一種用于大型板式PECVD設備的表面電場增強裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術屬于PECVD設備表面電場增強技術領域，具體地說是一種用于大型板式PECVD設備的表面電場增強裝置。包括工藝腔和設置于工藝腔內的電極基板、碳板、傳輸滾輪及絕緣銷，其中電極基板通過絕緣銷固接于工藝腔的內壁上，所述碳板設置于電極基板的下方、并與電極基板之間留有間隙，所述電極基板接入電壓。本發明專利技術可吸引N3-或Si4+離子，增大了輸送到生長表面的離子流量，能提高沉積速率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于PECVD設備表面電場增強
，具體地說是一種用于大型板式PECVD設備的表面電場增強裝置。
技術介紹
隨著經濟建設的快速發展，微電子技術得到了迅猛地發展，PECVD等離子體處理設備的開發和使用也日益廣泛。PECVD即為等離子體增強化學氣相沉積法，在化學氣相沉積時，為了使化學反應能在較低的溫度下進行，可以利用了等離子體的活性來促進反應，這種化學氣相沉積方法稱為等離子體增強化學氣相沉積法，實施該種加工方法的設備為PECVD設備。工業化應用的微波PECVD方法反應腔的特點是它的等離子體源的組成是由幾根(數目由系統的規模，即產能而定。)I米長的石英管平行并列，每根石英管內有一根銅棒天線，形成同軸系統。每根銅棒天線兩端分別連接一個微波發生器。微波等離子體是一種不需電極和發熱體的等離子反應系統。微波PECVD是由工作頻率在2. 45GHZ的微波與在低真空(I(T1-Kr2Iiibar)下，激發反應氣體SiH4 (硅烷)和NH3 (氨)，利用氣體放電時產生的高溫促使氣體發生化學反應而淀積在襯底上形成SiN膜。在微波激發氣體過程中，石英管外部周圍形成一圈發紫色輝光的等離子體，并沿著石英管均勻分布。這種淀積方式襯底溫度較低，為350°C _400°C，沿石英管方向均勻分布，分別調節石英管兩端的微波功率，獲得等離子體的密度。每根直線微波等離子源產生的等離子體大致是在直徑為200mm、長度為1. 5m(相當于等離子源長度)的范圍內。增加這種微波等離子源的數目可形成大面積的等離子體源，也增加了等離子體面積，從而增加薄膜淀積的速率和改善薄膜的均勻性。由于微波等離子體有其獨特的特點，它是由微波放電激發氣體而產生，等離子體密度高，不需要大量離子撞擊產生等離子體，這種等離子體的薄膜淀積技術將不產生任何離子對硅表面的損傷，即不產生表面復合中心。而等離子體內的大量H (氫)含量卻對硅表面在淀積SiN薄膜中鈍化和獲得高鈍化特性的含氫SiN膜有著巨大幫助。間接PECVD系統設計又使用反應氣體的利用率提高氣體轉化與SiN的效率提高，氣體損耗減少。為了增強等離子體均勻性和穩定性，在工作壓力從10_2mbar到Imbar大范圍內，在同軸系統的兩邊加了磁場，它同時還增強了等離子體的激發，提高等離子體密度和薄膜淀積速率。
技術實現思路
針對上述問題，本專利技術的目的在于提供一種用于大型板式PECVD設備的表面電場增強裝置，其具有結構簡單、可有效降低成本等特點。為了實現上述目的，本專利技術采用以下技術方案—種用于大型板式PECVD設備的表面電場增強裝置，包括工藝腔和設置于工藝腔內的電極基板、碳板、傳輸滾輪及絕緣銷，其中電極基板通過絕緣銷固接于工藝腔的內壁上，所述碳板設置于傳輸滾輪上、并位于電極基板的下方，碳板與電極基板之間留有間隙，所述電極基板接入電壓，吸引N3-或Si4+離子。所述電極基板與電極基板之間的間隙為10 60mm。所述電極基板接入電壓為直流O 3000V或一 3000 0V。所述電極基板的表面為平面、且面積為lm2。