基板處理裝置、基板載置機(jī)構(gòu)和基板處理方法制造方法及圖紙

本公開涉及基板處理裝置、基板載置機(jī)構(gòu)和基板處理方法。能夠在一個(gè)處理容器內(nèi)對(duì)被處理基板以高生產(chǎn)率連續(xù)地進(jìn)行溫度不同的多個(gè)工序。基板處理裝置具有：處理容器；處理氣體供給機(jī)構(gòu)，其向處理容器內(nèi)供給處理氣體；基板載置臺(tái)，其載置被處理基板；制冷劑流路，其設(shè)置于基板載置臺(tái)的主體；制冷劑抽取機(jī)構(gòu)，其從制冷劑流路抽取制冷劑；加熱器，其被印刷在靜電卡盤的背面；溫度控制部，其使制冷劑流通于制冷劑流路中，將被處理基板溫度調(diào)整為第一溫度，利用加熱器進(jìn)行加熱并且利用制冷劑抽取機(jī)構(gòu)抽取制冷劑流路的制冷劑，將被處理基板溫度調(diào)整為比第一溫度高的第二溫度，連續(xù)地進(jìn)行基于第一溫度的處理和基于第二溫度的處理。

Substrate Processing Device, Substrate Mounting Mechanism and Substrate Processing Method

The present disclosure relates to a substrate processing device, a substrate mounting mechanism and a substrate processing method. It is capable of continuously operating at different temperatures on the treated substrate in a processing container with high productivity. The base plate processing device has: a processing container; a processing gas supply mechanism, which supplies the processing gas to the processing container; a base plate mounting platform, which is mounted on the treated base plate; a refrigerant flow path, which is mounted on the main body of the base plate mounting platform; a refrigerant extraction mechanism, which extracts refrigerants from the refrigerant flow path; a heater, which is printed on the back of the electrostatic chuck; and a temperature control device, which has a refrigerant flow path. To make refrigerant flow in refrigerant flow path, the temperature of the treated substrate is adjusted to the first temperature. The refrigerant of the refrigerant flow path is heated by a heater and extracted by a refrigerant extraction mechanism. The temperature of the treated substrate is adjusted to the second temperature higher than the first temperature. The first temperature-based treatment and the second temperature-based treatment are carried out continuously.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
基板處理裝置、基板載置機(jī)構(gòu)和基板處理方法
本專利技術(shù)涉及一種基板處理裝置、基板載置機(jī)構(gòu)和基板處理方法。
技術(shù)介紹
