此處這樣進行了明確的說明，否則不應在理想的或過于正式的意義上解釋這些術語。通過引用的方式包括此處所提及的所有出版物、專利申請書、專本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：H·利夫卡，安東尼斯·瑪麗亞·B·范默爾，
申請(專利權)人：荷蘭應用自然科學研究組織TNO，皇家飛利浦電子股份有限公司，
類型：
國別省市：
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