本發明專利技術提供一種觸控感測方法，用以偵測感測陣列。此感測陣列包括至少一感測列。此觸控感測方法包括：根據自此感測列擷取之復數感測資料信號獲得一感測曲線；判斷此感測曲線之一曲線特征是否與復數預設曲線特征中一者相同；以及根據關于感測列之該判斷結果來獲知該感測列之觸控狀況。另提供一種觸控感測裝置。本發明專利技術可降低干擾雜訊對于感測陣列的偵測影響，并能提高偵測感測陣列觸控狀況的精確度。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及觸控感測技術，特別是涉及一種適用于感測陣列之觸控感測方法及其感測裝置。
技術介紹
圖I表示單一物體觸控感測陣列中一感測列之示意圖。參閱圖I,感測列10包括配置成一列之復數感測胞Cl-ι C1-14。一般而言，對感測列10的一次觸控偵測會導致一系列的信號讀取。舉例來說，當單一物體(例如一手指，即單一觸控點)11觸控感測列10 上鄰近感測胞C1-6與C1-7附近之位置時，自感測胞Cl-I C1-14讀出的復數感測資料信號之強度呈現一高斯曲線(Gaussian Curve)。另,在一些應用中，感測列10可能被復數物體所觸控，參照圖2表示兩物體觸控感測陣列中一感測列之示意圖，當一物體20觸控感測列10上鄰近感測胞C1-4附近之位置，而另一物體21觸控感測列10上鄰近感測胞C1-8附近之位置時，自感測胞Cl-I C1-14讀出的復數感測資料信號之強度呈現兩個高斯曲線。在習知技術中，根據高斯曲線可區別出真正表示觸控感測列10受到觸控之實際資料與干擾雜訊。一般而言，大多會設定一最小臨界值以判斷出實際資料。然而，假使感測列10上被觸控的面積相對小，那么此觸控所衍生的實際資料將會被視為干擾雜訊，因此在此情況下設定最小臨界值給高斯曲線之方式則不再適用。因此，期望提供一種觸控感測方法及觸控感測裝置，能精確地偵測出觸控感測陣列之物體位置等觸控狀況。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術提供一種觸控感測方法，用以偵測一感測陣列。此感測陣列包括至少一感測列。此觸控感測方法包括根據自此感測列擷取之復數感測資料信號獲得一感測曲線；判斷此感測曲線之一曲線特征是否與復數預設曲線特征中一者相同；以及根據關于感測列之判斷結果來獲知感測列之觸控狀況。在一實施例中，這些感測資料信號表示與感測列中復數感測胞相關之電容值。此夕卜，感測列之觸控狀況可包括以下至少一者感測列是否被至少一物體觸控、觸控感測列之物體數量、觸控感測列之至少一物體在感測列上之位置、觸控感測列之一至少物體在感測列上之觸控面積。本專利技術又提供一種觸控感測裝置，用以偵測一感測陣列。此感測陣列包括至少一感測列。此觸控感測裝置包括計算單元、判斷單元、以及偵測單元。計算單元根據自感測列擷取之復數感測資料信號獲得一感測曲線。判斷單元判斷此感測曲線之一曲線特征是否與復數預設曲線特征之一者相同。偵測單元根據關于測感測列之判斷結果來偵測感測陣列之觸控狀況。在一實施例中，這些感測資料信號表示與感測列中復數感測胞相關之電容值。此夕卜，計算單元更計算復數感測資料信號中每兩感測資料信號之差以獲得復數差動值，且判斷單元根據這些差動值來獲得感測曲線。在另一實施例中，待偵測感測列之觸控狀包括以下至少一者感測列是否被至少一物體觸控、觸控感測列之物體數量、觸控感測列之至少一物體在感測列上之座標、以及觸控感測列之至少一物體在感測列上之觸控面積。根據本專利技術之觸控感測裝置與觸控感測方法，關于待偵測感測列之感測曲線的特征可與預設的曲線特征進行比對。藉由曲線特征的比對，可降低干擾雜訊對于感測陣列的偵測影響，并能提高偵測感測陣列觸控狀況的精確度。附圖說明 下面結合具體實施方式及附圖，對本專利技術作進一步詳細說明。圖I為單一物體觸控感測陣列中一感測列之示意圖。圖2為兩物體觸控感測陣列中一感測列之示意圖。圖3為根據本專利技術實施例之觸控感測裝置的示意方塊圖。圖4為根據本專利技術實施例圖3之感測陣列。圖5A 5C為一感測列之觸控情況以及對應之一系列差動值與曲線輪廓。圖6A 6B、7A 7B、8A 8B、9A 9B、10A 10B、以及IlA IlB為其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓。圖12為根據本專利技術實施例之觸控感測方法的示意流程圖。圖13A-13C為根據本專利技術實施例，一感測列之觸控情況以及感測資料信號對應之差動值與曲線輪廓的一例子。