例如，作為也能夠去除存在于鰭式FET的源極和漏極部分等復(fù)雜的構(gòu)造部分的硅的自然氧化膜的處理，討論一種COR(ChemicalOxideRemoval：化學(xué)氧化物去除)處理。例如在專利文獻(xiàn)1、2等中記載有COR處理，所述COR處理為如下一種技術(shù)：通過例如在約30℃時(shí)使氟化氫(HF)氣體和氨(NH3)氣體吸附于氧化硅膜(SiO2膜)并且使它們與氧化硅膜發(fā)生反應(yīng)而生成氟硅酸銨((NH4)2SiF6；AFS)的工序、以及例如在約90℃的溫度下利用加熱使該AFS升華的工序來蝕刻氧化硅膜。以往，當(dāng)想要在一個(gè)腔室(處理容器)內(nèi)進(jìn)行這樣的不同的溫度的工序時(shí)，使溫度變化需要花費(fèi)時(shí)間，因此一般在不同的腔室中進(jìn)行。但是，伴隨半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜化，要求由一個(gè)腔室進(jìn)行多個(gè)工序，從而需要一種能夠由一個(gè)腔室以高生產(chǎn)率進(jìn)行這樣的不同的溫度的工序的裝置。在專利文獻(xiàn)3～5中記載有能夠高速地對(duì)基板溫度進(jìn)行升降溫的裝置，但均未想到要由一個(gè)腔室連續(xù)地進(jìn)行溫度不同的一系列的工序，難以應(yīng)用于這樣的用途。專利文獻(xiàn)1：日本特開2005-39185號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本特開2008-160000號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3：日本特開平7-183276號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4：日本特開2008-192643號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5：日本特開2011-77452號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)要解決的問題本專利技術(shù)是鑒于這樣的情況而完成的，因此其課題在于提供一種能夠在一個(gè)處理容器內(nèi)以高生產(chǎn)率連續(xù)地對(duì)被處理基板進(jìn)行溫度不同的多個(gè)工序的技術(shù)。用于解決問題的方案為了解決上述課題，本專利技術(shù)的第一觀點(diǎn)提供一種基板處理裝置，其特征在于，具有：處理容器，其內(nèi)部能夠保持為真空；處理氣體供給機(jī)構(gòu)，其向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體；基板載置臺(tái)，其具有用于在所述處理容器內(nèi)載置被處理基板的載置面；調(diào)溫介質(zhì)流路，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)，并且供用于對(duì)載置于所述基板載置臺(tái)的被處理基板進(jìn)行溫度調(diào)整的調(diào)溫介質(zhì)流通；調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)，其從所述調(diào)溫介質(zhì)流路抽取調(diào)溫介質(zhì)；加熱器，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)的比所述調(diào)溫介質(zhì)流路靠近所述載置面的位置；以及溫度控制部，其使調(diào)溫介質(zhì)流通于所述基板載置臺(tái)的所述調(diào)溫介質(zhì)流路中，將被處理基板溫度調(diào)整為第一溫度，利用所述加熱器進(jìn)行加熱并且利用所述調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)抽取所述調(diào)溫介質(zhì)流路的調(diào)溫介質(zhì)，將被處理基板溫度調(diào)整為比所述第一溫度高的所述第二溫度，其中，對(duì)被處理基板連續(xù)地進(jìn)行基于第一溫度的處理和基于第二溫度的處理。在上述第一觀點(diǎn)中，能夠設(shè)為如下的結(jié)構(gòu)：所述基板載置臺(tái)具有：主體，其由金屬制成且形成有所述調(diào)溫介質(zhì)流路；靜電卡盤，其設(shè)置于所述主體之上，并且具有所述載置面，所述靜電卡盤是以在電介質(zhì)中設(shè)置有電極的方式構(gòu)成的，并且用于靜電吸附所述被處理基板；以及緩沖件，其設(shè)置于所述靜電卡盤與所述主體之間，所述加熱器被印刷在所述靜電卡盤的背面。所述靜電卡盤的厚度優(yōu)選為3mm～3.5mm。所述第一溫度與所述第二溫度的溫度差優(yōu)選為20℃～100℃。具備調(diào)溫介質(zhì)供給單元，該調(diào)溫介質(zhì)供給單元使調(diào)溫介質(zhì)流通于所述調(diào)溫介質(zhì)流路中，所述調(diào)溫介質(zhì)供給單元與向所述調(diào)溫介質(zhì)流路供給調(diào)溫介質(zhì)的調(diào)溫介質(zhì)供給路和從調(diào)溫介質(zhì)流路排出調(diào)溫介質(zhì)的調(diào)溫介質(zhì)排出路連接，所述調(diào)溫介質(zhì)供給路和所述調(diào)溫介質(zhì)排出路分別設(shè)置有開閉閥，所述調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)呈具有氣缸、和插入于所述氣缸內(nèi)的活塞的注射器狀，并且分別連接于所述調(diào)溫介質(zhì)供給路和所述調(diào)溫介質(zhì)排出路的比所述開閉閥靠所述調(diào)溫介質(zhì)流路側(cè)的位置，通過在關(guān)閉所述開閉閥的狀態(tài)下拉動(dòng)所述活塞，來抽取所述調(diào)溫介質(zhì)流路內(nèi)的調(diào)溫介質(zhì)。