所述電極基板采用金屬材料。所述電極基板采用鋁、銅或鋼。本專利技術的優點及有益效果是1.本專利技術可吸引N3_或Si4+離子，增大了輸送到生長表面的N3_或Si4+離子流量，能提高沉積速率。2.本專利技術不僅可以應用于晶硅太陽能電池的PECVD上，還可以應用于所有具有等離子體發生裝置的IC裝備上。附圖說明圖1為本專利技術的結構示意圖。其中1為傳輸滾輪,2為碳板,3為招板,4為U型槽,5為石英管,6為銅導管,7為工藝腔，8為絕緣銷。具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本專利技術作進一步的詳細說明。如圖1所示，本專利技術包括工藝腔7和設置于工藝腔7內的電極基板3、碳板2、傳輸滾輪I及絕緣銷8，其中電極基板3通過絕緣銷8固接于工藝腔7的內壁上，碳板2設置于傳輸滾輪I上、并位于電極基板3的下方，碳板2與電極基板3之間留有10 60mm的間隙。電極基板3的表面為平面、且面積為lm2，電極基板3采用金屬導電材料，例如采用鋁、銅或鋼等的一種或其合金材料。電極基`板3接入直流O 3000V或一 3000 OV的電壓，吸引f或Si4+離子。本專利技術可吸引N3_或Si4+離子，增大了輸送到生長表面的N3_或Si4+離子流量，能提高沉積速率。本專利技術不僅可以應用于晶硅太陽能電池的PECVD上，還可以應用于所有具有等離子體發生裝置的IC裝備上。實施例一電極基板3是面積為Im2的鋁板，該鋁板表面是平面，相對于碳板2懸空，并且和碳板之間的距離為10mm。電極基板3通過四個絕緣銷8固定于工藝腔7的內壁上，接入恒定一2000V的電壓。該裝置可以吸引Si4+離子，增大了輸送到生長表面的Si4+離子流量，能提高沉積速率。實施例二電極基板3是面積為Im2的銅板，該銅板表面是平面，相對于碳板2懸空，并且和碳板2之間才距離為30mm。電極基板3通過四個絕緣銷8固定于工藝腔7的內壁上，接入恒定1290V的電壓。該裝置可以吸引N3_離子，增大了輸送到生長表面的斤_離子流量，能提高沉積速率。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于大型板式PECVD設備的表面電場增強裝置，其特征在于：包括工藝腔（7）和設置于工藝腔（7）內的電極基板（3）、碳板（2）、傳輸滾輪（1）及絕緣銷（8），其中電極基板（3）通過絕緣銷（8）固接于工藝腔（7）的內壁上，所述碳板（2）設置于傳輸滾輪（1）上、并位于電極基板（3）的下方，碳板（2）與電極基板（3）之間留有間隙，所述電極基板（3）接入電壓，吸引N3?或Si4+離子。

【技術特征摘要】
1.一種用于大型板式PECVD設備的表面電場增強裝置，其特征在于包括エ藝腔(7)和設置于エ藝腔(7)內的電極基板(3)、碳板(2)、傳輸滾輪(I)及絕緣銷(8)，其中電極基板(3)通過絕緣銷(8)固接于エ藝腔(7)的內壁上，所述碳板(2)設置于傳輸滾輪(I)上、并位于電極基板(3)的下方，碳板(2)與電極基板(3)之間留有間隙，所述電極基板(3)接入電壓，吸引N3-或Si4+離子。2.按權利要求1所述的用于大型板式PECVD設備的表面電場增強裝置，其特征在于所述電極基板(3)與電極基板(3)之間的間隙為10 ...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李昌龍，趙崇凌，李士軍，張健，張冬，洪克超，徐寶利，鐘福強，陸濤，許新，王剛，劉興，張妍，王學敏，李松，屈秋霞，張締，朱龍來，徐浩宇，趙科新，閆用用，
申請(專利權)人：中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司，
類型：發明
國別省市：