片式電容器芯片真空濺鍍組合模具制造技術

本實用新型專利技術涉及一種片式電容器芯片真空濺鍍組合模具，包括上模板、中模板及下模板，中模板上設有數個直通孔用于放置需濺鍍的片式電容器芯片，上模板上對應中模板的數個直通孔分別設有數個第一濺鍍通孔，第一濺鍍通孔包括靠近中模板的第一定位段及遠離中模板的第一濺鍍段，第一濺鍍段的孔徑小于第一定位段的孔徑，下模板上對應中模板的數個直通孔分別設有數個第二濺鍍通孔，第二濺鍍通孔包括靠近中模板的第二定位段及遠離中模板的第二濺鍍段，第二濺鍍段的孔徑小于第二定位段的孔徑。該片式電容器芯片真空濺鍍組合模具結構簡單，組合多變，適用于對多規格片式電容器芯片進行真空濺鍍金屬電極，使用方便、制作精度高、制作效率高且成本低。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

片式電容器芯片真空濺鍍組合模具
本技術涉及一種真空濺鍍組合模具，尤其涉及一種用于對片式電容器芯片進行真空濺鍍金屬電極的片式電容器芯片真空濺鍍組合模具。
技術介紹
片式電容器是一種常用的電子元件。現有的片式電容器通常由一個陶瓷介質的基片，在兩面用銀漿絲印電極，加上引腳經絕緣物料包封后成為成品，廣泛應用于各類電子產品中。在現有的制造片式電容器芯片的工藝過程中，多采用絲網單邊印刷電極，印完一邊并經高溫烘干后，再對另一面進行相同操作。這種工藝工時長，耗能大，成本高，其最不好控制的是絲網用的時間一長會產生變形，由圓形變成不規則的形狀。同時，由于絲網的縱橫編織方式，決定了在印刷面的邊緣會產生鋸齒狀，在耐電壓高的電容器上會產生尖端放電的現象，這是電容器產品所不允許的。另外傳統的絲網單邊印刷電極是印完一面再印另一面的操作，容易導致兩邊電極面不同心，使容量變化大且電性指標不良，嚴重的可造成產品報廢。因此，行業中迫切要求新的加工制造裝置進行替換。
技術實現思路
因此，本技術的目的在于提供一種片式電容器芯片真空濺鍍組合模具，其結構簡單，組合多變，適用于對多規格片式電容器芯片進行真空濺鍍金屬電極，使用方便、制作精度高、制作效率高且成本低。為實現上述目的，本技術提供一種片式電容器芯片真空濺鍍組合模具，包括上模板、中模板及下模板，所述中模板上設有數個直通孔用于放置需濺鍍的片式電容器芯片，所述上模板上對應中模板的數個直通孔分別設有數個第一濺鍍通孔，所述第一濺鍍通孔包括靠近中模板的第一定位段及遠離中模板的第一濺鍍段，所述第一濺鍍段的孔徑小于第一定位段的孔徑，所述下模板上對應中模板的數個直通孔分別設有數個第二濺鍍通孔， 所述第二濺鍍通孔包括靠近中模板的第二定位段及遠離中模板的第二濺鍍段，所述第二濺鍍段的孔徑小于第二定位段的孔徑。所述第一濺鍍通孔的第一定位段的孔徑及所述第二濺鍍通孔的第二定位段的孔徑均與所述直通孔的孔徑相同。所述上模板背向中模板的一側于第一濺鍍通孔處設有倒角，所述下模板背向中模板的一側于第二濺鍍通孔處設有倒角。所述上模板的第一濺鍍通孔及下模板的第一濺鍍通孔的形狀、尺寸及深度與需濺鍍的片式電容器芯片的形狀及容量相對應。所述中模板上的數個直通孔、所述上模板上的數個第一濺鍍通孔及所述下模板上的數個第二濺鍍通孔呈圓形或多邊形。所述上模板的一端設有定位銷且上模板的另一端設有定位孔，所述下模板的一端設有定位孔且下模板的另一端設有定位銷，所述中模板對應上模板的定位銷及下模板的定位銷分別設有定位孔。所述上模板、中模板及下模板的四周設有緊固孔。所述上模板、中模板及下模板為金屬板體。所述中模板上的數個直通孔、所述上模板上的數個第一濺鍍通孔及所述下模板上的數個第二濺鍍通孔均排列成多行，且行與行之間呈交錯排列。本技術的有益效果本技術的片式電容器芯片真空濺鍍組合模具可根據需濺鍍的片式電容器芯片的電極生產的實際需要多變成不同的組合，以減少成本支出，可廣泛適用片式電容器芯片電極面的濺鍍工藝；上模板的第一濺鍍通孔、中模板的直通孔及下模板上的第二濺鍍通孔可根據需濺鍍的片式電容容量的大小，經精確加工而成以確定電極的面積，確保容量的精確實現，克服了現有的用絲網印刷電漿由于絲網的變形導致電極大小不一，以及絲網的網狀結構造成電極尖端放電的固有缺陷，大大提高了電容的電性；該片式電容器芯片真空濺鍍組合模具可以單片應用，也可以兩片組合，還可以三片組合，并可以根據濺鍍機載盤的容納尺寸，設計成不同尺寸的方塊，最大限度地利用機器載盤的有效空間，提高產能；同時，該片式電容器芯片真空濺鍍組合模具通過與機械的配套設計，可方便地實現雙面濺鍍，使產能雙倍提高。