本實用新型專利技術公開了一種EMI專用真空濺鍍治具，包括上蓋和底座，所述底座上設置有與產品配套的定位塊；所述上蓋包括遮蔽塊，所述遮蔽塊通過架橋連接，所述架橋連接至所述上蓋的主體。該實用新型專利技術的底座及上蓋分別采用鋁合金材質一體成型，并在上蓋設置通過架橋連接距離上蓋邊緣較遠的遮蔽塊，通過遮蔽塊固定產品及底座并遮蔽非濺鍍區，用于產品的真空濺鍍時，治具本身相較于PC材質或普通鋁材具有較高的機械強度；通過架橋及遮蔽塊的方式，能夠最大化的遮蔽非濺鍍區并露出濺鍍區，且通過遮蔽塊設計減少了對產品的壓蓋區而最大化保護產品不劃傷；治具可反復使用，不僅濺鍍精度高且降低了成本投入。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種EMI專用真空派鍍治具。
技術介紹
電磁干擾(EMI)是干擾電纜信號并降低信號完好性的電子噪音，EMI通常由電磁輻射發生源，如馬達和機器產生。EMI有傳導干擾和輻射干擾兩種，在PCB及系統設計中，高頻信號線、集成電路的引腳、各類接插件等都可能成為具有天線特性的輻射干擾源，能發射電磁波并影響其他系統或本系統內其他子系統的正常工作。電子消費類產品，如筆記本電腦、手機、導航儀等，都容易產生EMI輻射性，傳統的方法是通過電鍍、噴涂等方法，在產品的表面覆上一層導電金屬，但傳統的方法效率低、成本高、污染嚴重，而真空濺鍍在電子產品表層鍍上導電金屬，使電磁波被導電金屬吸收或反射，采用真空濺鍍方法具有經濟、高效、無污染的優點。在真空濺鍍工藝中，可防止被濺鍍的塑膠件不變形、濺鍍區域精準、可批量循環使用并保護塑膠件的治具至關重要。現有技術中，有用PC材料制作的治具，保護精度、強度不高、可修復性不強，達不到反復使用；普通的鋁材制作成的治具，加工時困難點較多，如材料加工變形，成品毛刺較多且難清理等。
技術實現思路
為解決上述技術問題，本技術提供了一種EMI專用真空濺鍍治具，以提高治具本身的強度、反復使用性及對產品的保護精度，確保濺鍍區域精準，并防止產品變形。為達到上述目的，本技術的技術方案如下一種EMI專用真空濺鍍治具，包括上蓋和底座，所述底座上設置有與產品配套的定位塊；所述上蓋包括遮蔽塊，所述遮蔽塊通過架橋連接，所述架橋連接至所述上蓋的主體。優選的，所述遮蔽塊與架橋構成上下兩層立體結構。優選的，所述遮蔽塊位于下層，所述架橋位于上層。優選的，下層所述遮蔽塊對應產品的凹槽及非濺鍍區。優選的，所述上蓋及底座分別采用鋁合金材質一體成型。通過上述技術方案，本技術提供的EMI專用真空濺鍍治具，其采用鋁合金材質加工底座及上蓋，并在上蓋設置通過架橋連接距離上蓋邊緣較遠的遮蔽塊，通過遮蔽塊固定產品及底座并遮蔽非濺鍍區，用于產品的真空濺鍍時，其具有如下優點①上蓋及底座分別采用鋁合金材質一體成型，使得治具本身相較于PC材質或普通鋁材具有較高的機械強度，且配件少，應用時組裝方便，只需直接將產品卡在上蓋及底座之間即可；②通過架橋及遮蔽塊的方式，能夠最大化的遮蔽非濺鍍區并露出濺鍍區，且通過遮蔽塊設計減少了對產品的壓蓋區而最大化保護產品不劃傷；③鋁合金材質治具可反復使用，不僅濺鍍精度高且降低了成本投入。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。圖I為實施例所公開的EMI專用真空濺鍍治具的上蓋結構示意圖；圖2為實施例所公開的EMI專用真空濺鍍治具的底座結構示意圖；圖3為實施例所公開的EMI專用真空派鍍治具的上蓋及底座組合結構示意圖。圖中數字表示11.上蓋12.架橋13.遮蔽塊21.底座22.