還可以具備噴淋頭，所述噴淋頭與所述基板載置臺(tái)相向地設(shè)置，并且將處理氣體以噴淋狀導(dǎo)入到所述處理容器內(nèi)。在該情況下，還具有：升降機(jī)構(gòu)，其使所述基板載置臺(tái)升降；以及升降銷，其使被處理基板相對(duì)于所述載置面升降，所述溫度控制部在將所述被處理基板溫度調(diào)整為所述第二溫度時(shí)，加熱所述噴淋頭，并且使所述升降機(jī)構(gòu)上升或者使所述升降銷升起，由此使被處理基板靠近所述噴淋頭來輔助被處理基板的加熱。能夠設(shè)為還具有用于在所述處理容器內(nèi)生成等離子體的等離子體生成機(jī)構(gòu)，所述第一溫度下的處理包括由利用所述等離子體生成機(jī)構(gòu)生成的等離子體進(jìn)行的處理。能夠設(shè)為所述第一溫度下的處理包括供給化學(xué)氣體來進(jìn)行的化學(xué)處理，所述第二溫度下的處理包括去除由所述化學(xué)處理生成的反應(yīng)生成物的處理。本專利技術(shù)的第二觀點(diǎn)提供一種基板處理裝置，用于在具有形成了規(guī)定圖案的絕緣膜、且具有在所述圖案的底部的硅部分形成的含硅氧化膜的被處理基板中去除所述含硅氧化膜，所述基板處理裝置的特征在于，具有：處理容器，其內(nèi)部能夠保持為真空；處理氣體供給機(jī)構(gòu)，其向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體；基板載置臺(tái)，其具有在所述處理容器內(nèi)載置被處理基板的載置面；調(diào)溫介質(zhì)流路，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)，并且供用于對(duì)載置于所述基板載置臺(tái)的被處理基板進(jìn)行溫度調(diào)整的調(diào)溫介質(zhì)流通；調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)，其從所述調(diào)溫介質(zhì)流路抽取調(diào)溫介質(zhì)；加熱器，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)的比所述調(diào)溫介質(zhì)流路靠近所述載置面的位置；等離子體生成機(jī)構(gòu)，其用于在所述處理容器內(nèi)生成等離子體；溫度控制部，其使調(diào)溫介質(zhì)流通于所述基板載置臺(tái)的所述調(diào)溫介質(zhì)流路中來將被處理基板溫度調(diào)整為第一溫度，利用所述加熱器進(jìn)行加熱并且利用所述調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)抽取所述調(diào)溫介質(zhì)流路的調(diào)溫介質(zhì)，將被處理基板溫度調(diào)整為比所述第一溫度高的所述第二溫度；以及控制部，其控制所述基板處理裝置中的處理，所述控制部進(jìn)行控制，以執(zhí)行以下工序：第一工序，通過基于等離子體進(jìn)行的離子性的各向異性等離子體蝕刻，去除形成于所述圖案的底部的所述含硅氧化膜，所述等離子體是從所述氣體供給機(jī)構(gòu)供給的碳系氣體被所述等離子體生成機(jī)構(gòu)生成的；第二工序，通過基于從所述氣體供給機(jī)構(gòu)供給的化學(xué)氣體進(jìn)行的化學(xué)蝕刻，去除對(duì)所述被處理基板進(jìn)行所述各向異性等離子體蝕刻后的所述含硅氧化膜的殘存部分；以及第三工序，去除在所述化學(xué)蝕刻后生成的反應(yīng)生成物的，所述溫度控制部在所述第一工序和所述第二工序時(shí)將所述被處理基板溫度調(diào)整為所述第一溫度，在所述第三工序時(shí)將所述被處理基板溫度調(diào)整為所述第二溫度。本專利技術(shù)的第三觀點(diǎn)提供一種基板載置機(jī)構(gòu)，用于在對(duì)被處理基板進(jìn)行處理的處理容器內(nèi)載置被處理基板并且對(duì)被處理基板進(jìn)行溫度調(diào)整，所述基板載置機(jī)構(gòu)的特征在于，具有：基板載置臺(tái)，其具有在所述處理容器內(nèi)載置被處理基板的載置面；調(diào)溫介質(zhì)流路，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)，并且供用于對(duì)載置于所述基板載置臺(tái)的被處理基板進(jìn)行溫度調(diào)整的調(diào)溫介質(zhì)流通；調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)，其從所述調(diào)溫介質(zhì)流路抽取調(diào)溫介質(zhì)；加熱器，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)的比所述調(diào)溫介質(zhì)流路靠近所述載置面的位置；以及溫度控制部，其使調(diào)溫介質(zhì)流通于所述基板載置臺(tái)的所述調(diào)溫介質(zhì)流路中來將被處理基板溫度調(diào)整為第一溫度，利用所述加熱器進(jìn)行加熱并且利用所述調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)抽取所述調(diào)溫介質(zhì)流路的調(diào)溫介質(zhì)，將被處理基板溫度調(diào)整為比所述第一溫度高的所述第二溫度。