為更進一步闡述本技術為實現預定目的所采取的技術手段及功效，請參閱以下有關本技術的詳細說明與附圖，相信本技術的目的、特征與特點，應當可由此得到深入且具體的了解，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本技術加以限制。附圖說明以下結合附圖，通過對本技術的具體實施方式詳細描述，將使本技術的技術方案及其他有益效果顯而易見。附圖中，圖I為本技術片式電容器芯片真空濺鍍組合模具一較佳實施例的立體分解結構示意圖。圖2為圖I所示片式電容器芯片真空濺鍍組合模具的局部剖視放大圖。圖3為本技術片式電容器芯片真空濺鍍組合模具另一較佳實施例的局部剖視放大圖。具體實施方式如圖I與圖2所示，為本技術片式電容器芯片真空濺鍍組合模具的一較佳實施例。該片式電容器芯片真空濺鍍組合模具，包括上模板10、中模板20及下模板30，所述中模板20上設有數個直通孔21用于放置需濺鍍的片式電容器芯片，所述上模板10上對應中模板20的數個直通孔21分別設有數個第一濺鍍通孔11，所述第一濺鍍通孔11包括靠近中模板20的第一定位段111及遠離中模板20的第一濺鍍段112，所述第一濺鍍段112的孔徑小于第一定位段111的孔徑，所述下模板30上對應中模板20的數個直通孔21分別設有數個第二濺鍍通孔31，所述第二濺鍍通孔31包括靠近中模板20的第二定位段311及遠離中模板20的第二濺鍍段312，所述第二濺鍍段312的孔徑小于第二定位段311的孔徑。所述第一濺鍍通孔11的第一定位段111的孔徑及所述第二濺鍍通孔31的第二定位段311的孔徑均與所述直通孔21的孔徑相同。所述上模板10的第一濺鍍通孔11及下模板30的第一濺鍍通孔11的形狀、尺寸及深度與需濺鍍的片式電容器芯片的形狀及容量相對應。所述中模板20上的數個直通孔21、所述上模板10上的數個第一濺鍍通孔11及所述下模板30上的數個第二濺鍍通孔31呈圓形或多邊形。本實施例中，所述中模板20上的數個直通孔21、所述上模板10上的數個第一濺鍍通孔11及所述下模板30上的數個第二濺鍍通孔31呈圓形，通過采用機械精密加工，可將片式電容器芯片的電極面積很好的規定成正圓，同時雙面同樣加工達到兩面同心，確保加工出來的產品一致,從而保證電器性能。所述上模板10的一端設有定位銷12且上模板10的另一端設有定位孔13，所述下模板30的一端設有定位孔(圖I未示出)且下模板30的另一端設有定位銷33，所述中模板20對應上模板10的定位銷12及下模板30的定位銷33分別設有定位孔22，從而方便上模板10、中模板20及下模板30的對合定位。所述上模板10、中模板20及下模板30的四周設有緊固孔14、23、34，可以適用于不同濺鍍機器的承載內框的組合布局，方便地排列成不同方陣，充分利用有效空間實施濺鍍，從而提高單位時間之產能。所述上模板10、中模板20及下模板30為金屬板體，可適用于各種溫度環境(不含極端環境)。所述中模板20上的數個直通孔21、所述上模板10上的數個第一濺鍍通孔11及所述下模板30上的數個第二濺鍍通孔31均排列成多行，且行與行之間呈交錯排列，以爭取在有效的面積容納最多的廣品，提聞單位廣能。如圖3所示，為本技術片式電容器芯片真空濺鍍組合模具的另一較佳實施例。本實施例的片式電容器芯片真空濺鍍組合模具與前一實施例的結構基本相同，區別僅在于本實施例中，上模板IOa背向中模板20a的一側于第一濺鍍通孔Ila處設有倒角113， 所述下模板30a背向中模板20a的一側于第二濺鍍通孔31a處本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種片式電容器芯片真空濺鍍組合模具，其特征在于，包括上模板、中模板及下模板，所述中模板上設有數個直通孔用于放置需濺鍍的片式電容器芯片，所述上模板上對應中模板的數個直通孔分別設有數個第一濺鍍通孔，所述第一濺鍍通孔包括靠近中模板的第一定位段及遠離中模板的第一濺鍍段，所述第一濺鍍段的孔徑小于第一定位段的孔徑，所述下模板上對應中模板的數個直通孔分別設有數個第二濺鍍通孔，所述第二濺鍍通孔包括靠近中模板的第二定位段及遠離中模板的第二濺鍍段，所述第二濺鍍段的孔徑小于第二定位段的孔徑。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：黎國強，
申請(專利權)人：黎國強，
類型：實用新型
國別省市：