一種多芯片半導(dǎo)體器件制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多芯片半導(dǎo)體器件，其結(jié)構(gòu)包括IC芯片和MOS芯片，還包括管腳和電路基板，所述IC芯片和MOS芯片分別焊接在對(duì)應(yīng)的電路基板上，所述IC芯片通過銅線分別與MOS芯片、電路基板和管腳電連接，所述MOS芯片通過鋁線分別與電路基板和管腳電連接。由于IC芯片焊盤尺寸較小，不利于鋁線焊接，因此采用銅線焊接，而MOS芯片的焊盤尺寸較大，采用鋁線替代銅線焊接，而一條鋁線能夠代替多條銅線，因此能減少了接合線的數(shù)量，減小了器件的總體尺寸，同時(shí)也避免了大量密集的銅線會(huì)產(chǎn)生寄存性電容的問題，提高器件性能。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

一種多芯片半導(dǎo)體器件
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件
，特別涉及一種多芯片半導(dǎo)體器件。
技術(shù)介紹
現(xiàn)如今，半導(dǎo)體集成電路芯片因其體積小，處理能力強(qiáng)而得到越來越廣泛的使用。 而隨著技術(shù)的進(jìn)步，越來越多的半導(dǎo)體器件需要將多個(gè)半導(dǎo)體元件封裝在一起。同時(shí)為了實(shí)現(xiàn)各個(gè)半導(dǎo)體元件之間的電連接，一般需要采用接合線使半導(dǎo)體元件之間實(shí)現(xiàn)電連接。現(xiàn)有技術(shù)中，一般采用銅線或者鋁線等單一形式的金屬線作為接合線，但是由于半導(dǎo)體器件中有多個(gè)半導(dǎo)體元件，所以需要較多的接合線，如果單獨(dú)采用銅線作為接合線， 大量的銅線會(huì)占用比較多的空間，增加了半導(dǎo)體器件的體積，同時(shí)比較密集的銅線之間也容易產(chǎn)生較大的寄存性電容，影響半導(dǎo)體器件性能。另一方面，由于接合線數(shù)量較多，焊接需要較多時(shí)間，生產(chǎn)效率低下。如果采用鋁線作為連接線，由于一根鋁線可替代多條銅線， 因此可大大減少接合線的數(shù)量，避免采用銅線時(shí)遇到的諸多問題，但是，由于IC芯片上的焊盤尺寸較小，而采用鋁線焊點(diǎn)較大，容易造成短路等問題，所以在IC芯片上不適合采用招線作為接合線。因此，為解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種能減少半導(dǎo)體器件接合線數(shù)量，縮小半導(dǎo)體器件尺寸，同時(shí)又不影響半導(dǎo)體器件性能的半導(dǎo)體器件技術(shù)顯得尤為重要。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種能減少半導(dǎo)體器件接合線，縮小半導(dǎo)體器件尺寸的多芯片半導(dǎo)體器件。本技術(shù)的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)提供了一種多芯片半導(dǎo)體器件，包括IC芯片和MOS芯片，還包括管腳和電路基板， 所述IC芯片和MOS芯片分別焊接在對(duì)應(yīng)的電路基板上，所述IC芯片通過銅線分別與MOS 芯片、電路基板和管腳電連接，所述MOS芯片通過鋁線分別與電路基板和管腳電連接。其中，所述銅線外表面涂覆有涂覆層。其中，還包括引線框架，所述弓I線框架上設(shè)置有焊接區(qū)，所述電路基板焊接于所述焊接區(qū)上。其中，所述半導(dǎo)體應(yīng)先框架的外部對(duì)應(yīng)所述IC芯片的位置設(shè)置有散熱板。其中，所述引線框架的外部對(duì)應(yīng)所述MOS芯片的位置設(shè)置有散熱板。本技術(shù)的有益效果提供了一種多芯片半導(dǎo)體器件，包括IC芯片和MOS芯片， 還包括管腳和電路基板，所述IC芯片和MOS芯片分別焊接在對(duì)應(yīng)的電路基板上，所述IC芯片通過銅線分別與MOS芯片、電路基板和管腳電連接，所述MOS芯片通過鋁線分別與電路基板和管腳電連接。由于IC芯片焊盤尺寸較小，不利于鋁線焊接，因此，采用銅線焊接，而MOS 芯片的焊盤尺寸較大，采用鋁線替代銅線焊接，而一條鋁線能夠代替多條銅線，本技術(shù)采用銅線和鋁線相結(jié)合的接合方式，不僅能減少接合線的使用數(shù)量，減小了器件的總體尺寸，同時(shí)也避免了大量密集的銅線會(huì)產(chǎn)生寄存性電容的問題，提高器件性能。附圖說明利用附圖對(duì)本技術(shù)作進(jìn)一步說明，但附圖中的實(shí)施例不構(gòu)成對(duì)本技術(shù)的任何限制，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)以下附圖獲得其它的附圖。