多層陶瓷電容器及其制備方法技術

本發明專利技術提供一種多層陶瓷電容器，包括多個層疊的層疊單元，每個層疊單元包括第一陶瓷介質層及形成于第一陶瓷介質層表面的部分區域的內電極層，每個層疊單元還包括第二陶瓷介質層，第二陶瓷介質層覆蓋內電極層及第一陶瓷介質層表面上未被內電極層覆蓋的區域，且第二陶瓷介質層遠離第一陶瓷介質層的表面至內電極層遠離第一陶瓷介質層的表面的距離為0.56微米~2.1微米。這種結構的多層陶瓷電容器消除了高度差和空隙，且相鄰兩個層疊單元的內電極層能夠準確對位，使得多層陶瓷電容器的可靠性和有效容量較高。進一步，本發明專利技術還提供一種多層陶瓷電容器的制備方法。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及電子元件領域，特別是涉及一種。
技術介紹
多層陶瓷電容器(Multilayer Ceramic Capacitor,簡稱MLCC)是應用最廣泛的電子元件之一。常規的多層陶瓷電容器的陶瓷體一般包括多個陶瓷介質層及與多個陶瓷介質層交替層疊的內電極層，陶瓷介質層和內電極層依次交替層疊，由于內電極層具有一定的厚度，且內電極層并未完全覆蓋陶瓷介質層的表面，從而使得設置有內電極層的陶瓷介質層的表面形成高度差，相鄰的陶瓷介質層之間在陶瓷介質層上未層疊有內電極層之處不可避免地要產生空隙。由于高度差的存在，使得在制備過程中，依次將陶瓷介質層和內電極層交替層疊時，向陶瓷介質層和內電極層組成的層疊結構施加的壓力會產生陶瓷介質層容易被撕裂的問題，從而導致相鄰層的不同極性的內電極層短路。由于空隙的存在，燒結時易導致陶瓷體內部分層，并減小了相鄰的陶瓷介質層的接觸面積，從而向層疊結構施加壓力時，處于上層的陶瓷介質層與下層的內電極層的粘合力不足而發生相鄰陶瓷介質層之間的不期望的相對位移的傾向增大，減小了內電極層之間的正對面積，導致多層陶瓷電容器的有效容量下降。
技術實現思路
基于此，有必要提供一種可靠性和有效容量較高的多層陶瓷電容器。一種多層陶瓷電容器，包括多個層疊的層疊單元，每個層疊單元包括第一陶瓷介質層及形成于所述第一 陶瓷介質層表面的部分區域的內電極層，所述每個層疊單元還包括第二陶瓷介質層，所述第二陶瓷介質層覆蓋所述內電極層及所述第一陶瓷介質層表面上未被所述內電極層覆蓋的區域，且所述第二陶瓷介質層遠離所述第一陶瓷介質層的表面至所述內電極層遠離所述第一陶瓷介質層的表面的距離為O. 56微米 2.1微米。在其中一個實施例中，所述內電極層的厚度為O. 8微米 1. 6微米。在其中一個實施例中，所述第一陶瓷介質層的厚度為O. 56微米 28微米。在其中一個實施例中，所述多層陶瓷電容器還包括兩個端電極，所述兩個端電極與所述內電極層電連接。在其中一個實施例中，還包括第一保護層和第二保護層，所述第一保護層和第二保護層分別位于所述多個層疊的層疊單元的上下兩端。一種多層陶瓷電容器的制備方法，包括如下步驟步驟一將第一陶瓷漿料流延在基板上，烘干后在所述基板上形成第一陶瓷介質膜；步驟二 采用絲網印刷在所述第一陶瓷介質膜上印刷內電極圖案，烘干后形成覆蓋在所述第一陶瓷介質膜表面的部分區域的內電極膜；步驟三將第二陶瓷漿料流延在所述第一陶瓷介質膜及內電極膜上，烘干后形成第二陶瓷介質膜，所述第二陶瓷介質膜覆蓋所述內電極膜及所述第一陶瓷介質膜表面的未被所述內電極膜覆蓋的區域，并與所述內電極膜及所述第一陶瓷介質膜組成粘附于所述基板上的連續的層疊單元膜帶，且所述第二陶瓷介質膜遠離所述第一陶瓷介質膜的表面至所述內電極膜遠離所述第一陶瓷介質膜的表面的距離為O. 