發(fā)光二極管封裝及其制造方法技術

本發(fā)明專利技術涉及一種發(fā)光二極管封裝及其制造方法，其中，使用具有多層反射面的散熱基板，并且將配線圖形層延長至芯片安裝區(qū)域的下部底面，從而確保片焊接工藝的容易性，并且能夠減少封裝的厚度，其包括：散熱基板，其具有反射槽和安裝槽，所述反射槽具有下部底面和寬度比下部底面寬的上部開口裝置，從而在上部開口裝置和下部底面之間形成斜面，所述安裝槽在所述反射槽內(nèi)具有下部底面和寬度比下部底面寬的上部開口裝置，從而在上部開口裝置和下部底面之間形成了斜面；絕緣層和配線圖形層，所述絕緣層選擇性地形成在所述散熱基板上，所述配線圖形層形成在所述絕緣層上，并且延長至所述安裝槽底面，從而選擇性地形成；發(fā)光二極管芯片，其安裝在所述安裝槽內(nèi)；模壓層，以發(fā)光二極管芯片為中心而形成。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及發(fā)光二極管單元的制造，具體涉及發(fā)光二極管封裝及其制造方法，其中，使用具有多層反射面的散熱基板，并且將配線圖形層延長到芯片安裝區(qū)域的下部底面，從而確保片焊接工藝的容易性，并且能夠減少封裝的厚度。
技術介紹
發(fā)光二極管利用半導體的p-n接合結(jié)構來制造出注入的少數(shù)載體(電子或空穴)，并且通過所述少數(shù)載體的再結(jié)合進行發(fā)光的電子部件。如上所述的發(fā)光二極管使用在各種領域，最近由于發(fā)光二極管的壽命為半永久性且不存在有害物質(zhì)環(huán)境管制(RoHS、ELV、PF0S等)物質(zhì)，因此被矚目為將代替熒光燈的部件。 通常地，單一的發(fā)光二極管單元在引線框上將發(fā)光二極管芯片例如以Ag進行接合，并且在將半導體芯片的N片和P片進行引線接合之后，通過環(huán)氧樹脂的模壓進行封裝。如上所述構成的單一的發(fā)光二極管為了散熱而以如下方式使用，即在搭載于散熱板的狀態(tài)下設置于印刷電路基板上而使用，或者利用例如表面安裝技術(SMT)等在印刷電路板上，以安裝的狀態(tài)附著于散熱板上而使用。另外，例如，使用于LCD背光燈等的發(fā)光二極管陣列單元中，將如上所述構成的多個單一發(fā)光二極管封裝按照陣列形狀利用例如表面安裝技術(SMT)等來設置在印刷電路板上。并且，如上所述構成的發(fā)光二極管的陣列單元為了散熱而粘貼在散熱板上使用。如上所示，現(xiàn)有技術中，為了制造發(fā)光二極管單元，將與引線框的制造、散熱板的制造、發(fā)光二極管的制造、印刷電路板的制造、發(fā)光二極管封裝的安裝等具有各自不同特性的制造工藝進行集合。換句話說，一家制造企業(yè)很難獨立制造出發(fā)光二極管單元，應該通過各不同企業(yè)的相互協(xié)助方可制造。因此，具有如下問題發(fā)光二極管單元的制造存在制造工藝復雜，以及發(fā)光二極管單元的制造費用上升。另外，現(xiàn)有技術中，將發(fā)光二極管芯片安裝在引線框后進行封裝，由于所述的發(fā)光二極管封裝安裝在印刷電路板上，因此，具有如下問題整體上增加了發(fā)光二極管單元的厚度，從而存在采用上述的發(fā)光二極管單元的電子產(chǎn)品的薄型化受到障礙。特別是，現(xiàn)有技術中，為了發(fā)光二極管的散熱，通過將發(fā)光二極管芯片安裝在引線框進行封裝之后，以散熱板作為媒介將所述發(fā)光二極管封裝設置在印刷電路板上，或者將發(fā)光二極管封裝安裝在印刷電路板后，將印刷電路板結(jié)合在散熱板上。由此，發(fā)光二極管單元的整體厚度會更加厚，從而存在采用如上所述的發(fā)光二極管單元的電子產(chǎn)品的薄型化受到障礙的問題。如上所述的現(xiàn)有技術的發(fā)光二極管單元，在提高發(fā)光的光的波長變換效率具有局限性，從而提高光功率或者亮度以及其顯色性方面具有難度。