本專利技術(shù)的第四觀點(diǎn)提供一種基板處理方法，利用基板處理裝置在具有形成了所述圖案的絕緣膜、且具有在所述圖案的底部的硅部分形成的含硅氧化膜的被處理基板中去除所述含硅氧化膜本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：處理容器，其內(nèi)部能夠保持為真空；處理氣體供給機(jī)構(gòu)，其向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體；基板載置臺(tái)，其具有用于在所述處理容器內(nèi)載置被處理基板的載置面；調(diào)溫介質(zhì)流路，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)，并且供用于對(duì)載置于所述基板載置臺(tái)的被處理基板進(jìn)行溫度調(diào)整的調(diào)溫介質(zhì)流通；調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)，其從所述調(diào)溫介質(zhì)流路抽取調(diào)溫介質(zhì)；加熱器，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)的比所述調(diào)溫介質(zhì)流路靠近所述載置面的位置；以及溫度控制部，其使調(diào)溫介質(zhì)流通于所述基板載置臺(tái)的所述調(diào)溫介質(zhì)流路中來將被處理基板溫度調(diào)整為第一溫度，利用所述加熱器進(jìn)行加熱并且利用所述調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)抽取所述調(diào)溫介質(zhì)流路的調(diào)溫介質(zhì)，將被處理基板溫度調(diào)整為比所述第一溫度高的第二溫度，其中，對(duì)被處理基板連續(xù)地進(jìn)行基于第一溫度的處理和基于第二溫度的處理。

【技術(shù)特征摘要】
2017.06.16 JP 2017-1189771.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：處理容器，其內(nèi)部能夠保持為真空；處理氣體供給機(jī)構(gòu)，其向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體；基板載置臺(tái)，其具有用于在所述處理容器內(nèi)載置被處理基板的載置面；調(diào)溫介質(zhì)流路，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)，并且供用于對(duì)載置于所述基板載置臺(tái)的被處理基板進(jìn)行溫度調(diào)整的調(diào)溫介質(zhì)流通；調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)，其從所述調(diào)溫介質(zhì)流路抽取調(diào)溫介質(zhì)；加熱器，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)的比所述調(diào)溫介質(zhì)流路靠近所述載置面的位置；以及溫度控制部，其使調(diào)溫介質(zhì)流通于所述基板載置臺(tái)的所述調(diào)溫介質(zhì)流路中來將被處理基板溫度調(diào)整為第一溫度，利用所述加熱器進(jìn)行加熱并且利用所述調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)抽取所述調(diào)溫介質(zhì)流路的調(diào)溫介質(zhì)，將被處理基板溫度調(diào)整為比所述第一溫度高的第二溫度，其中，對(duì)被處理基板連續(xù)地進(jìn)行基于第一溫度的處理和基于第二溫度的處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述基板載置臺(tái)具有：主體，其由金屬制成且形成有所述調(diào)溫介質(zhì)流路；靜電卡盤，其設(shè)置于所述主體之上，并且具有所述載置面，所述靜電卡盤是以在電介質(zhì)中設(shè)置電極的方式構(gòu)成的，并且用于靜電吸附所述被處理基板；以及緩沖件，其設(shè)置于所述靜電卡盤與所述主體之間，所述加熱器被印刷在所述靜電卡盤的背面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述靜電卡盤的厚度為3mm～3.5mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第一溫度與所述第二溫度的溫度差為20℃～100℃。