以二(8-羥基喹啉)合鉑作為摻雜材料制備的OLED器件，以氧化銦錫（ITO）作為透明導電膜玻璃（陽極）；N,N’-二（1-萘基）-N,N’-二苯基-1,1’-聯苯-4,4’-二胺（NPB）作為空穴傳輸材料；4,4'-二(9-咔唑)聯苯（CBP）摻雜二(8-羥基喹啉)合鉑（Ptq2）作為主體材料；2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉（BCP）作為空穴阻擋材料；8-羥基喹啉鋁（Alq3）作為電子傳輸材料；鋁/氟化鋰作為陰極。本發明專利技術的Ptq2作為磷光材料摻雜在主體材料中制作的OLED，最大電致發光波長在近紅外區域（700~850nm），具有優良的導電性和穩定性。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及有機電致發光
，尤其是涉及ー種摻雜ニ(8-羥基喹啉)合鉬的OLED器件。
技術介紹
有機電致發光技術(OLEDs)作為國際上公認的新一代平板顯示技術之一，與目前市場上主要的平板顯示器產品如液晶顯示器相比具有主動發光；制作エ藝簡單、成本低；低耗電；視角大；重量輕、體積小；響應速度快等優點。與熒光發光材料相比，磷光材料能有效利用單重態和三重態的激子，能獲得較大的外量子產率。而有機磷光材料由于電致發光效率高，正在被應用于電致發光器件中。·目前，世界上對近紅外磷光材料及器件進行系統研究還很少，已經報道過的效率較好的近紅外磷光體系有卟啉ー鉬(II)配合物和C~N~N—鉬(II)激基締合物配合物，但前者合成步驟較為繁雜，不易引入其它高功能基團進行分子修飾，而后者發光來自激基締合物，引入任何高功能基團都會帶來一定的位阻效應，可能使其激基締合物效應降低，從而導致其發光以単體的發光(黃光)為主。所以，開發新型的具有優異功能的近紅外電致磷光材料對有機電致發光技術的成熟和進ー步市場化有很大的實用意義。
技術實現思路
針對現有技術存在的上述問題，針對現有技術存在的上述問題，本申請人提供了一種以ニ(8-羥基喹啉)合鉬作為摻雜材料制備的OLED器件。本專利技術的Ptq2作為磷光材料摻雜在主體材料中制作的0LED，最大電致發光波長在近紅外區域(70(T850nm)，具有優良的導電性和穩定性。本專利技術的技術方案如下 以ニ(8-羥基喹啉)合鉬作為摻雜材料制備的OLED器件，以氧化銦錫(ITO)作為透明導電膜玻璃(陽極);N，N’ - ニ(I-萘基)-N，N，-ニ苯基-1，I’ -聯苯-4，4，-ニ胺(NPB)作為空穴傳輸材料；4，4’_ニ(9-咔唑)聯苯(CBP)摻雜ニ(8-羥基喹啉)合鉬(Ptq2)作為主體材料；2，9-ニ甲基-4，7-ニ苯基-1，10-菲啰啉(BCP)作為空穴阻擋材料；8_羥基喹啉鋁(Alq3)作為電子傳輸材料；鋁/氟化鋰作為陰極。其結構依次為Al/LiF、Alq3、BCP, CBP:Ptq2、NPB、ITOo所述ニ(8-羥基喹啉)合鉬(Ptq2)的分子結構式為 其制備方法為稱取K2PtCl4溶于水中，稱取8-羥基-5-喹啉，依次加入容器中，取冰醋酸作為溶劑，加入NaOH水溶液，使整個體系的PH為4，開啟磁力攪拌反應，冷卻以后析出橘紅色沉淀，過濾，分別用稀釋的冰醋酸，こ醇，ニ氯甲烷洗滌，然后在N，N-ニ甲基甲酰胺中重結晶，得到紅色晶狀Ptq2。本專利技術有益的技術效果在于 Ptq2作為磷光客體材料時，其發出深紅色的光(CIE-1931坐標為0. 70，0. 29)，有較高的磷光量子效率、較短的磷光衰減壽命、較長的最大發光波長。以其作為摻雜材料制備的OLED器件具有較高的器件外量子效率。附圖說明圖I為Ptq2作為磷光材料摻雜在主體材料中制作的OLED的結構示意圖。圖2為Ptq2的晶體結構圖。 圖3為Ptq2在N，N-ニ甲基甲酰胺溶劑中的吸收光譜圖。圖4為Ptq2在N，N- ニ甲基甲酰胺溶劑中在298K時的磷光發射光譜。圖5為Ptq2作為客體材料制作的OLED在8V電壓下，不同摻雜濃度的Ptq2的電致發光光譜圖。圖6為Ptq2在摻雜濃度為3. 0 wt%時制作的OLED的電流密度和亮度與輸入電壓的關系圖。圖7為Ptq2在摻雜濃度為3. 0 wt%時制作的OLED的外量子產率和發光效率與電流密度的關系圖。