圖14A-14C為根據本專利技術實施例，一感測列之觸控情況以及感測資料信號對應之差動值與曲線輪廓的另一例子。具體實施例方式為使本專利技術之上述目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。圖3表示根據本專利技術實施例之觸控感測裝置的示意方塊圖。如圖3所示，觸控感測裝置3用來偵測施加在感測陣列4上的觸控狀況。圖4表示根據本專利技術實施例圖3之感測陣列，如圖4所示，感測陣列4包括感測列4-1 4-N(N為正整數)，每一感測列具有復數個感測胞。例如，感測列4-1包括感測胞C4-1 C4-M(M為正整數)。觸控感測裝置3包括計算單元30、判斷單元31、以及偵測單元32。判斷單元31包括一記憶體310以及一曲線處理器311，其中，記憶體310用來儲存復數種預設曲線特征。在此實施例中，這些預設曲線特征是指曲線輪廓，而每一曲線輪廓是根據一系列不受干擾雜訊影響之復數差動值而獲得的。請參閱圖5A 5C，表示一感測列之觸控情況以及對應之一系列差動值與曲線輪廓。如圖5A所示，為一感測列5之觸控情況，假設一感測列5具有復數感測胞C5-1 C5-M。在不受干擾雜訊影響之下，當單一物體(例如一手指，即單一觸控點)50觸控感測列5上對應感測胞C5-6之位置時，自感測胞C5-1 C5-M讀出的感測資料信號之強度呈現一高斯曲線(Gaussian Curve)G50o此時，根據感測資料信號中每兩感測資料信號之差可獲得復數差動值。圖5B所示的差動值D5-1 D5-4是當單一物體50觸控感測列5時的有意義差動值，舉例來說，差動值D5-1是感測胞C5-5與C5-6之感測資料信號間的差值，差動值D5-2是感測胞C5-6與C5-7之感測資料信號間的差值。根據差動值D5-1 D5-4可獲得對應之感測曲線P50，如圖5C所示。在此實施例中，曲線輪廓可由以下6個幾何符號來表示(I)正三角形贏表示一全范圍，其中對應之復數差動值皆為正值，且該復數差動值從左至右依次先增大后減小。(2)倒正三角形▼:表示一全范圍，其中對應之差動值皆為負值，且該復數差動值從左至右依次先減小后增大。(3)直角三角形I:表示一半范圍，其中對應之差動值皆為正值，且該復數差動值 從左至右依次減小。(4)倒直角三角形，:表示一半范圍，其中對應之差動值皆為負值，且該復數差動值從左至右依次增大。(5)兩個正三角形▲▲:表示兩個全范圍峰值，其中對應之差動值皆為正值。(6)兩個倒正三角形^ ▼:表示兩個全范圍峰值，其中對應之差動值皆為負值。請再次參閱圖5B 5C，在單一觸控點(即單一物體50之觸控)下產生兩個負差動值D5-1 D5-2以及兩個正差動值D5-3 D5-4，此時，差動值D5-1 D5-4所形成之感測曲線P50的曲線輪廓以11來表示。請參閱圖6A 6B，為其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓。在單一觸控點下產生兩個負差動值D6-1 D6-2以及三個正差動值D6-3 D6-5，此時，差動值D6-1 D6-5所形成之感測曲線P60的曲線輪廓以，▲來表示。請參閱圖7A 7B，為其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓。在單一觸控點下產生三個負差動值D7-1 D7-3以及兩個正差動值D7-4 D7-5，此時，差動值D7-1 D7-5所形成之感測曲線P70的曲線輪廓以▼ L來表示。請參閱圖8A SB，為其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓。在單一觸控點下產生本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種觸控感測方法，用以偵測一感測陣列，所述感測陣列包括至少一感測列，所述觸控感測方法包括：(a)根據自所述感測列擷取之復數感測資料信號獲得一感測曲線；(b)判斷所述感測曲線之一曲線特征是否與復數預設曲線特征中一者相同；以及(c)根據關于所述感測列之所述判斷結果來獲知所述感測列之觸控狀況。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：王萬秋，楚丁，
申請(專利權)人：宸鴻科技廈門有限公司，
類型：發明
國別省市：
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