超低方阻金屬化鋁膜制造技術(shù)

一種超低方阻金屬化鋁膜，涉及電容器技術(shù)領(lǐng)域，由基膜和金屬化鋁膜層組成，所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25~0.65Ω/□，而常規(guī)金屬化鋁膜層的方阻為2~4Ω/□，即金屬化鋁膜層的厚度是常規(guī)金屬化鋁膜的7倍左右，金屬化鋁膜層大幅度增厚，意味著在真空蒸鍍金屬化鋁膜時，要在同樣的時間內(nèi)在基膜上沉淀更多的鋁。本發(fā)明專利技術(shù)的超低方阻金屬化鋁膜性能穩(wěn)定，長期存放不會變質(zhì)，可耐受大電流沖擊，能在極端環(huán)境下如太空中使用，承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環(huán)境、失重和微重力等條件。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及電容器
，具體涉及一種超低方阻金屬化鋁膜。
技術(shù)介紹
將高純度鋁在高真空狀態(tài)下熔化、蒸發(fā)、沉淀到基膜上，在基膜表面形成一層極薄的金屬層后的塑料薄膜就是金屬化鋁膜。金屬化薄膜上的金屬層在單位正方形面積的電阻值稱為方塊電阻，用Ω/ □表示，因為金屬化膜上金屬化層的厚度很小極難測量，通常用方塊電阻來表示金屬鍍層的厚度。金屬化層的厚度和方阻值成反比，即方阻越低，金屬化層厚度越大。目前，常規(guī)金屬化鋁膜的方阻為2 4Ω/口。在地面一般大氣條件下，此種金屬化鋁膜使用不會出現(xiàn)問題，但在極端環(huán)境如太空中，溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環(huán)境、失重和微重力等條件下，無法保證其制成的電容器的可靠性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題在于提供一種超低方阻金屬化鋁膜，可以在在極端環(huán)境如太空中，溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環(huán)境、失重和微重力等條件下使用，并有很高的可靠性。本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):一種超低方阻金屬化鋁膜，由基膜和金屬化鋁膜層組成，其特征在于:所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25、.65 Ω / 口，而常規(guī)金屬化鋁膜層的方阻為2 4 Ω / 口，即金屬化鋁膜層的厚度是常規(guī)金屬化鋁膜的7倍左右，金屬化鋁膜層大幅度增厚，意味著在真空蒸鍍金屬化鋁膜時，要在同樣的時間內(nèi)在基膜上沉淀更多的鋁。所述的基膜為有機薄膜。所述的基膜為聚酯膜或聚丙烯膜。所述的金屬化鋁膜層的金屬層為金屬鋁附著在有機薄膜上形成。為了獲得超低方阻金屬化鋁膜，需要改善鋁的融化和蒸發(fā)速度，提高沉淀到基膜上的鋁量，以及及時散發(fā)大幅度增加的熱量，因此金屬化鋁膜層采用真空蒸鍍制成。所述真空蒸鍍的條件為，真空鍍膜機的蒸鍍速度為f 3米/秒，鍍膜機冷卻主鼓的溫度為-2(T-30°C，蒸發(fā)舟為二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發(fā)舟。使用比現(xiàn)有的氮化硼蒸發(fā)舟性能更好的蒸發(fā)舟，二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發(fā)舟，改善鋁的融化和蒸發(fā)速度，其蒸發(fā)率可以從5克/分鐘以下提高到9.11克/分鐘；提高同時間內(nèi)鋁在基膜上的沉淀量，可以降低膜的蒸鍍速度，即膜卷的轉(zhuǎn)動線速度，普通方阻金屬化鋁膜的蒸鍍速度為7米/秒，應(yīng)降低到2米/秒左右。更多的鋁沉淀在基膜，也帶來更多的熱量，如果散熱不好，會燙傷有機基膜，影響金屬化鋁膜的性能，需要將鍍膜機主鼓的冷卻溫度從通常的_5°C降低到-25°C附近。所述真空鍍膜機的蒸鍍速度優(yōu)選為2米/秒。所述鍍膜機冷卻主鼓的溫度優(yōu)選為_25°C。本專利技術(shù)制備的低方阻金屬化鋁膜在電容器中的應(yīng)用。以上述方法蒸鍍獲得的超低方阻金屬化鋁膜，經(jīng)中國航天科工集團8511研究所使用確認，可以應(yīng)用于太空環(huán)境，承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環(huán)境、失重和微重力等條件。本專利技術(shù)的有益效果是:該超低方阻金屬化鋁膜性能穩(wěn)定，長期存放不會變質(zhì)，可耐受大電流沖擊，能在極端環(huán)境下如太空中使用，承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環(huán)境、失重和微重力等條件。