本發明專利技術涉及半導體生產設備的設計領域，尤其涉及采用光加熱的CVD設備。本發明專利技術提供的采用光加熱的CVD設備通過采用在所述殼體與所述傳輸帶之間設置所述滾筒組，利用所述滾筒組與殼體和所述傳輸帶的密封連接關系，達到所述殼體與所述傳輸帶之間的動態密封設計；通過在所述殼體上開設有供工作氣體進入的進氣口和排氣口，使鍍膜前殼體內部形成高濃度的工作氣體，使得鍍膜過程中，避免放置于所述傳輸帶上的待鍍膜材料與空氣發生化學反應；同時，本發明專利技術的CVD設備采用移動的光熱混合裝置，用移動的替代固定的光熱混合裝置，可以使得整個光熱混合裝置微型化。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體生產設備的設計領域，尤其涉及采用光加熱的CVD設備。
技術介紹
化學氣相沉積(英文Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD制程是將晶圓(基底)暴露在一種或多種不同的前驅物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔中。化學氣相沉積技術已在半導體鍍膜領域廣泛運用，由于半導體鍍膜的過程需要在隔離與外界空氣接觸的狀態或接近真空的狀態下進行。現有技術中，半導體集成制造系統的每一工藝流程均需在密閉的環境下進行，當完成一工藝流程后，需將半導體半成本取出，以進行下一步的工藝處理，但其對取出后的空間真空度要求較高，因此造成半導體集成制造設備制造困難，廠房的規模巨大。廠家投資建廠一方面需承擔前期大量的資金投入，另一方面通常建設一半導體集成制造系統需要數年的時間，可見目前建設一半導體集成制造系統資金投入量大且時間久，且容易造成廠家資金周轉的困難。
技術實現思路
本專利技術的目的在于克服現有技術之缺陷，旨在提供采用光加熱的CVD設備以實現半導體生產設備中的CVD過程中的相關設備實現模塊化和微型化設計，從而降低CVD過程中制造成本。 本專利技術是這樣實現的，米用光加熱的CVD設備,包括一殼體,所述殼體橫向兩側分別設有供放置待鍍材料的傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體之入口和出口處分別設有動態夾持所述傳輸帶的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒，所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機；所述殼體上開設有供工作氣體進入的進氣口及排氣口 ；所述下腔內設有移動的光熱混合裝置，所述光熱混合裝置具有一朝向所述傳輸帶并噴射工作氣體的噴氣嘴。具體地，所述下腔內設有一轉動的絲桿，所述光熱混合裝置設有與所述絲桿適配的螺紋孔，所述光熱混合裝置由所述螺紋孔安裝于所述絲桿上。具體地，所述光熱混合裝置包括具有混合腔的混合倉、包覆所述混合倉的支撐框架及聚焦于所述支撐框架上的光熱裝置。具體地，所述光熱裝置包括設于所述支撐框架下端的光腔、設于所述光腔內并聚焦于所述支撐框架下端的聚焦鏡頭及柔性的導光管，所述導光管的一端插設于所述光腔內并朝向所述聚焦鏡頭，另一端與光源設備連接。具體地，所述混合倉包括位于底端的進氣部、與進氣部連接且位于頂端并形成所述混合腔的混合部，所述進氣部容納于所述支撐框架內，所述進氣部內設有若干與所述混合部氣路連通的進氣腔道，所述噴氣嘴設于所述混合部。具體地，所述噴氣嘴呈長條形狹縫，所述混合部包括由所述噴氣嘴向兩側分別延伸出的兩斜向面及將所述斜向面與所述進氣部連接的水平面，所述混合部的橫向截面呈等腰三角形；所述進氣腔道為兩條，所述進氣部設有由其底部向所述混合部延伸的分隔壁，兩所述進氣腔道由所述分隔壁及所述進氣部側壁圍合而成。具體地，所述混合腔靠近所述進氣部具有突出于所述進氣部的突出部分。具體地，所述光熱混合裝置還包括設于所述殼體側壁并驅動所述絲桿轉動的第二伺服電機。具體地，各所述上滾筒和下滾筒的表面設有彈性層，各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互彈性按壓，各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙，且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間相互彈性按壓。具體地，上述CVD設備還包括控制系統，還包括膜厚監控系統、測溫裝置、監控所述上腔和下腔內壓力的壓力測控系統、監控所述上腔和下腔內部環境的視頻監控裝置。本專利技術的有益效果本專利技術提供的采用光加熱的CVD設備通過采用在所述殼體與所述傳輸帶之間設置所述滾筒組，利用所述滾筒組與殼體和所述傳輸帶的密封連接關系，達到所述殼體與所述傳輸帶之間的動態密封設計；通過在所述殼體上開設有供工作氣體進入的進氣口和排氣口，在進CVD鍍膜時，先使工作氣體通過所述進氣口進入所述殼體內部，同時使所述殼體內的氣體由所述排氣口排出，如此可在所述殼體內形成高濃度的工作氣體，使得鍍膜過程中，避免放置于所述傳輸帶上的待鍍膜材料與空氣發生化學反應；同時，本專利技術的CVD設備采用移動的光熱混合裝置，用移動的替代固定的光熱混合裝置，可以使得整個光熱混合裝置微型化。 