8微米微米；步驟四分割所述層疊單元膜帶并從所述基板上剝離得到多個層疊單元膜；步驟五將所述多個層疊單元膜進行層疊得到層疊體 '及步驟六將所述層疊體進行壓合、切割后得到多個獨立的層疊體，將所述多個獨立的層疊體進行燒結后得到多個多層陶瓷電容器；所述每個多層陶瓷電容器包括多個層疊的層疊單元，每個層疊單元包括第一陶瓷介質層及形成于所述第一陶瓷介質層表面的部分區域的內電極層，所述第二陶瓷介質層覆蓋所述內電極層及所述第一陶瓷介質層表面上未被所述內電極層覆蓋的區域，其中，所述第二陶瓷介質層遠離所述第一陶瓷介質層的表面至所述內電極層遠離所述第一陶瓷介質層的表面的距離為O. 56微米 2.1微米。在其中一個實施例中，所述步驟一中，所述烘干的溫度為60Π00 ;所述步驟二中，所述烘干的溫度為60°C 80°C ;所述步驟三中，所述烘干的溫度為60°C 70°C。在其中一個實施例中，所述內電極膜的厚度為I微米微米。在其中一個實施例中，所述步驟六中，所述燒結是于還原氣氛中、溫度12500C 1320°C下進行。`在其中一個實施例中，還包括制備端電極的步驟，所述制備端電極的步驟包括將燒結后的獨立的層疊體進行倒角研磨，然后用銅漿料涂覆所述燒結后的獨立的層疊體的暴露內電極層的端面，烘干并于中性氣氛下燒結形成端電極。上述多層陶瓷電容器的層疊單元中設置有第二陶瓷介質層，第二陶瓷介質層覆蓋內電極層及第一陶瓷介質層表面上未被內電極層覆蓋的區域，從而消除了高度差和空隙，使該多層陶瓷電容器能夠避免高度差和空隙所帶來的問題，提高其可靠性；并且，第二陶瓷介質層遠離第一陶瓷介質層的表面至內電極層遠離第一陶瓷介質層的表面的距離為O. 56微米 2.1微米，使得在制備多層陶瓷電容器時，有利于相鄰兩個層疊單元的內電極層準確對位，從而保證內電極層的正對面積以保證多層陶瓷電容器的容量，使多層陶瓷電容器的有效容量較高。附圖說明圖1為一實施方式的多層陶瓷電容器的結構示意圖；圖2為圖1所示的多層陶瓷電容器的一個層疊單元的結構示意圖；圖3為一實施方式的多層陶瓷電容器的制備方法流程圖；圖4(a廣圖4(h)為一實施方式的多層陶瓷電容器的制備過程示意圖。具體實施例方式為使本專利技術的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本專利技術的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本專利技術。但是本專利技術能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本專利技術內涵的情況下做類似改進，因此本專利技術不受下面公開的具體實施的限制。請參閱圖1，一實施方式的多層陶瓷電容器100，包括多個層疊的層疊單元20。請同時參閱圖2，每一層疊單元20包括第一陶瓷介質層22、內電極層23和第二陶瓷介質層24。本實施方式中，第一陶瓷介質層22的材料包括主要成分為鈦酸鋇的陶瓷粉料。其他實施方式中，第一陶瓷介質層22的材料也可以采用其他陶瓷粉料，如主要成分為鋯酸鈣的陶瓷粉料。第一陶瓷介質層22的厚度為O. 56微米 28微米，優選為O. 56微米 2. 8微米。內電極層23形成于第一陶瓷介質層22表面的部分區域，使得第一陶瓷介質層22的表面有部分區域未被內電極層23覆蓋。內電極層23的厚度過高時會增加層疊單元20的厚度。當需要增加層疊單元20的數量以獲得更高的容量時，單個層疊單元20的厚度增加的影響尤為顯著，可能會導致多層陶瓷電容器100總厚度超標。因此，內電極層23的厚度不宜過厚。內電極層23的厚度較小時，也有利于降低成本。然而，內電極層23過薄，燒結后易造成內電極層23不連續而使多層陶瓷電容器100的容量下降。因此，內電極層23的厚度優選為O. 8微米 1. 