有機發光顯示裝置及其制造方法制造方法及圖紙

一種有機發光顯示裝置，包括下部電容器電極，下部電容器電極包括摻有離子雜質的半導體材料。第一絕緣層覆蓋活性層和下部電容器電極。柵電極包括由透明傳導材料形成的下部柵電極和由金屬形成的上部柵電極。像素電極與薄膜晶體管電連接。上部電容器電極與像素電極位于同一水平高度。蝕刻塊層形成在第一絕緣層與上部電容器電極之間。源電極和漏電極與活性層電連接。第二絕緣層具有完全暴露上部電容器電極的開口。第三絕緣層暴露像素電極。中間層包括發光層。相對電極面對像素電極。

【技術實現步驟摘要】
本公開涉及制造過程被簡化的有機發光顯示裝置及其制造方法。
技術介紹
在具有圖案的襯底上制備平板顯示裝置(例如有機發光顯示裝置或液晶顯示裝置)，圖案包括薄膜晶體管(TFT)、電容器、用于連接TFT與電容器的互連線和其它部件。一般而言，為了形成包括TFT或類似物的微圖案，具有微圖案的掩模用于將微圖案轉移到陣列襯底上，在該陣列襯底上將制備平板顯示裝置。 然而，在使用掩模轉移圖案的過程中，首先需要制備具有相應圖案的掩模。因此，掩模處理的數量增加，而制備掩模的制造成本也隨之增加。此外，由于執行了如上所述的復雜過程，所以制造過程也變得復雜并且制造時間也增加了，因此，制造成本增加。當使用較少數量的掩模處理制造平板顯示裝置時，多個絕緣層可特別地在形成電容器的過程中重疊，因此，通過電容器的信號傳輸不會順利地發生。在使用較少數量的掩模處理制造平板顯示裝置的過程中，難以實現這樣的結構，即在該結構中由銀(Ag)形成的反射膜被插入像素電極來提高光效率。因此，需要發展一種新的結構來改進光效率。
技術實現思路
本公開提供了一種有機發光顯示裝置，其使制造過程能夠簡化并具有優良的信號傳輸和改進的光效率，本公開還提供了制造該有機發光顯示裝置的方法。根據一方面，提供了一種有機發光顯示裝置，包括下部電容器電極，形成在襯底上并與薄膜晶體管的活性層位于同一水平高度，所述下部電容器電極包括摻有離子雜質的半導體材料；第一絕緣層，形成在所述襯底上并覆蓋所述活性層和所述下部電容器電極；所述薄膜晶體管的柵電極，形成在所述第一絕緣層上并包括由透明傳導材料形成的下部柵電極和由金屬形成的上部柵電極；像素電極，形成在所述第一絕緣層上并與所述薄膜晶體管電連接，所述像素電極由透明傳導材料形成；上部電容器電極，布置在與所述像素電極同一水平高度處并由透明傳導材料形成；蝕刻塊層，形成在所述第一絕緣層與所述上部電容器電極之間，并由透明傳導材料形成；所述薄膜晶體管的源電極和漏電極，與所述活性層電連接；第二絕緣層，形成在所述第一絕緣層與所述源電極和漏電極之間，并具有完全暴露所述上部電容器電極的開口 ；第三絕緣層，形成在所述第二絕緣層上并暴露所述像素電極；中間層，布置在所述像素電極上并包括發光層；相對電極，面對所述像素電極布置，并且所述中間層位于所述相對電極與所述像素電極之間。間隙可形成在所述上部電容器電極的一側與所述開口的內壁之間。所述下部電容器電極可同與其連接的互連線位于同一水平高度，所述互連線和將所述下部電容器電極與所述互連線連接的連接部可包括摻有所述離子雜質的半導體材料。將所述下部電容器電極與所述互連線連接的連接部可與位于所述上部電容器電極的一側和所述開口的內壁之間的所述間隙相對應。所述蝕刻塊層可與至少所述連接部相對應地布置。所述下部柵電極、所述像素電極和所述上部電容器電極可由第二透明傳導材料形成，所述蝕刻塊層可由具有與所述第二透明傳導材料相關的蝕刻選擇性的第一透明傳導材料形成。 所述第二透明傳導材料可以是非晶氧化銦錫(a-ITO)，所述第一透明傳導材料可以是晶體氧化銦錫(ρ-ιτο)。所述中間層可包括用于發出紅色光的第一發光層，所述中間層還可包括位于所述第一絕緣層與所述第一發光層之間的第一輔助層。所述第一輔助層可包括第一層，布置在所述像素電極與所述第一發光層之間，所述第一層允許從所述像素電極注入或傳輸到所述第一發光層的空穴穿過所述第一層；以及第二層，布置在所述第一絕緣層與所述像素電極之間，所述第二層由與位于同一水平高度的所述蝕刻塊層中所使用的相同材料形成。所述中間層可包括用于發出綠色光的第二發光層，所述中間層還可包括第二輔助層，所述第二輔助層的厚度小于位于所述第一絕緣層與所述第二發光層之間的所述第一輔助層的厚度。