附圖說明圖1是本專利技術一優選實施例的外部結構示意圖；圖2是圖1去除殼體一側壁后的結構示意圖；圖3是圖1去除殼體后的結構示意圖；圖4是滾筒組與傳輸帶相互位置關系的結構示意圖；圖5是混合倉的結構示意圖；圖6是圖5橫截面的剖視圖；圖7是光熱裝置剖面結構示意圖。具體實施例方式為了使本專利技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本專利技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。請參照附圖f 7，采用光加熱的CVD設備，包括一殼體I，所述殼體I橫向兩側分別設有供放置待鍍材料的傳輸帶2通過的入口 11和出口 12，且所述傳輸帶2將所述殼體I分隔成上腔13與下腔14，所述殼體I之入口 11和出口 12處分別設有動態夾持所述傳輸帶2的滾筒組3，各所述滾筒組3包括貼設于傳輸帶2上側的上滾筒31和貼設于傳輸帶2下側的下滾筒32，所述殼體I上還設有驅動所述滾筒組3運轉的第一伺服電機4。通過采用在所述殼體I與所述傳輸帶2之間設置所述滾筒組3，利用所述滾筒組3與所述殼體I和所述傳輸帶2的密封連接關系，達到所述殼體I與所述傳輸帶2之間的動態密封設計。如此，可便于本專利技術的CVD設備與半導體集成制造系統的其余工藝模塊可通過所述傳輸帶2實現良好的密封銜接。另外，所述上腔13內還設有對放置于所述傳輸帶2上的待鍍材料進行預加熱處理的預熱板8。具體地，所述預熱板8設置于所述傳輸帶2的上側，對由所述傳輸帶2上的待鍍材料有較小的間隙。所述預熱板8的設置目的在于防止對待鍍材料進行鍍膜處理之前，因待鍍材料的溫度沒有達到相應的鍍膜要求溫度，造成鍍膜效果不佳。其中，所述預熱板8采用紅外線加熱或電阻加熱的方式。所述殼體I上開設有供工作氣體進入的進氣口 15和排出的排氣口 16。如此，本專利技術的CVD設備在鍍膜之前，可通過所述進氣口 15將工作氣體充滿所述殼體I內部，同時使所述殼體I內部原有的氣體通過所述排氣口 16排出，最終使得所述殼體I內形成高濃度的工作氣體，使得鍍膜過程中，避免放置于所述傳輸帶2上的待鍍膜材料與空氣發生化學反應。進一步地，所述進氣口 15與排氣口 16分別配備有進氣口閥門與排氣閥門，通過控制所述進氣閥門與排氣閥門的開閉狀態，進而控制工作氣體的進氣量與排氣量。所述下腔14內設有移動的光熱混合裝置5，所述光熱混合裝置5具有一朝向所述傳輸帶2并噴射工作氣體的噴氣嘴51。在現有技術中，光熱混合裝置通常是采用固定式的設置方式，如此為使噴氣范圍較大，設計出來的噴氣嘴51的開口也較大，這樣造成光熱混合裝置的體積也較大，其制造成本因之變高。本專利技術采用移動式的光熱混合裝置5，其中，所述光熱混合裝置5的移動方式可以是直線往復式的移動，亦可采用XY平面式的往復式移動，在此對其移動方式不作具體限定。如此，通過采用移動的光熱混合裝置5，用移動的替代固定的光熱混合裝置本文檔來自技高網...
【技術保護點】
采用光加熱的CVD設備，包括一殼體，其特征在于：所述殼體橫向兩側分別設有供放置待鍍材料的傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體之入口和出口處分別設有動態夾持所述傳輸帶的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒，所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機；所述殼體上開設有供工作氣體進入的進氣口及排氣口；所述下腔內設有移動的光熱混合裝置，所述光熱混合裝置具有一朝向所述傳輸帶并噴射工作氣體的噴氣嘴。
【技術特征摘要】
1.米用光加熱的CVD設備,包括一殼體,其特征在于所述殼體橫向兩側分別設有供放置待鍍材料的傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體之入口和出口處分別設有動態夾持所述傳輸帶的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒，所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機；所述殼體上開設有供工作氣體進入的進氣口及排氣口 ；所述下腔內設有移動的光熱混合裝置，所述光熱混合裝置具有一朝向所述傳輸帶并噴射工作氣體的噴氣嘴。2.根據權利要求1所述的采用光加熱的CVD設備，其特征在于所述下腔內設有一轉動的絲桿，所述光熱混合裝置設有與所述絲桿適配的螺紋孔，所述光熱混合裝置由所述螺紋孔安裝于所述絲桿上。3.根據權利要求1所述的采用光加熱的CVD設備，其特征在于所述光熱混合裝置包括具有混合腔的混合倉、包覆所述混合倉的支撐框架及聚焦于所述支撐框架上的光熱裝置。4.根據權利要求3所述的采用光加熱的CVD設備，其特征在于所述光熱裝置包括設于所述支撐框架下端的光腔、設于所述光腔內并聚焦于所述支撐框架下端的聚焦鏡頭及柔性的導光管，所述導光管的一端插設于所述光腔內并朝向所述聚焦鏡頭，另一端與光源設備連接。5.根據權利要求3所述的采用光加熱的CVD設備，其特征在于所述混合倉包括位于底端的進氣部、與進氣部連接且位于頂端...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王奉瑾，
申請(專利權)人：王奉瑾，
類型：發明
國別省市：
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