一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構制造技術

本實用新型專利技術涉及半導體封裝技術領域，特別涉及一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構，包括引線框架和下模間距鑲件，引線框架包括頭部連桿和管腳連桿，下模間距鑲件的一側設有凹槽，頭部連桿和凹槽配合設置。頭部連桿的長度和凹槽的深度均為0.2-0.35mm。頭部連桿的長度和凹槽的深度均為0.28mm。管腳連桿側邊為曲折形狀。管腳連桿寬度為0.78mm。本實用新型專利技術阻止多余膠體溢出頭部，并增長了引線框架頭部連桿，且將下模間距鑲件與頭部連桿配合的部位由L形變成凹槽，加強了頭部連桿與下模間距鑲件的配合緊密度，有效地減少了樹脂從引線框架頭部溢出，減少了脫模后的除膠工序，節約了人力資源和原材料，提高了生產效率。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

一種半導體弓I線框架與下模間距鑲件的配合結構
本技術涉及半導體封裝
，特別是涉及一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構。
技術介紹
隨著微電子技術的迅速發展，集成電路復雜度的增加，集成電路具有更小的外形， 更高的性能。這就對集成電路塑封引線框架提出了更高的要求，要求引線框架具備更高的電性能，更高的可靠性。因此引線框架制造要不斷技術更新，嚴格質量管理，更好地適應封裝技術和集成電路發展的需求。現有技術的引線框架與下模間距鑲件的結構，如圖I所示，下模間距鑲件2為L 形，對應的，引線框架I頭部設有頭部連桿3，在注塑封裝時，灌膠方向如圖中箭頭所示，極易導致溢膠的發生，造成產品脫模后，還需要增加除殘膠的工序，浪費人力及原材料，生產效率低下。
技術實現思路
本技術的目的在于避免現有技術中的不足之處而提供一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構，其注塑時不易溢膠，減少脫模后的除膠工序，節約人力資源和原材料，生產效率較高。本技術的目的通過以下技術方案實現一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構，包括引線框架和下模間距鑲件，所述引線框架包括頭部連桿和管腳連桿，所述下模間距鑲件的一側設有凹槽，所述頭部連桿和所述凹槽配合設置。所述頭部連桿的長度和所述凹槽的深度均為O. 2-0. 35mm。所述頭部連桿的長度和所述凹槽的深度均為O. 28mm。所述管腳連桿側邊為曲折形狀。所述管腳連桿寬度為O. 78mm。本技術的有益效果本技術的一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構，阻止多余膠體溢出頭部，并且增長了引線框架頭部連桿，且將下模間距鑲件與頭部連桿配合的部位由L形變成凹槽，加強了頭部連桿與下模間距鑲件的配合緊密度，有效地減少了樹脂從引線框架頭部溢出，減少了脫模后的除膠工序，節約了人力資源和原材料，提高了生產效率。附圖說明利用附圖對本技術做進一步說明，但附圖中的內容不構成對本技術的任何限制。圖I是現有的一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構示意圖；圖2是本技術的一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構示意圖。在圖I、圖2中包括有I—-引線框架；2——-下模間距鑲件；3——-頭部連桿；4——-管腳連桿；5一-凹槽。具體實施方式結合以下實施例對本技術作進一步說明。本技術所述的一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構，如圖2所示，包括引線框架I和下模間距鑲件2，引線框架I包括頭部連桿3和管腳連桿4，下模間距鑲件2的一側設有凹槽，頭部連桿3和凹槽配合設置，頭部連桿3的長度和凹槽的深度均為O.28mm.管腳連桿4側邊為曲折形狀，其曲折深度為O. 1mm，管腳連桿4寬度為O. 78mm,引線框架I在使用過程中，要重復在不同工序的設備的導軌中傳送，引線框架I的管腳連桿3設計的較寬，不易變形，產品不易報廢。最后應說明的是以上僅為本技術的優選實施例而已，并不用于限制本技術，盡管參照實施例對本技術進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換。凡在本技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構，包括引線框架和下模間距鑲件，所述引線框架包括頭部連桿和管腳連桿，其特征在于：所述下模間距鑲件的一側設有凹槽，所述頭部連桿和所述凹槽配合設置。

【技術特征摘要】
1.一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構，包括引線框架和下模間距鑲件，所述引線框架包括頭部連桿和管腳連桿，其特征在于所述下模間距鑲件的一側設有凹槽，所述頭部連桿和所述凹槽配合設置。2.根據權利要求I所述的一種半導體引線框架與下模間距鑲件的配合結構，其特征在于所述頭部連桿的長度和所述凹槽的深度均為0. 2-0. 35mm。3.根據權...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉思勇，
申請(專利權)人：杰群電子科技東莞有限公司，
類型：實用新型
國別省市：