所述第二輔助層可包括插入所述第一絕緣層與所述像素電極之間的層，并且所述第二輔助層可由與位于同一水平高度的所述蝕刻塊層中所使用的相同材料形成。所述中間層可包括用于發出藍色光的第三發光層。所述相對電極可以是反射從發光層發出的光的反射電極。所述中間層可包括用于發出紅色光的第一發光層，所述中間層可插入所述像素電極與所述第一發光層之間，并且所述中間層還可包括允許從所述像素電極注入或傳輸至所述第一發光層的空穴穿過的輔助層，所述像素電極由與位于同一水平高度的所述蝕刻塊層中的相同晶體氧化銦錫(ρ-ιτο)形成。根據另一方面，提供了一種制造有機發光顯示裝置的方法，包括在襯底上形成半導體層，并對所述半導體層進行構圖，以形成薄膜晶體管的下部電容器電極和活性層；在所述襯底上形成覆蓋所述活性層和所述下部電容器電極的第一絕緣層，并在所述第一絕緣層上沉積透明傳導材料并進行構圖，以形成蝕刻塊層；順序地在所述第一絕緣層上沉積覆蓋所述蝕刻塊層的透明傳導材料和第一金屬，并對所述透明傳導材料和所述第一金屬進行構圖，以同時形成像素電極圖案、所述薄膜晶體管的柵電極和上部電容器電極圖案，所述像素電極圖案、所述薄膜晶體管的柵電極和所述上部電容器電極圖案中的每個均包括順序沉積的所述透明傳導材料和所述第一金屬；在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述像素電極圖案、所述柵電極和所述上部電容器電極圖案的第二絕緣層，對所述第一絕緣層和所述第二絕緣層進行構圖，以形成暴露所述活性層的邊緣的接觸孔，并且對所述第二絕緣層進行構圖，以形成完全暴露所述上部電容器電極圖案并暴露所述像素電極圖案的開口 ；在所述第二絕緣層上沉積第二金屬，對所述第二金屬進行構圖，以形成與所述活性層電連接的源電極和漏電極，并且移除所述第一金屬，以形成像素電極和上部電容器電極；以及形成第三絕緣層，所述第三絕緣層覆蓋所述像素電極和將位于所述第二絕緣層中的所述像素電極暴露的開□。當形成所述下部電容器電極時，可對所述半導體層進行構圖，以在與所述下部電容器電極位于同一水平高 度處形成與所述下部電容器電極連接的互連線。當形成所述蝕刻塊層時，可對所述透明傳導材料進行構圖，以在與所述蝕刻塊層位于同一水平高度處形成與所述像素電極對應地布置的輔助層。該方法還可包括對構成所述蝕刻塊層的透明傳導材料進行退火，從而將所述透明傳導材料轉化為晶體氧化銦錫(P-ITO)。所述活性層的邊緣和所述互連線可摻有離子雜質。在所述上部電容器電極的一側與完全暴露所述上部電容器電極的開口的內壁之間可形成間隙。所述下部電容器電極可摻有離子雜質。包括發光層的中間層和相對電極可形成在所述像素電極上。所述中間層可包括插入所述像素電極與所述發光層之間的層，并且所述中間層可允許從所述像素電極注入或傳輸至所述發光層的空穴穿過。根據本專利技術的另一方面，提供了一種制造有機發光顯示裝置的方法，包括執行第一掩模處理，在襯底上形成半導體層并對所述半導體層進行構圖，以形成薄膜晶體管的下部電容器電極和活性層；執行第二掩模處理，在所述襯底上形成覆蓋所述活性層和所述下部電容器電極的第一絕緣層，并在所述第一絕緣層上沉積透明傳導材料并構圖，以形成蝕刻塊層和像素電極；執行第三掩模處理，順序地在所述第一絕緣層上沉積覆蓋所述蝕刻塊層和所述像素電極的透明傳導材料和第一金屬，并對所述透明傳導材料和所述第一金屬進行構圖，以同時形成所述薄膜晶體管的柵電極和上部電容器電極圖案，所述柵電極和所述上部電容器電極圖案中的每個均包括順序沉積的所述透明傳導材料和所述第一本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種有機發光顯示裝置，包括：下部電容器電極，形成在襯底上并與薄膜晶體管的活性層位于同一水平高度，所述下部電容器電極包括摻有離子雜質的半導體材料；第一絕緣層，形成在所述襯底上并覆蓋所述活性層和所述下部電容器電極；所述薄膜晶體管的柵電極，形成在所述第一絕緣層上并包括由透明傳導材料形成的下部柵電極和由金屬形成的上部柵電極；像素電極，形成在所述第一絕緣層上并與所述薄膜晶體管電連接，所述像素電極由透明傳導材料形成；上部電容器電極，布置在與所述像素電極同一水平高度處并由透明傳導材料形成；蝕刻塊層，形成在所述第一絕緣層與所述上部電容器電極之間，并由透明傳導材料形成；所述薄膜晶體管的源電極和漏電極，與所述活性層電連接；第二絕緣層，形成在所述第一絕緣層與所述源電極和漏電極之間，并具有完全暴露所述上部電容器電極的開口；第三絕緣層，形成在所述第二絕緣層上并暴露所述像素電極；中間層，布置在所述像素電極上并包括發光層；相對電極，面對所述像素電極布置，并且所述中間層位于所述相對電極與所述像素電極之間。

