公開(kāi)了一種將貼附在切片帶（200）上的半導(dǎo)體裸芯（212）由所述切片帶預(yù)剝離的設(shè)備（100）和方法。該設(shè)備（100）包括腔體（110），所述腔體具有底部基底（112）、頂部開(kāi)口（114）和從基底（112）的周邊向上延伸的環(huán)形側(cè)壁（116）。側(cè)壁（16）具有大致平的頂部表面。該設(shè)備（100）還包括設(shè)置在腔體（110）之上的蓋子（120）。蓋子（120）具有中心開(kāi)口。該設(shè)備（100）還包括設(shè)置在基底（112）中的至少一個(gè)入口（118），和經(jīng)由該至少一個(gè)入口（118）連接至腔體（110）的壓強(qiáng)調(diào)節(jié)器（150）。切片帶（200）被布置在蓋子（120）和側(cè)壁（116）的頂部表面之間，以氣密密封腔體（110）的頂部開(kāi)口（114）。半導(dǎo)體裸芯（212）位于腔體（110）的頂部開(kāi)口（114）的正上方。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置的制造。
技術(shù)介紹
在將晶片分成經(jīng)由裸芯貼附膜22貼附至切片帶20上的多個(gè)單元裸芯10后，在所謂拾取工藝中一裝置從切片帶20上拾取單個(gè)的裸芯10，如圖1A所示。圖1B示出了從切片帶20上拾取半導(dǎo)體裸芯10的拾取機(jī)構(gòu)的放大示意側(cè)視圖。使用諸如推力銷的推出器30透過(guò)切片膜20在單個(gè)裸芯10的背面推動(dòng)單個(gè)裸芯10。作為結(jié)果，半導(dǎo)體裸芯10在由在上方和推力銷30相對(duì)的吸取裝置保持的同時(shí)被從切片帶20剝離。通常所知的吸取裝置40為連接至真空泵的橡膠嘴。在拾取工藝中，在半導(dǎo)體裸芯10的厚度等于或小于100 μ m的情形中，當(dāng)半導(dǎo)體裸芯10的背面被推出器30向上推起時(shí)，由于介于其間的粘接劑，裂紋或碎裂在半導(dǎo)體裸芯10的周邊部分發(fā)生，這導(dǎo)致了產(chǎn)率損失或產(chǎn)品質(zhì)量的下降。因此，存在改進(jìn)用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備和方法的需要。附圖說(shuō)明圖1A和IB是示出了制造半導(dǎo)體裝置的拾取工藝的示意性側(cè)視圖；圖2是根據(jù)本技術(shù)的預(yù)剝離半導(dǎo)體裸芯的設(shè)備的分解示意立體圖；圖3是根據(jù)本技術(shù)的預(yù)剝離半導(dǎo)體裸芯的設(shè)備的局部示意性側(cè)視圖；圖4是根據(jù)本技術(shù)的預(yù)剝離半導(dǎo)體裸芯的設(shè)備的腔體的示意性俯視圖；圖5A和5B是根據(jù)本技術(shù)的預(yù)剝離半導(dǎo)體裸芯的設(shè)備的示意性側(cè)視圖；圖6A-6E是根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的示意圖；圖7是具有拱頂形狀的切片帶的放大視圖；和圖8是具有反置拱頂形狀的切片帶的放大視圖。具體實(shí)施方法現(xiàn)將參考圖2到圖8描述實(shí)施例，其涉及了從切片帶預(yù)剝離半導(dǎo)體裸芯的設(shè)備和方法?？梢岳斫獗炯夹g(shù)可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)解釋為限于本文所闡述的實(shí)施例。而是，這些實(shí)施例被提供，使得本公開(kāi)將是充分和完整的，且將該技術(shù)完全傳遞給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。本技術(shù)旨在覆蓋這些實(shí)施例的替換、修改和等同物，這些實(shí)施例被包括在由所附權(quán)利要求界定的本技術(shù)的范圍和精神內(nèi)。另外，在本技術(shù)的所附詳細(xì)說(shuō)明中，闡述了許多特定的細(xì)節(jié)，以提供本技術(shù)的完整理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言清楚的是，本技術(shù)可以在沒(méi)有這樣的特定細(xì)節(jié)的情況下被實(shí)現(xiàn)。術(shù)語(yǔ)“頂部”和“底部”以及“上”和“下”在本文中僅為了方便和說(shuō)明的目的而使用，且不旨在限制本技術(shù)的描述，而所指稱的項(xiàng)目可以在位置上交換。圖2是根據(jù)本技術(shù)的預(yù)剝離半導(dǎo)體裸芯的設(shè)備100的分解透視示意圖。設(shè)備100包括腔體100，腔體100具有底部基底112、頂部開(kāi)口 114和從底部112的周邊向上延伸的環(huán)形側(cè)壁116。其上貼附有多個(gè)半導(dǎo)體裸芯212的切片帶200被設(shè)置在腔體110上方。所述腔體110的基底112可具有平或凸的表面。如圖2所示，環(huán)形側(cè)壁116具有圓環(huán)狀的橫截面，但本技術(shù)未對(duì)其作出限制，環(huán)形側(cè)壁116可具有其他帶有中央開(kāi)口的幾何形狀，以允許將切片帶2上的半導(dǎo)體裸芯212定位在該中央開(kāi)口正上方。