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術用于解決如上所述的現(xiàn)有技術的發(fā)光二極管單元的問題，其目的在于提供一種發(fā)光二極管封裝及其制造方法，其中，使用具有多層反射面的散熱基板，并且將配線圖形層延長到芯片安裝區(qū)域的下部底面，從而確保芯片焊接工藝的容易性，并且能夠減少封裝的厚度。本專利技術的目的在于提供一種發(fā)光二極管封裝及其制造方法，其中，在散熱基板的發(fā)光二極管芯片的安裝區(qū)域中形成具有反射面的反射槽，并且在反射槽內(nèi)形成具有另一個反射面的多個安裝槽，從而能夠提高通過如上所述構成進行發(fā)光的光的反射效率。本專利技術的目的在于提供一種發(fā)光二極管封裝及其制造方法，其中，發(fā)光二極管單元的制造工藝明顯地被簡化，并且能夠明顯地降低制造費用。本專利技術的目的在于提供一種發(fā)光二極管封裝及其制造方法，其中，在散熱基板上直接搭載發(fā)光二極管芯片，從而能夠?qū)ζ浣Y(jié)構及制造工藝進行簡單化。 本專利技術的目的不限于以上所述的目的，并且所屬領域的技術人員可以通過以下記載的內(nèi)容能夠明確地理解在此沒有提到的其他目的。根據(jù)用于實現(xiàn)如上所述目的的本專利技術的發(fā)光二極管封裝，其包括散熱基板，其具有反射槽和安裝槽，所述反射槽形成為具有下部底面和寬度比下部底面寬的的上部開口裝置，從而在上部開口裝置和下部底面之間形成斜面，所述安裝槽形成為在所述反射槽的內(nèi)部具有下部底面和寬度比下部底面寬的上部開口裝置，從而在上部開口裝置和下部底面之間形成斜面；絕緣層和配線圖形層，所述絕緣層選擇性地形成在所述散熱基板上，所述配線圖形層形成在所述絕緣層上并且延長到所述安裝槽的底面，從而選擇性地形成；發(fā)光二極管芯片，其安裝在所述安裝槽內(nèi)；模壓層，其以發(fā)光二極管芯片作為中心而形成。在此，將所述安裝槽的斜面使用為第一反射面，并且將反射槽的斜面使用為第二反射面。并且，還包括連接線，其將所述發(fā)光二極管芯片的電極片和配線圖形層進行電連接。并且，所述配線圖形層構成為，用Cu、Ni、Ag物質(zhì)來對形成第一、二、三配線圖形形成用物質(zhì)層依次進行層壓。根據(jù)用于實現(xiàn)另一個目的的本專利技術的發(fā)光二極管封裝的制造方法，其包括如下步驟在散熱基板上形成具有斜面的反射槽，并且在反射槽內(nèi)形成具有另一個斜面的安裝槽；在所述散熱基板上選擇性地形成絕緣層，并且在絕緣層上形成延長到安裝槽底面的配線圖形層；在所述散熱基板的安裝槽內(nèi)安裝有發(fā)光二極管芯片；進行引線接合，以便將上述發(fā)光二極管芯片的電極片和所述配線圖形層進行電連接，并且以安裝有所述發(fā)光二極管芯片的安裝區(qū)域為中心形成模壓層。并且，所述反射槽形成為，具有下部底面和寬度比下部底面寬的上部開口裝置，從而在上部開口裝置和下部地面之間具有斜面，所述安裝槽形成為，在所述反射槽的內(nèi)部具有下部底面和寬度比下部底面寬的上部開口裝置，從而在上部開口裝置和下部底面之間具有斜面。并且，通過如下方式形成所述反射槽及安裝槽根據(jù)壓力加工的折曲或者壓鑄(Die-Casting)加工或者數(shù)字控制(Numerical Control)加工或者蝕刻術(Etching)。并且，所述散熱基板是鋁或者鎂，絕緣層是陶瓷或者氧化鋁。并且，所述配線圖形層構成為，用Cu、Ni、Ag物質(zhì)來對第一、二、三配線圖形形成用物質(zhì)層依次進行層壓，并且通過濺射工藝選擇性地形成第一配線圖形形成用物質(zhì)層，并且在第一配線圖形形成用物質(zhì)層上按順序通過鍍金并形成第二、三配線圖形形成用物質(zhì)層。并且，所述模壓層形成為，將作為熒光物質(zhì)的磷光體(Phosphor)根據(jù)規(guī)定的混合比率與硅酮進行混合，從而涂覆成鏡片形狀。根據(jù)如上所述的本專利技術的發(fā)光二極管封裝及其制造方法具有如下效果。