【技術特征摘要】
2011.07.28 KR 10-2011-00752171.一種有機發光顯示裝置，包括 下部電容器電極，形成在襯底上并與薄膜晶體管的活性層位于同一水平高度，所述下部電容器電極包括摻有離子雜質的半導體材料； 第一絕緣層，形成在所述襯底上并覆蓋所述活性層和所述下部電容器電極； 所述薄膜晶體管的柵電極，形成在所述第一絕緣層上并包括由透明傳導材料形成的下部柵電極和由金屬形成的上部柵電極； 像素電極，形成在所述第一絕緣層上并與所述薄膜晶體管電連接，所述像素電極由透明傳導材料形成； 上部電容器電極，布置在與所述像素電極同一水平高度處并由透明傳導材料形成； 蝕刻塊層，形成在所述第一絕緣層與所述上部電容器電極之間，并由透明傳導材料形成； 所述薄膜晶體管的源電極和漏電極，與所述活性層電連接； 第二絕緣層，形成在所述第一絕緣層與所述源電極和漏電極之間，并具有完全暴露所述上部電容器電極的開口； 第三絕緣層，形成在所述第二絕緣層上并暴露所述像素電極； 中間層，布置在所述像素電極上并包括發光層； 相對電極，面對所述像素電極布置，并且所述中間層位于所述相對電極與所述像素電極之間。2.如權利要求I所述的有機發光顯示裝置，其中，間隙形成在所述上部電容器電極的一側與所述開口的內壁之間。3.如權利要求I所述的有機發光顯示裝置，其中，所述下部電容器電極同與其連接的互連線位于同一水平高度，所述互連線和將所述下部電容器電極與所述互連線連接的連接部包括摻有所述離子雜質的半導體材料。4.如權利要求3所述的有機發光顯示裝置，其中，將所述下部電容器電極與所述互連線連接的連接部與位于所述上部電容器電極的一側和所述開口的內壁之間的所述間隙相對應。5.如權利要求4所述的有機發光顯示裝置，其中，所述蝕刻塊層與至少所述連接部相對應地布置。6.如權利要求I所述的有機發光顯示裝置，其中，所述下部柵電極、所述像素電極和所述上部電容器電極由第二透明傳導材料形成，所述蝕刻塊層由具有與所述第二透明傳導材料相關的蝕刻選擇性的第一透明傳導材料形成。7.如權利要求6所述的有機發光顯示裝置，其中，所述第二透明傳導材料是非晶氧化銦錫，所述第一透明傳導材料是晶體氧化銦錫。8.如權利要求I所述的有機發光顯示裝置，其中，如果所述中間層包括用于發出紅色光的第一發光層，則所述中間層還包括位于所述第一絕緣層與所述第一發光層之間的第一輔助層。9.如權利要求8所述的有機發光顯示裝置，其中，所述第一輔助層包括 第一層，布置在所述像素電極與所述第一發光層之間，所述第一層允許從所述像素電極注入或傳輸到所述第一發光層的空穴穿過所述第一層；以及第二層，布置在所述第一絕緣層與所述像素電極之間，所述第二層由與位于同一水平高度的所述蝕刻塊層中所使用的相同材料形成。10.如權利要求8所述的有機發光顯示裝置，其中，如果所述中間層包括用于發出綠色光的第二發光層，則所述中間層還包括第二輔助層，所述第二輔助層的厚度小于位于所述第一絕緣層與所述第二發光層之間的所述第一輔 助層的厚度。11.如權利要求10所述的有機發光顯示裝置，其中，所述第二輔助層包括插入所述第一絕緣層與所述像素電極之間的層，并且所述第二輔助層由與位于同一水平高度的所述蝕刻塊層中所使用的相同材料形成。12.如權利要求I所述的有機發光顯示裝置，其中，所述中間層包括用于發出藍色光的第三發光層。13.如權利要求I所述的有機發光顯示裝置，其中，所述相對電極是反射從發光層發出的光的反射電極。14.如權利要求I所述的有機發光顯示裝置，其中，如果所述中間層包括用于發出紅色光的第一發光層，則所述中間層插入所述像素電極與所述第一發光層之間，并且所述中間層還包括允許從所述像素電極注入或傳輸至所述第一發光層的空穴穿過的輔助層，所述像素電極由與位于同一水平高度的所述蝕刻塊層中的相同晶體氧化銦錫形成。...

【專利技術屬性】
技術研發人員：崔鍾炫，金廣海，
申請(專利權)人：三星顯示有限公司，
類型：發明
國別省市：