圖I為本技術(shù)一種多芯片半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本技術(shù)一種多芯片半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。在圖I至圖2中包括有I——IC芯片、2——MOS芯片、3——管腳、4——電路基板、5——銅線、6——鋁線、 7——引線框架、8——散熱板。具體實(shí)施方式結(jié)合以下實(shí)施例對(duì)本技術(shù)作進(jìn)一步描述。本技術(shù)一種多芯片半導(dǎo)體器件的具體實(shí)施方式，如圖I至圖2所示，包括有 包括IC芯片I和MOS芯片2，還包括管腳3和電路基板4，所述IC芯片I和MOS芯片2分別焊接在對(duì)應(yīng)的電路基板4上，所述IC芯片I通過銅線5分別與MOS芯片2、電路基板4和管腳3電連接，所述MOS芯片2通過鋁線6分別與電路基板4和管腳3電連接。由于IC芯片I焊盤尺寸較小，不利于鋁線6焊接，因此采用銅線5焊接，而MOS芯片2的焊盤尺寸較大，采用鋁線6替代銅線5焊接，而一條鋁線6能夠代替多條銅線5，因此能減少了接合線的數(shù)量，減小了器件的總體尺寸，同時(shí)也避免了大量密集的銅線5會(huì)產(chǎn)生寄存性電容的問題， 提聞器件性能。本實(shí)施例中，所述銅線5外表面涂覆有涂覆層。涂覆層既能夠有效的保護(hù)銅線5， 提高銅線5以及金線的耐高溫特性，耐遷移性等，同時(shí)還可以減低接合線之間的寄存性電容，進(jìn)一步提高多芯片半導(dǎo)體器件的性能。[0021 ] 本實(shí)施例中，還包括引線框架7，所述引線框架7上設(shè)置有焊接區(qū)，所述電路基板4 焊接于所述焊接區(qū)上。引線框架7的設(shè)置既能固定電路基板4進(jìn)一步固定芯片，是半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)更加牢固可靠，同時(shí)也方便對(duì)半導(dǎo)體器件的封裝。本實(shí)施例中，所述引線框架7的外部應(yīng)所述IC芯片的位置和MOS芯片的位置設(shè)置有散熱板8。由于在半導(dǎo)體元件工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，如不及時(shí)散熱會(huì)嚴(yán)重引線半導(dǎo)體元件的性能甚至燒壞元件。通過設(shè)置散熱板8能有效將半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱量向外傳導(dǎo)， 達(dá)到散熱的目的，使得高性能半導(dǎo)體元件能正常工作，不影響性能。最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本技術(shù)的技術(shù)方案，而非對(duì)本技術(shù)保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本技術(shù)作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本技術(shù)的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本技術(shù)技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種多芯片半導(dǎo)體器件，包括IC芯片（1）和MOS芯片（2），其特征在于：還包括管腳（3）和電路基板（4），所述IC芯片（1）和MOS芯片（2）分別焊接在對(duì)應(yīng)的電路基板（4）上，所述IC芯片（1）通過銅線（5）分別與MOS芯片（2）、電路基板（4）和管腳（3）電連接，所述MOS芯片（2）通過鋁線（6）分別與電路基板（4）和管腳（3）電連接。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種多芯片半導(dǎo)體器件，包括IC芯片(I)和MOS芯片(2)，其特征在于還包括管腳(3)和電路基板(4)，所述IC芯片(I)和MOS芯片(2)分別焊接在對(duì)應(yīng)的電路基板(4)上，所述IC芯片(I)通過銅線(5 )分別與MOS芯片(2 )、電路基板(4 )和管腳(3 )電連接，所述MOS芯片(2)通過鋁線(6)分別與電路基板(4)和管腳(3)電連接。2.如權(quán)利要求I所述的一種多芯片半導(dǎo)體器件，其特征在于所述銅線(5)外...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：羅艷玲，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：杰群電子科技東莞有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：