在此情形下，半導(dǎo)體裸芯212在切片帶在操作中發(fā)生形變時(shí)可隨切片帶200自由移動(dòng)。側(cè)壁116具有大致平的頂部表面，使得切片帶可被可靠的放置在側(cè)壁116的頂部表面上。腔體110的主體可由金屬制成，所述金屬諸如鋼、鋁或銅。設(shè)備100還包括設(shè)置在腔體110之上的蓋子120。切片帶200被設(shè)置在側(cè)壁116的頂部表面和蓋子120之間。切片帶200通常具有施加在兩面上的粘接劑(未示出)，因此切片帶200可經(jīng)由粘接劑將側(cè)壁116的頂部表面和蓋子120接合在一起。如圖2所示，蓋子120具有圓環(huán)狀形狀，但本技術(shù)未對(duì)其作出限制，蓋子120可具有帶有中央開(kāi)口的其他幾何形狀，以允許將切片帶2上的半導(dǎo)體裸芯212定位在該中央開(kāi)口的正上方。在此情形下，半導(dǎo)體裸芯212在切片帶在操作中發(fā)生形變時(shí)可隨切片帶200自由移動(dòng)。蓋子120可為具有和側(cè)壁116的頂部表面大致相同的橫截面和尺寸的環(huán)形構(gòu)件。蓋子120可由金屬制成，所述金屬諸如鋼、鋁或銅。例如，蓋子120可以是在一在先的切片步驟中貼附到切片帶上的晶片環(huán)。設(shè)備100還可以包括至少一個(gè)固定構(gòu)件130，其將蓋子120和切片帶200可靠地固定到側(cè)壁116的頂部表面上。固定構(gòu)件130可包括螺釘、銷子、夾子、鉚釘或其他用來(lái)改進(jìn)腔體110的密封的裝置。舉例來(lái)說(shuō)，如圖2所示，具有四個(gè)沿蓋子的周邊等距離分布的定位銷子作為固定構(gòu)件130。固定構(gòu)件130也可由金屬制成?？蛇x地，設(shè)備100可包括設(shè)置在切片帶200和側(cè)壁116的頂部表面之間的密封構(gòu)件140，以改進(jìn)腔體116的密封。如圖2所示，在蓋子120和側(cè)壁116都具有圓環(huán)形橫截面形狀時(shí)，密封構(gòu)件140可為O形環(huán)。除了直接放置在側(cè)壁116的頂部之外，密封構(gòu)件140也可被容納在形成在側(cè)壁116的頂部表面上的溝槽170內(nèi)，如圖3中的側(cè)視圖所示。此時(shí)，密封構(gòu)件140可更可靠地放置在側(cè)壁116上，并由此改進(jìn)腔體110的密封。此外,設(shè)備100包括至少一個(gè)設(shè)置于基底112中的入口 118?？捎卸鄠€(gè)分布在基底112中的入口 118，但優(yōu)選地，至少一個(gè)入口 118被設(shè)置在基底112的中心或基底112的中心的附近。舉例來(lái)說(shuō)，圖4是具有多個(gè)入口 118的腔體110的示意性俯視圖，其中一個(gè)入口118被布置在基底112的中心，而其余的入口 118被分布遍及基底表面。設(shè)備100還包括經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)入口 118連接至腔體110的壓強(qiáng)調(diào)節(jié)器150。如果切片帶200密封腔體110的頂部開(kāi)口，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)器150可調(diào)節(jié)腔體110內(nèi)的壓強(qiáng)，并由此在切片帶200的相對(duì)面之間產(chǎn)生壓強(qiáng)差，其可使切片帶200發(fā)生形變。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)切片帶200上的半導(dǎo)體裸芯212被布置在腔體110之外，如圖5A所示，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)器150’可包括將液體或氣體提供到腔體110內(nèi)的流體源152’，以在腔體110內(nèi)形成相對(duì)于諸如大氣壓的環(huán)境壓強(qiáng)的正壓強(qiáng)。優(yōu)選地，氣體可為干燥的空氣或干燥的氮?dú)?，以保護(hù)切片帶200不受濕氣的影響。可替換地，在切片帶200上的半導(dǎo)體裸芯212被布置在腔體110之內(nèi)，如圖5B所示時(shí)，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)器150〃可包括真空泵152〃和閥門154，以控制真空度，即，腔體110內(nèi)相對(duì)于環(huán)境壓強(qiáng)的負(fù)壓強(qiáng)。此外，設(shè)備100還可包括腔體110內(nèi)的輻射源(未示出)，諸如UV光源，其在切片帶200由于由壓強(qiáng)調(diào)節(jié)器150引入的壓強(qiáng)差而變形時(shí)用來(lái)照射切片帶200。將在下文中參考根據(jù)本技術(shù)的制造半導(dǎo)體裝置的方法對(duì)設(shè)備100的更多細(xì)節(jié)進(jìn)行討論。圖6A至6E為示出了用來(lái)如本技術(shù)的第一實(shí)施例所述，制造半導(dǎo)體裝置的方法的示意圖。如圖6A所示，晶片210被可選地經(jīng)由裸芯貼附膜(DAF)220首先貼附至切片帶200上。