附圖說明圖1為本專利技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施例方式為了使本專利技術(shù)實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進一步闡述本專利技術(shù)。如圖1所示，一種超低方阻金屬化鋁膜，由基膜I和金屬化鋁膜層2組成，金屬化鋁膜層2的方阻為0.25、.65 Ω / 口，而常規(guī)金屬化鋁膜層的方阻為2 4 Ω / 口，即金屬化鋁膜層2的厚度是常規(guī)金屬化鋁膜的7倍左右，金屬化鋁膜層2大幅度增厚，意味著在真空蒸鍍金屬化鋁膜時，要在同樣的時間內(nèi)在基膜上沉淀更多的鋁。其中基膜I為有機薄膜，可以選用為聚酯膜或聚丙烯膜，其中金屬化鋁膜層2的金屬層為金屬鋁附著在有機薄膜上形成。為了獲得超低方阻金屬化鋁膜，需要改善鋁的融化和蒸發(fā)速度，提高沉淀到基膜上的鋁量，以及及時散發(fā)大幅度增加的熱量，因此金屬化鋁膜層采用真空蒸鍍制成。真空蒸鍍的條件為，真空鍍膜機的蒸鍍速度為f 3米/秒，優(yōu)選為2米/秒，鍍膜機冷卻主鼓的溫度為-2(T-30°C，優(yōu)選為_25°C，蒸發(fā)舟為二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發(fā)舟。使用比現(xiàn)有的氮化硼蒸發(fā)舟性能更好的蒸發(fā)舟，二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發(fā)舟，改善鋁的融化和蒸發(fā)速度，其蒸發(fā)率可以從5克/分鐘以下提高到9.11克/分鐘；提高同時間內(nèi)鋁在基膜上的沉淀量，可以降低膜的蒸鍍速度，即膜卷的轉(zhuǎn)動線速度，普通方阻金屬化鋁膜的蒸鍍速度為7米/秒，應(yīng)降低到2米/秒左右。更多的鋁沉淀在基膜，也帶來更多的熱量，如果散熱不好，會燙傷有機基膜，影響金屬化鋁膜的性能，需要將鍍膜機主鼓的冷卻溫度從通常的_5°C降低到-25°C附近。以上述方法蒸鍍獲得的超低方阻金屬化鋁膜，經(jīng)中國航天科工集團8511研究所使用確認，可以應(yīng)用于太空環(huán)境，承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環(huán)境、失重和微重力等條件。以上顯示和描述了本專利技術(shù)的基本原理和主要特征和本專利技術(shù)的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本專利技術(shù)不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本專利技術(shù)的原理，在不脫離本專利技術(shù)精神和范圍的前提下，本專利技術(shù)還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本專利技術(shù)范圍內(nèi)。本專利技術(shù)要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種超低方阻金屬化鋁膜，由基膜和金屬化鋁膜層組成，其特征在于：所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25~0.65Ω/□。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種超低方阻金屬化鋁膜，由基膜和金屬化鋁膜層組成，其特征在于:所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25 0.65Ω / 口。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻金屬化鋁膜，其特征在于:所述的基膜為有機薄膜。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超低方阻金屬化鋁膜，其特征在于:所述的基膜為聚酯膜。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超低方阻金屬化鋁膜，其特征在于:所述的基膜為聚丙烯膜。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低方阻金屬化鋁膜，其特征在于:所述的金屬化鋁膜層的金屬層為金屬鋁附著在有機薄膜上形成。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超低方阻金屬化鋁膜，其特征在于:所述...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：湯澤波，羅健，
申請(專利權(quán))人：銅陵市東市電子有限責(zé)任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：