本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)屬于有機(jī)光電材料和器件領(lǐng)域，具體的說(shuō)涉及一種基于8-羥基喹啉乙酰丙酮合鋅(II)—Znq(acac)材料的有機(jī)電致發(fā)光器件，該電致發(fā)光器件包括：ITO陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸兼發(fā)光層、電子傳輸兼發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)制備的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)射的白光是由NPB的藍(lán)光和Znq(acac)的黃光混合獲得的?？梢?jiàn)Znq(acac)是一種同時(shí)具有傳輸電子和發(fā)光的雙功能材料。該材料及其制備的白色電致發(fā)光器件在照明、顯示和商業(yè)領(lǐng)域有著很大的應(yīng)用潛力。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及有機(jī)光電材料和器件領(lǐng)域，具體的說(shuō)是一種采用兼具有電子傳輸性能和發(fā)光性能的材料制備的白色電致發(fā)光器件。
技術(shù)介紹
1987年，C. ff. Tang等人采用TH)作為空穴傳輸層，8_羥基喹啉鋁(Alq3)作為發(fā)光層兼電子傳輸層，功函數(shù)低、性質(zhì)穩(wěn)定的Mg:Ag合金作為陰極，制備了低驅(qū)動(dòng)電壓的有機(jī)電致發(fā)光器件(OLEDs, Organic Light-Emitting Diodes)。從此對(duì)OLEDs 的研究進(jìn)入了一個(gè)劃時(shí)代的迅速發(fā)展階段。與傳統(tǒng)顯示技術(shù)相比，OLEDs因具有質(zhì)量輕、柔性、響應(yīng)時(shí)間短、亮度高、可實(shí)現(xiàn)全色顯示等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛研究。隨著單色OLEDs性能的逐漸成熟，白色有機(jī)電致發(fā)光器件(WOLEDs, White Organic Light-emitting Diodes)作為一種新型光源展示了良好的應(yīng)用前景，已經(jīng)引起人們的關(guān)注。在有機(jī)電致發(fā)光材料中，基于8-羥基喹啉(q)配體的金屬配合物由于具有較好的發(fā)光性能、合成方法簡(jiǎn)單，而被廣泛應(yīng)用。基于A(yíng)lq3及其衍生物的電致發(fā)光研究已有大量報(bào)道，但是基于8-羥基喹啉鋅(Znq2)的研究還有待發(fā)展。1997年，劉祖剛等人利用Znq2制備了近白色發(fā)光的OLEDs，但是亮度僅高于1000 cd/m2。2006年，朱飛劍等人通過(guò)改變Zn(BTZ)2的厚度實(shí)現(xiàn)了純白光發(fā)射，色坐標(biāo)為(0. 33，0. 33)，但是亮度僅為700 cd/m2。2009年，丁桂英等人利用FHQZn作為黃橙色發(fā)光材料，制備了色度穩(wěn)定的WOLEDs，最大亮度為4624 cd/m2。大量研究工作表明，選擇不同的配體可以改善發(fā)光材料的性能，例如材料的遷移率、發(fā)光顏色等。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為了提高WOLEDs的性能參數(shù)如亮度、效率等，以實(shí)現(xiàn)WOLEDs在照明及顯示領(lǐng)域的應(yīng)用，本專(zhuān)利技術(shù)的目的旨在把一種同時(shí)具有傳輸電子和發(fā)光的功能材料應(yīng)用在OLEDs中，作為發(fā)光成分兼?zhèn)鬏旊娮?，其合成方法?jiǎn)單，器件易于制備。本專(zhuān)利技術(shù)的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，該器件的結(jié)構(gòu)依次是ΙΤ0陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸兼發(fā)光層、電子傳輸兼發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極，所述的空穴注入層是采用m-MTDATA、2-TNATA或F4-TCNQ,厚度為10 15 nm ;空穴傳輸兼發(fā)光層是用芳胺類(lèi)衍生物NPB，厚度為30 nm ;電子傳輸兼發(fā)光層是用8-羥基喹啉乙酰丙酮合鋅(II)一Znq (acac)，厚度為45 nm ;空穴阻擋層是用BpheruBCP或TPBi，厚度為10 20 nm;電子傳輸層是用Alq3、Znq2或Zn (BTZ)2，厚度為20 nm;電子注入層是用LiF，厚度為O. 6 I. O nm ;陰極是用Al，厚度為100 150 nm。所述的Znq(acac)材料是8_羥基喹啉乙酰丙酮合鋅(II)，結(jié)構(gòu)式是權(quán)利要求1.一種基于Znq(acac)的白色有機(jī)電致發(fā)光器件,該器件的結(jié)構(gòu)依次是ITO陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸兼發(fā)光層、電子傳輸兼發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極，其特征在于所述的空穴注入層是采用m-MTDATA、2-TNATA* F4-TCNQ,厚度為l(Tl5 nm ;空穴傳輸兼發(fā)光層是用芳胺類(lèi)衍生物NPB,厚度為30 nm;電子傳輸兼發(fā)光層是用Znq(acac)，厚度為45 nm ;空穴阻擋層是用BpheruBCP或TPBi，厚度為10 20 nm ;電子傳輸層是用Alq3' Znq2或Zn (BTZ)2,厚度為20 nm ；電子注入層是用LiF,厚度為O. 6 I. O nm ；陰極是用Al，厚度為100 150 nm。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種基于Znq(acac)的白色有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于所述的Znq(acac)材料是8_羥基喹啉乙酰丙酮合鋅(II)，結(jié)構(gòu)式是全文摘要本專(zhuān)利技術(shù)屬于有機(jī)光電材料和器件領(lǐng)域，具體的說(shuō)涉及一種基于8-羥基喹啉乙酰丙酮合鋅(II)—Znq(acac)材料的有機(jī)電致發(fā)光器件，該電致發(fā)光器件包括ITO陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸兼發(fā)光層、電子傳輸兼發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；本專(zhuān)利技術(shù)制備的有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)射的白光是由NPB的藍(lán)光和Znq(acac)的黃光混合獲得的?？梢?jiàn)Znq(acac)是一種同時(shí)具有傳輸電子和發(fā)光的雙功能材料。該材料及其制備的白色電致發(fā)光器件在照明、顯示和商業(yè)領(lǐng)域有著很大的應(yīng)用潛力。文檔編號(hào)H01L51/54GK102891266SQ201110203600公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2011年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月20日專(zhuān)利技術(shù)者蘇斌, 劉春波, 車(chē)廣波, 榮光怡, 徐占林, 王慶偉 申請(qǐng)人:吉林師范大學(xué)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種基于Znq(acac)的白色有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件的結(jié)構(gòu)依次是：ITO陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸兼發(fā)光層、電子傳輸兼發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極，其特征在于：所述的空穴注入層是采用m？MTDATA、2？TNATA或F4？TCNQ，厚度為10~15？nm；空穴傳輸兼發(fā)光層是用芳胺類(lèi)衍生物NPB，厚度為30？nm；電子傳輸兼發(fā)光層是用Znq(acac)，厚度為45？nm；空穴阻擋層是用Bphen、BCP或TPBi，厚度為10~20？nm；電子傳輸層是用Alq3、Znq2或Zn(BTZ)2，厚度為20？nm；電子注入層是用LiF，厚度為0.6~1.0？nm；陰極是用Al，厚度為100~150？nm。
【技術(shù)特征摘要】
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蘇斌，劉春波，車(chē)廣波，榮光怡，徐占林，王慶偉，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：吉林師范大學(xué)，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。