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，還具備調(diào)溫介質(zhì)供給單元，該調(diào)溫介質(zhì)供給單元使調(diào)溫介質(zhì)流通于所述調(diào)溫介質(zhì)流路中，所述調(diào)溫介質(zhì)供給單元與向所述調(diào)溫介質(zhì)流路供給調(diào)溫介質(zhì)的調(diào)溫介質(zhì)供給路和從調(diào)溫介質(zhì)流路排出調(diào)溫介質(zhì)的調(diào)溫介質(zhì)排出路連接，在所述調(diào)溫介質(zhì)供給路和所述調(diào)溫介質(zhì)排出路分別設(shè)置有開閉閥，所述調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)呈具有氣缸和插入于所述氣缸內(nèi)的活塞的注射器狀，所述調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)分別連接于所述調(diào)溫介質(zhì)供給路和所述調(diào)溫介質(zhì)排出路的比所述開閉閥靠所述調(diào)溫介質(zhì)流路側(cè)的位置，通過在關(guān)閉所述開閉閥的狀態(tài)下拉動(dòng)所述活塞，來抽取所述調(diào)溫介質(zhì)流路內(nèi)的調(diào)溫介質(zhì)。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，還具備噴淋頭，所述噴淋頭與所述基板載置臺(tái)相向地設(shè)置，所述噴淋頭將處理氣體以噴淋狀導(dǎo)入到所述處理容器內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有：升降機(jī)構(gòu)，其使所述基板載置臺(tái)升降；以及升降銷，其使被處理基板相對(duì)于所述載置面升降，所述溫度控制部在將所述被處理基板溫度調(diào)整為所述第二溫度時(shí)，加熱所述噴淋頭，并且使所述升降機(jī)構(gòu)上升或者使所述升降銷升起，由此使被處理基板靠近所述噴淋頭來輔助對(duì)被處理基板的加熱。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有用于在所述處理容器內(nèi)生成等離子體的等離子體生成機(jī)構(gòu)，所述第一溫度下的處理包括基于由所述等離子體生成機(jī)構(gòu)生成的等離子體進(jìn)行的處理。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第一溫度下的處理包括供給化學(xué)氣體來進(jìn)行的化學(xué)處理，所述第二溫度下的處理包括去除通過所述化學(xué)處理生成的反應(yīng)生成物的處理。10.一種基板處理裝置，用于在具有形成了規(guī)定的圖案的絕緣膜、且具有在所述圖案的底部的硅部分形成的含硅氧化膜的被處理基板中去除所述含硅氧化膜，所述基板處理裝置的特征在于，具有：處理容器，其內(nèi)部能夠保持為真空；處理氣體供給機(jī)構(gòu)，其向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體；基板載置臺(tái)，其具有在所述處理容器內(nèi)載置被處理基板的載置面；調(diào)溫介質(zhì)流路，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)，并且供用于對(duì)載置于所述基板載置臺(tái)的被處理基板進(jìn)行溫度調(diào)整的調(diào)溫介質(zhì)流通；調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)，其從所述調(diào)溫介質(zhì)流路抽取調(diào)溫介質(zhì)；加熱器，其設(shè)置于所述基板載置臺(tái)的比所述調(diào)溫介質(zhì)流路靠近所述載置面的位置；等離子體生成機(jī)構(gòu)，其用于在所述處理容器內(nèi)生成等離子體；溫度控制部，其使調(diào)溫介質(zhì)流通于所述基板載置臺(tái)的所述調(diào)溫介質(zhì)流路中來將被處理基板溫度調(diào)整為第一溫度，利用所述加熱器進(jìn)行加熱并且利用所述調(diào)溫介質(zhì)抽取機(jī)構(gòu)抽取所述調(diào)溫介質(zhì)流路的調(diào)溫介質(zhì)，將被處理基板溫度調(diào)整為比所述第一溫度高的第二溫度；以及控制部，其控制...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：津田榮之輔，村上誠(chéng)志，釜石貴之，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：日本,JP