本發(fā)明專利技術(shù)提供一種OLED陽極的增反結(jié)構(gòu)和OLED陰極的增反結(jié)構(gòu),是在所述OLED的陽極結(jié)構(gòu)或者陰極結(jié)構(gòu)中增加具有導(dǎo)電特性的增反層,所述增反層的折射率大于相鄰兩層材料的折射率,以起到增反效果。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種OLED的陽極或陰極結(jié)構(gòu),能夠應(yīng)用到頂發(fā)光或者底發(fā)光AMOLED結(jié)構(gòu)中。
技術(shù)介紹
相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD),有源矩陣有機發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)具有高對比度、廣視角、低功耗、更輕更薄等優(yōu)點,有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù),是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。有機發(fā)光二級管(OLED)顯示器是一種主動發(fā)光器件,其不僅可以用作構(gòu)成AMOLED顯示器的像素,也可以作為固態(tài)照明的光源。所以O(shè)LED性能的提高,尤其是效率的 提升直接影響到它的應(yīng)用。頂發(fā)光OLED采用IT0/A1/IT0做陽極時,由于Al的厚度一般在10(T200nm之間,金屬Al反射率比Ag要小10%左右,且Al較薄時(如IOOnm)透光比較嚴重。因此,通常會用Ag來做陽極,但是Ag會帶來比較嚴重的污染問題和更高的成本。因此,若能夠在采用IT0/A1/IT0做陽極時,特別是采用比較薄的Al (不僅僅局限于金屬Al)時,提高陽極的反射率和減少透過率,有利于提高器件性能。同樣的,對于底發(fā)光OLED器件而言,提高Al陰極的反射率具有同樣的意義。
技術(shù)實現(xiàn)思路
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本專利技術(shù)的目的在于提供一種OLED陽極的增反結(jié)構(gòu)和OLED陰極的增反結(jié)構(gòu),以提升OLED的出光效率。為實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案包括一種OLED陽極的增反結(jié)構(gòu),所述OLED的陽極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成,在所述陽極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層,其特征在于在靠近所述功能層的導(dǎo)電膜與所述反射金屬層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層,所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為a,所述反射金屬層的折射率為C,所述增反層的折射率b滿足c〈b>a。在較佳的技術(shù)方案中,所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ITO ;所述反射金屬層的材料是Al或Ag ;所述增反層的材料是IZO或ΑΖ0。為實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案還包括一種OLED陽極的增反結(jié)構(gòu),所述OLED的陽極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成,在所述陽極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層,其特征在于在遠離所述功能層的導(dǎo)電膜與所述反射金屬層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層,所述遠離所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為d,所述反射金屬層的折射率為C,所述增反層的折射率b滿足c〈b>d。在較佳的技術(shù)方案中,所述遠離所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ITO ;所述反射金屬層的材料是Al或Ag ;所述增反層的材料是IZO或ΑΖ0。為實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案還包括一種OLED陽極的增反結(jié)構(gòu),所述OLED的陽極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成,在所述陽極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層,其特征在于在靠近所述功能層的導(dǎo)電膜與所述功能層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層,所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為a,所述功能層中最貼近所述增反層的一層材料的折射率為e,所述增反層的折射率b滿足a〈b>e。在較佳的技術(shù)方案中,所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ITO ;所述功能層中最貼近所述增反層的一層是空穴注入層,所述空穴注入層的材料是NPB、TPD、m-MTDATA中的一種;所述增反層的材料是IZO或者ΑΖ0。為實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案還包括一種OLED陽極的增反結(jié)構(gòu),所述OLED的陽極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成,在所述陽極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層,其特征在于在遠離所述功能層的導(dǎo)電膜下方增加具有導(dǎo)電特性的增反層,所述遠離所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為山所述反射金 屬層的折射率為C,所述增反層的折射率b滿足b〈d>c。