定位塊具體實施方式下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。根據圖I至3，本技術提供的EMI專用真空濺鍍治具，包括上蓋11和底座21，底座21上設置有與產品配套的定位塊22 ;上蓋11包括遮蔽塊13，遮蔽塊13通過架橋12連接，架橋12連接至上蓋11的主體。其中，遮蔽塊13與架橋12構成上下兩層立體結構，遮蔽塊13位于下層并對應產品的凹槽及非濺鍍區，架橋12位于上層。為了確保EMI專用真空濺鍍治具具有較高的機械強度，其上蓋11及底座21分別采用鋁合金材質一體成型。本技術提供的EMI專用真空濺鍍治具，其底座21及上蓋11分別采用鋁合金材質一體成型，并在上蓋11設置通過架橋12連接距離上蓋11邊緣較遠的遮蔽塊13，通過遮蔽塊13固定產品及底座21并遮蔽非濺鍍區，用于產品的真空濺鍍時，不僅具有較高的機械強度，且能夠最大化的遮蔽非濺鍍區并露出濺鍍區，且通過遮蔽塊13設計減少了對產品的壓蓋區而最大化保護產品不劃傷，且治具可反復使用，不僅濺鍍精度高，且降低了成本投入。對上述實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本技術的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。權利要求1.一種EMI專用真空濺鍍治具，包括上蓋和底座，所述底座上設置有與產品配套的定位塊，其特征在于，所述上蓋包括遮蔽塊，所述遮蔽塊通過架橋連接，所述架橋連接至所述上蓋的主體。2.根據權利要求I所述的EMI專用真空濺鍍治具，其特征在于，所述遮蔽塊與架橋構成上下兩層立體結構。3.根據權利要求2所述的EMI專用真空濺鍍治具，其特征在于，所述遮蔽塊位于下層，所述架橋位于上層。4.根據權利要求3所述的EMI專用真空濺鍍治具，其特征在于，下層所述遮蔽塊對應產品的凹槽及非濺鍍區。5.根據權利要求I所述的EMI專用真空濺鍍治具，其特征在于，所述上蓋及底座分別采用鋁合金材質一體成型。專利摘要本技術公開了一種EMI專用真空濺鍍治具，包括上蓋和底座，所述底座上設置有與產品配套的定位塊；所述上蓋包括遮蔽塊，所述遮蔽塊通過架橋連接，所述架橋連接至所述上蓋的主體。該技術的底座及上蓋分別采用鋁合金材質一體成型，并在上蓋設置通過架橋連接距離上蓋邊緣較遠的遮蔽塊，通過遮蔽塊固定產品及底座并遮蔽非濺鍍區，用于產品的真空濺鍍時，治具本身相較于PC材質或普通鋁材具有較高的機械強度；通過架橋及遮蔽塊的方式，能夠最大化的遮蔽非濺鍍區并露出濺鍍區，且通過遮蔽塊設計減少了對產品的壓蓋區而最大化保護產品不劃傷；治具可反復使用，不僅濺鍍精度高且降低了成本投入。文檔編號C23C14/34GK202671644SQ20122031772公開日2013年1月16日 申請日期2012年7月3日 優先權日2012年7月3日專利技術者范新宇 申請人:昆山福岡電子有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種EMI專用真空濺鍍治具，包括上蓋和底座，所述底座上設置有與產品配套的定位塊，其特征在于，所述上蓋包括遮蔽塊，所述遮蔽塊通過架橋連接，所述架橋連接至所述上蓋的主體。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：范新宇，
申請(專利權)人：昆山福岡電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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