具體實施例方式實施例 (一)制備ニ (8-輕基喹啉)合鉬(Ptq2) 稱取3mmol的K2PtCl4溶于5ml水中，稱取6mmol的8-輕基喹啉,分別加入IOOml的三頸瓶中，取20ml冰醋酸作為溶劑，加入少量lmol/L的NaOH水溶液，使整個體系的PH為4，開啟磁力攪拌，整個反應體系在70°C條件下反應I小時，冷卻以后析出橘紅色沉淀，過濾，分別用稀釋的冰醋酸，こ醇，ニ氯甲烷洗滌，然后在N，N-ニ甲基甲酰胺中重結晶，得到紅色晶狀廣品。(ニ)以ニ(8-羥基喹啉)合鉬(Ptq2)作為摻雜材料制備OLED OLED器件采用氧化銦錫(ITO)作為透明導電膜玻璃(陽極);其表面電阻小于20 W/ 。ITO玻璃依次用こ醇、甲苯、丙酮在60°C下超聲清洗10分鐘，再用去離子水清洗，然后用氮氣吹干，在120°C下加熱2小時，最后用紫外臭氧清潔10分鐘待用。采用布勞恩高真空熱蒸發儀依次蒸鍍各層，真空度為IX 10_6 Torr0其中作為空穴傳輸材料的N，N’- ニ( I-萘基)-N, N，- ニ苯基-1，I ’ -聯苯-4，4’ - ニ胺(NPB)的蒸發速率為0. lnm/s,厚度為40nm ；作為主體材料的4，4’-ニ(9-咔唑)聯苯(CBP)的蒸發速率為0. 05nm/s，厚度為30nm;摻雜磷光發光材料ニ(8-羥基喹啉)合鉬(Ptq2 (3%))的蒸發速率為0. 05nm/s,厚度為30nm ;作為空穴阻擋材料的2，9- ニ甲基-4，7- ニ苯基-1，10-菲啰啉(BCP)的蒸發速率為0. 05nm/s，厚度為IOnm;作為電子傳輸材料的8-羥基喹啉鋁(Alq3)的蒸發速率為0. lnm/s，厚度為30nm ;最后蒸鍍(150nm)/氟化鋰(0. 5nm)作為陰極。各層薄膜的厚度和沉積速率(0. 05 0. lnm/s)由石英晶振膜厚儀(BOC Edwards FTM5)監控。ニ(8-羥基喹啉)合鉬(Ptq2)及其OLED的基本特征如下 (I)圖I中用Ptq2作為摻雜材料制作的0LED，用Al/LiF作為陰極，使陰極對空氣不敏感，提高了器件的性能和工作壽命。(2)圖2中Ptq2的晶體結構圖顯示，Ptq2是平面結構，兩個8_羥基喹啉配體以反式配位；Pt(II)原子位于晶體的反演中心。(3)通過熱重分析，Ptq2的熱分解溫度為382 ° C，顯示其熱穩定性很高。(4)圖3中Ptq2在N，N-ニ甲基甲酰胺溶劑中的吸收光譜圖，高能量的吸收·(入=345nm)和低能量的吸收(\ =478nm)都是典型的8-輕基喹啉金屬配合物的吸收,和8-羥基喹啉鋁類似。(5)圖4中Ptq2在溶液中的磷光發射光譜，其磷光的最大發射光譜波長為650nm，·并延伸到紅外光區。(6)圖5中不同摻雜濃度的Ptq2作為客體材料制作的OLED在8V電壓下的電致發光光譜圖，在較高摻雜濃度(> 3.0 %)吋，Ptq2,出深紅色的光(CIE-1931坐標為0.70, 0. 29)，而沒有主體材料NPB的藍光。(7)圖6為Ptq2在摻雜濃度為3. 0 wt%時制作的OLED的電流密度和亮度與輸入電壓的關系圖，圖7為本專利技術的Ptq2在摻雜濃度為3.0被％時制作的OLED的外量子產率和發光效率與電流密度的關系圖。最大的外量子效率U、發光效率ihd、功率效率Qip)、亮度分別為1. 7 %，0. 32 cd/A, 0. 17 lm/ff, 368 cd/m2。(8) ニ(8-羥基喹啉)合鉬(Ptq2)作為摻雜材料制備的OLED，Ptq2的摻雜濃度不同時，特點表現為(根據圖5中所示內容)當摻雜濃度較低(I. 5%)時，有ー個空穴傳輸層NPB的發射峰(入=420nm),當摻雜濃度較大(3. 0 %)吋，就只有Ptq2的發射峰。以上實驗中，電致發本文檔來自技高網...
【技術保護點】
以二(8？羥基喹啉)合鉑作為摻雜材料制備的OLED器件，其特征在于：以氧化銦錫（ITO）作為透明導電膜玻璃（陽極）；N,N’？二（1？萘基）？N,N’？二苯基？1,1’？聯苯？4,4’？二胺（NPB）作為空穴傳輸材料；4,4“？二(9？咔唑)聯苯（CBP）摻雜二(8？羥基喹啉)合鉑（Ptq2）作為主體材料；2,9？二甲基？4,7？二苯基？1,10？菲啰啉（BCP）作為空穴阻擋材料；8？羥基喹啉鋁（Alq3）作為電子傳輸材料；鋁/氟化鋰作為陰極。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：向海峰，
申請(專利權)人：無錫信怡微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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