本發明專利技術涉及半導體生產設備領域，尤其涉及采用光加熱的PVD設備。本發明專利技術提供采用光加熱的PVD設備，通過設置與傳輸帶配合的滾筒組，達到殼體與傳輸帶之間動態的密封效果；同時，在所述下腔內設置移動靶舟，通過移動靶舟在所述下腔體的移動，實現對放置于所述傳輸帶上的待鍍膜材料進行鍍膜處理。整個PVD設備完成了與傳輸帶之間的動態密封和對放置于傳輸帶上的待鍍膜材料的鍍膜處理，其結構上更趨于微型化，無論制造成本還是制造工期，都是相對于現有技術有明顯的進步。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體生產設備領域，尤其涉及采用光加熱的PVD設備。
技術介紹
由于半導體集成制造的過程中需要由多個工藝分步完成，如清洗處理、干燥處理、隔離處理、PVD鍍膜等等，且每一工藝步驟均需要在密閉的環境下進行，對此現有技術中通常采用集成密封制造系統，使每一步工藝在同一密閉的環境下進行。在整個半導體集成制造過程中，PVD鍍膜是半導體成型的核心步驟。PVD指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基板表面上的過程。在目前的半導體制造過程中，PVD鍍膜技術的基本方法有真空蒸發、真空濺射和真空離子鍍膜的方法。真空蒸發是指將膜材置于真空室內的蒸發源中，在高真窒條件下，通過蒸發加熱使其蒸發，當蒸汽分子的平均自由程大于真空室的線性尺寸后，蒸汽狀態下的原子和分子從蒸發源表面逸出后，很少受到其他分子或原子的沖擊與阻礙，可直接到達被鍍的基板表面上，由于基板溫度較低，便凝結于其上而形成鍍膜。現有技術中，半導體集成制造系統中，當完成一工藝流程后，需將半導體半成品取出，以進行下一步的工藝處理，但其對取出后的空間真空度要求較高，因此造成半導體集成制造設備制造困難，廠房的規模巨大。廠家投資建廠一方面需承擔前期大量的資金投入，另一方面通常建設一半導體集成制造系統需要數年的時間，可見目前建設一半導體集成制造系統資金投入量大且時間久，且容易造成廠家資金周轉的困難。
技術實現思路
本專利技術的目的在于 克服現有技術之缺陷，旨在提供采用光加熱的PVD設備以實現半導體生產設備中的PVD鍍膜設備實現模塊化和微型化設計，從而降低PVD鍍膜設備的制造成本。本專利技術是這樣實現的，米用光加熱的PVD設備,包括一殼體,所述殼體橫向兩側分別設有供放置待鍍膜材料的傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體內入口和出口處分別設有動態夾持所述傳輸帶并帶動其移動的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒，所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機；所述下腔內設有用于放置靶材的移動靶舟及對所述移動靶舟提供熱源的光熱裝置，所述移動靶舟上端具有一朝向所述傳輸帶的噴氣口，所述光熱裝置設于所述移動靶舟下端。具體地，所述下腔內設有一轉動的絲桿，所述移動靶舟設有與所述絲桿適配的螺紋孔，所述移動靶舟由所述螺紋孔安裝于所述絲桿上。具體地，所述光熱裝置包括設于所述移動靶舟下端的光腔、設于所述光腔內并聚焦于所述移動靶盤下端的聚焦鏡頭及柔性的導光管，所述導光管的一端插設于所述光腔內并朝向所述聚焦鏡頭，另一端與光源設備連接。具體地，所述光源設備設于所述殼體的外部，所述導光管連接光源設備的一端穿過所述殼體與所述光源設備連接。具體地，所述殼體上開設有供惰性氣體進入的進氣口和排出的排氣口。 具體地，所述進氣口和排氣口分別配備有進氣控制閥和排氣控制閥。具體地，所述殼體側壁設有驅動所述絲桿轉動的第二伺服電機。具體地，各所述上滾筒和下滾筒的表面設有彈性層，各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互彈性按壓，各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙，且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間相互彈性按壓。具體地，上述PVD設備包括控制系統，還包括控制系統，所述控制系統包括膜厚監控系統、測溫裝置、監控所述上腔和下腔內壓力的壓力測控系統、監控所述上腔和下腔內部環境的視頻監控裝置。本專利技術的有益效果:本專利技術提供的采用光加熱的PVD設備通過采用在所述殼體與所述傳輸帶之間設置所述滾筒組，利用所述滾筒組與殼體和所述傳輸帶的密封連接關系，達到所述殼體與所述傳輸帶之間的動態密封設計；同時，在所述下腔內設置移動靶舟，通過移動靶舟在所述下腔體的移動，實現對放置于所述傳輸帶上的待鍍膜材料進行鍍膜處理。整個PVD設備完成了與傳輸帶之間的動態密封和對放置于傳輸帶上的待鍍膜材料的鍍膜處理，其結構上更趨于微型化，無論制造成本還是制造工期，都是相對于現有技術有明顯的進步。附圖說明圖1是本專利技術一優選實施例的外部結構示意圖；圖2是圖1去除殼體一側壁后的結構示意圖；圖3是圖1去除殼體后的結構示意圖；圖4是移動靶舟與光熱裝置之間的安裝結構示意圖；圖5是圖4橫截面的剖視圖。