【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于PECVD設備的冷卻
，具體地說是一種冷卻進氣布局結構。
技術介紹
隨著經濟建設的快速發展，微電子技術得到了迅猛地發展，PECVD等離子體處理設備的開發和使用也日益廣泛。PECVD即為等離子體增強化學氣相沉積法，在化學氣相沉積時，為了使化學反應能在較低的溫度下進行，可以利用了等離子體的活性來促進反應，這種化學氣相沉積方法稱為等離子體增強化學氣相沉積法，實施該種加工方法的設備為PECVD設備。用于太陽能領域等薄膜沉積系統主要為大型平板式PECVD設備，一種典型的板式PECVD系統將多個太陽能電池片裝入載板中，將該載板傳輸至工藝腔內，預熱到設定溫度后，通入工藝氣體，設定功率離化工藝氣體產生等離子體，進而完成薄膜沉積。但是現有的大型平板式PECVD設備存在加熱溫度高，在PECVD機臺上沉積減反射層時反應溫度在350 450°C，每隔一定間隔需要進行更換石英管等維護工作，現在通常將上蓋打開進行冷卻，但是仍然需要3個小時以上，存在冷卻速度慢，維護周期長，嚴重影響產能等缺點。
技術實現思路
針對上述問題，本專利技術的目的在于提供一種冷卻進氣布局結構，該結構結構簡單、可以實現快速冷卻。為了實現上述目的，本專利技術采用以下技術方案一種冷卻進氣布局結構，包括真空腔體、法蘭、進氣法蘭槽及進氣管，其中真空腔體的底部設有法蘭，所述進氣管的一端穿過法蘭和真空腔體的底部插入真空腔體內，進氣管的另一端通過與法蘭連接的進氣法蘭槽固定于真空腔體的底部。所述進氣管位于真空腔體內部的端口對準真空腔體的側壁。所述進氣管位于真空腔體內部端口的軸心與真空腔體底部表面的距離為20mm...
【技術保護點】
一種冷卻進氣布局結構，其特征在于：包括真空腔體(3)、法蘭(2)、進氣法蘭槽(1)及進氣管(4)，其中真空腔體(3)的底部設有法蘭(2)，所述進氣管(4)的一端穿過法蘭(2)和真空腔體(3)的底部插入真空腔體(3)內，進氣管(4)的另一端通過與法蘭(2)連接的進氣法蘭槽(1)固定于真空腔體(3)的底部。
【技術特征摘要】
1.一種冷卻進氣布局結構，其特征在于包括真空腔體(3)、法蘭(2)、進氣法蘭槽(I)及進氣管(4)，其中真空腔體(3)的底部設有法蘭(2)，所述進氣管(4)的一端穿過法蘭(2)和真空腔體(3)的底部插入真空腔體(3)內，進氣管(4)的另一端通過與法蘭(2)連接的進氣法蘭槽(I)固定于真空腔體(3)的底部。2.按權利要求1所述的冷卻進氣布局結構，其特征在于所述進氣管(4)位于真空腔體⑶內部的端口對準真空腔體⑶的側壁。3.按權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：雷震霖，趙崇凌，李士軍，張健，張冬，洪克超，徐寶利，鐘福強，陸濤，許新，王剛，劉興，張妍，王學敏，李松，屈秋霞，張締，朱龍來，徐浩宇，趙科新，閆用用，
申請(專利權)人：中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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