在較佳的技術(shù)方案中,所述遠離所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ΙΤΟ、ΙΖ0,AZO中的一種;所述增反層的材料是Al、Ag、Au、Cu中的一種;所述反射金屬層的材料是Al、Ag、Ca、Au、Cu中的一種。為實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案還包括一種OLED陰極的增反結(jié)構(gòu),所述OLED的陰極下方覆蓋有功能層與陽極材料層,其特征在于在所述功能層與陰極之間添加了具有導(dǎo)電特性的增反層,而且所述功能層中最貼近所述增反層的一層材料的折射率為f,所述陰極的折射率為g,所述增反層的折射率b滿足公式g〈b>f。在較佳的技術(shù)方案中,所述陰極的材料是Ag、Al、Au、Cu中的一種;所述增反層的材料是Ni、IT0、IZ0、AZ0、IGZ0中的一種;所述功能層中最貼近所述增反層的一層是電子注入層,所述電子注入層的材料是LiF、CsF, Liq、K、Mg、Ca中的一種。為實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案還包括一種OLED陰極的增反結(jié)構(gòu),所述OLED的陰極下方覆蓋有功能層與陽極材料層,其特征在于在所述陰極的上方設(shè)置有具有導(dǎo)電特性的增反層,所述功能層中最貼近所述陰極的一層材料的折射率為f,所述陰極的折射率為g,所述增反層的折射率b滿足公式b<g>fο在較佳的技術(shù)方案中,所述陰極的材料是ΙΖΟ、ΙΤΟ, ΑΖ0、Al、Ni中的一種;所述增反層的材料是Ag、Au、Cu中的一種;所述功能層中最貼近所述陰極的一層是電子注入層,所述電子注入層的材料是LiF、CsF、Liq、K、Mg、Ca中的一種。與現(xiàn)有技術(shù)相比較,本專利技術(shù)具有的有益效果是在所述OLED的陽極結(jié)構(gòu)或者陰極結(jié)構(gòu)中增加具有導(dǎo)電特性的增反層,所述增反層的折射率大于相鄰兩層材料的折射率,以起到增反效果。附圖說明圖I是光從介質(zhì)SO經(jīng)過介質(zhì)膜SI入射到基底S2的反射與折射示意圖;圖2是單層膜反射率R隨薄膜光學(xué)厚度nih的變化曲線圖3是本專利技術(shù)提供的第一種頂發(fā)光OLED陽極的增反結(jié)構(gòu)示意圖;圖4是本專利技術(shù)提供的第二種頂發(fā)光OLED陽極的增反結(jié)構(gòu)示意圖;圖5是本專利技術(shù)提供的第三種頂發(fā)光OLED陽極的增反結(jié)構(gòu)示意圖;圖6是本專利技術(shù)提供的第四種頂發(fā)光OLED陽極的增反結(jié)構(gòu)示意圖;圖7是本專利技術(shù)提供的第一種底發(fā)光OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)示意圖;圖8是本專利技術(shù)提供的第二種底發(fā)光OLED陰極的增反結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施例方式首先介紹基本的光學(xué)原理如下 如圖I所示,光從折射率為Iici的介質(zhì)SO經(jīng)過折射率為Ii1、厚度為h的介質(zhì)膜SI入射到折射率為n2的基底S2,在介質(zhì)膜SI上的反射率公式如下權(quán)利要求1.一種OLED陽極的增反結(jié)構(gòu),所述OLED的陽極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成,在所述陽極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層,其特征在于在靠近所述功能層的導(dǎo)電膜與所述反射金屬層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層,所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為a,所述反射金屬層的折射率為C,所述增反層的折射率b滿足c〈b>a。2.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的OLED陽極的增反結(jié)構(gòu),其特征在于所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的材料是ITO ;所述反射金屬層的材料是Al或Ag ;所述增反層的材料是IZO或AZO。3.—種OLED陽極的增反結(jié)構(gòu),所述OLED的陽極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成,在所述陽極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層,其特征在于在遠離所述功能層的導(dǎo)電膜與所述反射金屬層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層,所述遠離所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為山所述反射金屬層的折射率為C,所述增反層的折射率b滿足c〈b>d。4.根據(jù)權(quán)利要求書3所述的OLED陽極的增反結(jié)構(gòu),其特征在本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種OLED陽極的增反結(jié)構(gòu),所述OLED的陽極由兩層導(dǎo)電膜中間夾反射金屬層構(gòu)成,在所述陽極上側(cè)覆蓋有功能層與陰極材料層,其特征在于:在靠近所述功能層的導(dǎo)電膜與所述反射金屬層之間增加具有導(dǎo)電特性的增反層,所述靠近所述功能層的導(dǎo)電膜的折射率為a,所述反射金屬層的折射率為c,所述增反層的折射率b滿足:ca。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:陳紅,邱勇,黃秀頎,
申請(專利權(quán))人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:
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