具體實施例方式為了使本專利技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本專利技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。請參照圖f 5，采用光加熱的PVD設備，包括一殼體1，所述殼體I橫向兩側分別設有供放置待鍍膜材料6的傳輸帶2通過的入口 11和出口 12，且所述傳輸帶2將所述殼體I分隔成上腔13與下腔14，所述殼體I內入口 11和出口 12處分別設有動態夾持所述傳輸帶2并帶動其移動的滾筒組3，各所述滾筒組3包括貼設于傳輸帶2上側的上滾筒31和貼設于傳輸帶2下側的下滾筒32，所述殼體I上還設有驅動所述滾筒組3運轉的第一伺服電機 4。通過采用在所述殼體I與所述傳輸帶2之間設置所述滾筒組3，利用所述滾筒組3與所述殼體I和所述傳輸帶2的密封連接關系，達到所述殼體I與所述傳輸帶2之間的動態密封設計。如此，可便于本專利技術的PVD設備與半導體集成制造系統的其余工藝模塊可通過所述傳輸帶2實現良好的密封銜接。所述下腔14內設有用于放置靶材的移動靶舟51及對所述移動靶舟51提供熱源的光熱裝置52，所述移動靶舟51上端具有一朝向所述傳輸帶2的噴氣口 511，所述光熱裝置52設于所述移動靶舟51下端。在所述下腔14內設置移動靶舟51，通過所述移動靶舟51在所述下腔體14內往返的移動，實現對放置于所述傳輸帶2上的待鍍膜材料6進行鍍膜處理。整個PVD設備完成了與傳輸帶之間的動態密封和對放置于傳輸帶上的待鍍膜材料的鍍膜處理，其結構上更趨于微型化，無論制造成本還是制造工期，都是相對于現有技術有明顯的進步。在本實施例中，所述下腔14內設有一轉動的絲桿53，所述移動靶舟51設有與所述絲桿53適配的螺紋孔512，所述移動靶舟51由所述螺紋孔512安裝于所述絲桿53上。其中，所述絲桿53與水平面平行，如此，可通過轉動所述絲桿53來改變所述移動靶舟51在水平方向上位置。當然，在本專利技術中，亦可以采用氣缸推動的方式來的提供所述移動靶舟51的運動動力，也可達到同樣的技術效果。在本實施例中，所述光熱裝置52包括設于所述移動靶舟51下端的光腔521、設于所述光腔521內并聚焦于所述移動靶盤51下端的聚焦鏡頭522及柔性的導光管523，所述導光管523的一端插設于所述光腔521內并朝向所述聚焦鏡頭522,另一端與光源設備(圖未畫出)連接。如此，可實現將光源設備的能量由所述導光管523傳輸至所述移動靶舟51內，對放置于所述移動靶舟51內的靶材進行加熱。由于本專利技術采用柔性的導光管523，可使導光管523隨同所述移動靶舟51 —同移動，使得所述光源設備的設置位置更為靈活。具體地，所述光源設備設于所述殼體I的外部，所述導光管523連接光源設備的一端穿過所述殼體I與所述光源設備連接。如此，可方便本專利技術的PVD設備與光源設備的相互分離，也便于所述PVD設備的維護。在本實施例中，所述殼體I上開設有供惰性氣體進入的進氣口 15和排出的排氣口16。其中所述惰性氣體可以是氦、氖、氬、氪、氙、氡中的任一種本文檔來自技高網...
【技術保護點】
采用光加熱的PVD設備，包括一殼體，其特征在于：所述殼體橫向兩側分別設有供放置待鍍膜材料的傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體內入口和出口處分別設有動態夾持所述傳輸帶并帶動其移動的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒，所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機；所述下腔內設有用于放置靶材的移動靶舟及對所述移動靶舟提供熱源的光熱裝置，所述移動靶舟上端具有一朝向所述傳輸帶的噴氣口，所述光熱裝置設于所述移動靶舟下端。
【技術特征摘要】
1.米用光加熱的PVD設備,包括一殼體,其特征在于:所述殼體橫向兩側分別設有供放置待鍍膜材料的傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體內入口和出口處分別設有動態夾持所述傳輸帶并帶動其移動的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒，所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機；所述下腔內設有用于放置靶材的移動靶舟及對所述移動靶舟提供熱源的光熱裝置，所述移動靶舟上端具有一朝向所述傳輸帶的噴氣口，所述光熱裝置設于所述移動靶舟下端。2.根據權利要求1所述的采用光加熱的PVD設備，其特征在于:所述下腔內設有一轉動的絲桿，所述移動靶舟設有與所述絲桿適配的螺紋孔，所述移動靶舟由所述螺紋孔安裝于所述絲桿上。3.根據權利要求1所述的采用光加熱的PVD設備，其特征在于:所述光熱裝置包括設于所述移動靶舟下端的光腔、設于所述光腔內并聚焦于所述移動靶盤下端的聚焦鏡頭及柔性的導光管，所述導光管的一端插設于所述光腔內并朝向所述聚焦鏡頭，另一端與光源設備連接。4.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王奉瑾，
申請(專利權)人：王奉瑾，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。