第一、使用具有多層反射面的散熱基板，將配線圖形層延長到芯片安裝區(qū)域的下部底面，從而確保片焊接工藝的容易性，并且能夠減少封裝的厚度。第二、在散熱基板上形成具有反射面的反射槽，并且在反射槽內(nèi)形成具有另一個反射面的多個安裝槽，從而能夠提高通過如上所述構成進行發(fā)光的光的反射效率。·第三、發(fā)光二極管單元的制造工藝明顯地簡單化，并且能夠顯著地減少制造費用。第四、在散熱基板上直接裝載發(fā)光二極管芯片，從而其結(jié)構及制造工藝簡化，并且顯著地減少了整體厚度，從而能夠適當?shù)夭捎迷谛枰⌒突碾娮友b置上。第五、在散熱基板的表面下部實現(xiàn)多層反射，從而提高反射效率，并且有利于薄型化。附圖說明圖Ia至圖If是用于制造根據(jù)本專利技術的發(fā)光二極管封裝的工藝截面圖。圖2是根據(jù)本專利技術的發(fā)光二極管封裝的芯片焊接區(qū)域的放大構成圖。 圖3是根據(jù)本專利技術的發(fā)光二極管封裝的芯片焊接區(qū)域中選擇性地將絕緣物質(zhì)層進行清除后并在后續(xù)工藝中可制作圖案的放大構成圖。具體實施例方式以下，對根據(jù)本專利技術的發(fā)光二極管封裝及其制造方法的優(yōu)選實施例進行詳細說明。通過以下各個實施例的詳細說明會更清楚地理解根據(jù)本專利技術的發(fā)光二極管封裝及其制造方法的特征及本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種發(fā)光二極管封裝，其包括：散熱基板，其具有反射槽和安裝槽，所述反射槽具有下部底面和寬度比下部底面寬的上部開口裝置，從而在上部開口裝置和下部底面之間形成斜面，所述安裝槽在所述反射槽內(nèi)具有下部底面和寬度比下部底面寬的上部開口裝置，從而在上部開口裝置和下部底面之間形成斜面；絕緣層和配線圖形層，所述絕緣層選擇性地形成在所述散熱基板上，所述配線圖形層形成在所述絕緣層上，并且延長到所述安裝槽底面，從而選擇性地形成；發(fā)光二極管芯片，其安裝在所述安裝槽內(nèi)；模壓層，其以發(fā)光二極管芯片作為中心而形成。

【技術特征摘要】
2011.08.10 KR 10-2011-00797021.一種發(fā)光二極管封裝，其包括 散熱基板，其具有反射槽和安裝槽，所述反射槽具有下部底面和寬度比下部底面寬的上部開口裝置，從而在上部開口裝置和下部底面之間形成斜面，所述安裝槽在所述反射槽內(nèi)具有下部底面和寬度比下部底面寬的上部開口裝置，從而在上部開口裝置和下部底面之間形成斜面； 絕緣層和配線圖形層，所述絕緣層選擇性地形成在所述散熱基板上，所述配線圖形層形成在所述絕緣層上，并且延長到所述安裝槽底面，從而選擇性地形成； 發(fā)光二極管芯片，其安裝在所述安裝槽內(nèi)； 模壓層，其以發(fā)光二極管芯片作為中心而形成。2.根據(jù)權利要求I所述的發(fā)光二極管封裝，其特征在于 將所述安裝槽的斜面使用為第一反射面，并且將反射槽的斜面使用為第二反射面。3.根據(jù)權利要求I所述的發(fā)光二極管封裝，其特征在于，還包括 所述發(fā)光二極管芯片的電極片和配線圖形層進行電連接的接合導線。4.根據(jù)權利要求I所述的發(fā)光二極管封裝，其特征在于 所述配線圖形層的結(jié)構為，用Cu、Ni、Ag物質(zhì)來對形成第一、二、三配線圖形的物質(zhì)層依次進行層壓。5.一種發(fā)光二極管封裝的制造方法，其包括如下步驟 在散熱基板上形成具有斜面的反射槽，并且在反射槽內(nèi)形成具有另一個斜面的反射槽； 在所述散熱基板上選擇性地形成絕緣層，并且在絕緣層上形成延長到安裝槽底面的配線圖形層； 在所述散熱基板的安裝槽...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：張種鎮(zhèn)，
申請(專利權)人：斗星ATech，張種鎮(zhèn)，
類型：發(fā)明
國別省市：