6微米。內電極層23優選采用鎳電極層。鎳電極層的材料成本低，尤其適合高層數電極制備應用，且機械強度高、浸潤性和耐焊接熱性能好。內電極層23層疊于第一陶瓷介質層22上的表面積小于第一陶瓷介質層22的表面積，使得第一陶瓷介質層22的表面上形成有未被內電極層23覆蓋的區域，由于內電極層23具有一定厚度，使得第一陶瓷介質層22的表面上形成高度差。高度差的存在使得多個層疊單元20層疊時，相鄰兩 個第一陶瓷介質層22之間形成有空隙。第二陶瓷介質層24覆蓋內電極層23及第一陶瓷介質層22表面的未被內電極層23覆蓋的區域，從而消除了第一陶瓷介質層22表面的高度差及相鄰兩個第一陶瓷介質層22之間形成的空隙。并且，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種多層陶瓷電容器，包括多個層疊的層疊單元，每個層疊單元包括第一陶瓷介質層及形成于所述第一陶瓷介質層表面的部分區域的內電極層，其特征在于，所述每個層疊單元還包括第二陶瓷介質層，所述第二陶瓷介質層覆蓋所述內電極層及所述第一陶瓷介質層表面上未被所述內電極層覆蓋的區域，且所述第二陶瓷介質層遠離所述第一陶瓷介質層的表面至所述內電極層遠離所述第一陶瓷介質層的表面的距離為0.56微米~2.1微米。

【技術特征摘要】
1.一種多層陶瓷電容器，包括多個層疊的層疊單元，每個層疊單元包括第一陶瓷介質層及形成于所述第一陶瓷介質層表面的部分區域的內電極層，其特征在于，所述每個層疊單元還包括第二陶瓷介質層，所述第二陶瓷介質層覆蓋所述內電極層及所述第一陶瓷介質層表面上未被所述內電極層覆蓋的區域，且所述第二陶瓷介質層遠離所述第一陶瓷介質層的表面至所述內電極層遠離所述第一陶瓷介質層的表面的距離為O. 56微米 2.1微米。2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其特征在于，所述內電極層的厚度為O.8微米 1. 6微米。3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其特征在于，所述第一陶瓷介質層的厚度為O. 56微米 28微米。4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其特征在于，所述多層陶瓷電容器還包括兩個端電極，所述兩個端電極與所述內電極層電連接。5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其特征在于，還包括第一保護層和第二保護層，所述第一保護層和第二保護層分別位于所述多個層疊的層疊單元的上下兩端。6.一種多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 步驟一將第一陶瓷漿料流延在基板上，烘干后在所述基板上形成第一陶瓷介質膜； 步驟二 采用絲網印刷在所述第一陶瓷介質膜上印刷內電極圖案，烘干后形成覆蓋在所述第一陶瓷介質膜表面的部分區域的內電極膜； 步驟三將第二陶瓷漿料流延在所述第一陶瓷介質膜及所述內電極膜上，烘干后形成第二陶瓷介質膜，所述第二陶瓷介質膜覆蓋所述內電極膜及所述第一陶瓷介質膜表面的未被所述內電極膜覆蓋的區域，并與所述內電極膜及所述第一陶瓷介質膜組成粘附于所述基板上的連續的層疊單元膜帶，且所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：宋子峰，祝忠勇，韋豪任，周鋒，陸亨，
申請(專利權)人：廣東風華高新科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：