切片帶200通常包括基底材料和施加在兩面上的粘接劑，所述基底材料諸如聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(PET)、聚烯烴或聚乙烯。該粘接劑也可為UV敏感的，以允許在UV照射時(shí)斷開(kāi)粘接劑接合。裸芯貼附膜220通常被用于薄裸芯層疊封裝，以在封裝中獲得需要的一致的粘結(jié)層厚度。DAF220和切片帶200之間的接合強(qiáng)度通常小于半導(dǎo)體裸芯212和DAF220之間的接合強(qiáng)度，以使得在預(yù)剝離和后續(xù)的拾取工藝期間，半導(dǎo)體裸芯212和DAF200被從切片帶200上分離。下一步，如圖6B所示，晶片210在所謂的切片工藝中被諸如鉆石鋸或激光(未示出)的切割工具分成切片帶200上多個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體裸芯212。切片帶上的粘接劑將半導(dǎo)體裸芯保持在位。優(yōu)選地，晶片2本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】1.一種將貼附在切片帶上的半導(dǎo)體裸芯從所述切片帶預(yù)剝離的設(shè)備，包括: 腔體，其具有底部基底，頂部開(kāi)口和從所述基底的周邊向上延伸的環(huán)形側(cè)壁，所述側(cè)壁具有基本平的頂表面； 蓋子，設(shè)置于所述腔體上方，所述蓋具有中心開(kāi)口 ； 至少一個(gè)入口，設(shè)置于所述基底中；和 壓強(qiáng)調(diào)節(jié)器，經(jīng)由所述至少一個(gè)入口連接到所述腔體， 其中所述切片帶設(shè)置于所述蓋和所述側(cè)壁的頂表面之間以氣密地密封所述腔體的頂部開(kāi)口，且 所述半導(dǎo)體裸芯位于所述腔體的頂部開(kāi)口的正上方。2.按權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述壓強(qiáng)調(diào)節(jié)器包括將流體經(jīng)由所述入口提供到所述腔體的流體源。3.按權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述流體包括氣體或液體。4.按權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述氣體包括干燥的空氣或干燥的氮?dú)狻?.按權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述壓強(qiáng)調(diào)節(jié)器還包括用來(lái)控制所述流體的流速的流體控制裝置。6.按權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述壓強(qiáng)調(diào)節(jié)器包括真空泵。7.按權(quán)利要求6所述的設(shè)備，還包括至少一個(gè)固定構(gòu)件，將所述蓋和所述切片帶固定到所述側(cè)壁的頂表面上。8.按權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述固定構(gòu)件包括螺釘、銷子、夾子或鉚釘。9.按權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括密封構(gòu)件，設(shè)置于所述切片帶和所述側(cè)壁的頂部表面之間。10.按權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述側(cè)壁的頂部表面包括容納所述密封構(gòu)件的溝槽。11.按權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述環(huán)形側(cè)壁的頂部表面和所述蓋均具有圓環(huán)狀的橫截面形狀，且所述密封構(gòu)件是O形環(huán)。12.按權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述蓋是晶片環(huán)。13.按權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述基底具有平面或凸面。14.按權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述至少一個(gè)入口設(shè)置于所述基底的中心或在所述基底的中心的附近。15.按權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括設(shè)置于所述腔體內(nèi)的UV光源。16.一種預(yù)剝離半導(dǎo)體裸芯的方法，包括以下的步驟: 將切片帶設(shè)置...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：邱進(jìn)添，H塔基亞爾，劉寧，張記東，呂忠，邰恩勇，N艾麗帕拉卡爾，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：晟碟半導(dǎo)體上海有限公司，晟碟信息科技上海有限公司，
類型：
國(guó)別省市：
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